公开(公告)号：CN100530656C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510116551.5

申请日：2005-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩公钦 ,  南孝润 ,  任普托

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8244 ,  G11C11/412 ,  G11C11/413 ,  G11C7/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和用于布置和制造其的方法。该半导体器件包括多个反相器，其包括至少一个第一上拉晶体管和第一下拉晶体管并分别转换和输出输入信号；和多个NAND门，其包括至少两个第二上拉晶体管和第二下拉晶体管和如果至少两个输入信号的至少一个具有低电平就分别产生具有高电平的输出信号，其中至少一个第一上拉晶体管和第一下拉晶体管和至少两个第二上拉晶体管和第二下拉晶体管堆叠和布置在至少两层上。

公开(公告)号：CN1779979A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510116551.5

申请日：2005-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩公钦 ,  南孝润 ,  任普托

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8244 ,  G11C11/412 ,  G11C11/413 ,  G11C7/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和用于布置和制造其的方法。该半导体器件包括多个反相器，其包括至少一个第一上拉晶体管和第一下拉晶体管并分别转换和输出输入信号；和多个NAND门，其包括至少两个第二上拉晶体管和第二下拉晶体管和如果至少两个输入信号的至少一个具有低电平就分别产生具有高电平的输出信号，其中至少一个第一上拉晶体管和第一下拉晶体管和至少两个第二上拉晶体管和第二下拉晶体管堆叠和布置在至少两层上。