公开(公告)号：CN102165693B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980138267.4

申请日：2009-09-16

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 筱田祥宏 ,  原雅人

IPC: H03K17/08 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7806 ,  H02H11/002 ,  H02J7/0034 ,  H03K17/0822

Abstract: 开关装置(10)具有内置了阻止反向电流的肖特基势垒二极管D3的主IGFET(11)、保护开关单元(12)以及保护开关控制单元(13)。保护开关单元(12)连接在主IGFET(11)的漏电极D和栅电极G之间。保护开关控制单元(13)在对主IGFET(11)施加了反向电压时接通保护开关单元(12)。由此，从反向电压来保护主IGFET(11)。

公开(公告)号：CN105448909A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510354138.6

申请日：2015-06-24

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 坂井邦崇 ,  前川祐也 ,  原雅人 ,  久保田英幸

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/64

CPC classification number: H02M3/1588 ,  H03K17/0412 ,  Y02B70/1466

Abstract: 一种自举电路，该自举电路包括N沟道MOS晶体管和限流部件，该N沟道MOS晶体管包括：第一N型半导体层，该第一N型半导体层形成在P型半导体基板的一表面上并且电连接至一自举电容器；P型半导体层，该P型半导体层形成在所述第一N型半导体层的一表面上；第二N型半导体层，该第二N型半导体层形成在所述P型半导体层的一表面上；第一电极，该第一电极电连接至所述P型半导体层；第二电极，该第二电极电连接至所述第二N型半导体层；以及电源端子，该电源端子连接至所述第一电极和所述第二电极中的每一个，以向其提供电源电压，所述N沟道MOS晶体管向所述自举电容器供电，该限流部件连接在所述电源端子与所述第一电极之间。

公开(公告)号：CN102165693A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138267.4

申请日：2009-09-16

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 筱田祥宏 ,  原雅人

IPC: H03K17/08 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7806 ,  H02H11/002 ,  H02J7/0034 ,  H03K17/0822

Abstract: 开关装置(10)具有内置了阻止反向电流的肖特基势垒二极管D3的主IGFET(11)、保护开关单元(12)以及保护开关控制单元(13)。保护开关单元(12)连接在主IGFET(11)的漏电极D和栅电极G之间。保护开关控制单元(13)在对主IGFET(11)施加了反向电压时接通保护开关单元(12)。由此，从反向电压来保护主IGFET(11)。