-
公开(公告)号：CN112985628A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010759243.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: G01K7/01
Abstract: 本申请实施例提供一种温度监控电路以及方法，能够在实现条件内设定恰当的电压温度系数。温度监控电路1具有温度检测电路10，该温度检测电路10使用晶体管Q1、Q2的基极‑发射极间电压VBE，根据温度生成第1输出电压(Vout1)，该温度监控电路10具有：电压下降电路30，其将第1输出电压(Vout1)转换成第2输出电压(Vout3)，该第2输出电压(Vout3)是使用与晶体管Q1、Q2相同特性的电压下降用晶体管(Q3、Q4)的基极‑发射极间电压VBE，使第1输出电压(Vout1)的电压下降并且增加电压温度系数后得到的；以及放大器电路20a，其将第2输出电压(Vout3)转换成第3输出电压(Vout4)，该第3输出电压(Vout4)是使第2输出电压(Vout3)增大并且进一步增加电压温度系数后得到的。
-
公开(公告)号：CN112994667B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201911272986.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 前川祐也
IPC: H03K17/04
Abstract: 本申请实施例提供一种功率设备的控制装置及方法。所述控制装置包括：输入电路，其根据输入信号产生设置脉冲信号或重置脉冲信号；其中，所述重置脉冲信号根据选择信号能够被设定为具有不同的脉冲宽度；电平转换电路，其根据所述设置脉冲信号产生导通信号，或根据所述重置脉冲信号产生截止信号；驱动电路，其根据所述导通信号或者所述截止信号，驱动所述高压侧功率设备；判别电路，其对重置脉冲信号的脉冲宽度进行判别；以及切换电路，其根据判别出的脉冲宽度对所述高压侧功率设备的至少两个栅极电阻进行选择。由此，不仅能够降低电路面积并抑制成本；而且选择信号的传递不容易被噪声干扰，能够提高控制的稳定性。
-
公开(公告)号：CN104242882A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410240733.2
申请日：2014-05-30
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K17/08
CPC classification number: H03K17/0828 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H03K2017/0806 , H03K2217/0027 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体装置及其控制方法，通过准确监视温度来合适进行过热保护动作。在发射极端子侧从动作电流(ICE)分支出的第1检测电流、第2检测电流分别流过第1感应元件(21)、第2感应元件(22)，此时在该两端产生的电压分别被检测为输出电压(VS1、VS2)。第1感应元件(21)是在形成有IGBT(10)的开关元件芯片上的电阻元件。第2感应元件(22)是与开关元件芯片分开单独设置的电阻元件。通过一同使用(VS1)和(VS2)，可以一同计算出动作电流(ICE)和IGBT(10)的温度(T)。
-
公开(公告)号：CN112985628B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010759243.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: G01K7/01
Abstract: 本申请实施例提供一种温度监控电路以及方法，能够在实现条件内设定恰当的电压温度系数。温度监控电路1具有温度检测电路10，该温度检测电路10使用晶体管Q1、Q2的基极‑发射极间电压VBE，根据温度生成第1输出电压(Vout1)，该温度监控电路10具有：电压下降电路30，其将第1输出电压(Vout1)转换成第2输出电压(Vout3)，该第2输出电压(Vout3)是使用与晶体管Q1、Q2相同特性的电压下降用晶体管(Q3、Q4)的基极‑发射极间电压VBE，使第1输出电压(Vout1)的电压下降并且增加电压温度系数后得到的；以及放大器电路20a，其将第2输出电压(Vout3)转换成第3输出电压(Vout4)，该第3输出电压(Vout4)是使第2输出电压(Vout3)增大并且进一步增加电压温度系数后得到的。
-
公开(公告)号：CN104868891B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510084790.0
申请日：2015-02-16
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K17/08 , H03K17/567
Abstract: 本发明提供电平下降电路和高压侧短路保护电路，能够防止高压侧的浮动电位(HS)的变化引起的低压侧的信号检测电路的误检测。电平下降电路具有：第1串联电路(P型沟道MOSFET Q1、电阻R1)，其连接在高压侧的电源电压(VB)与公共电位(COM)之间，将在高压侧检测出的检测信号转换为以公共电位为基准的电压信号(VA)；基准电压生成电路(P型沟道MOSFET Q2、电阻R2)，其生成消除了浮动电位(HS)引起的电压信号(VA)的变动的基准电压(VREF)；以及比较器(COMP2)，其对由第1串联电路转换后的电压信号与由基准电压生成电路生成的基准电压进行比较，生成以公共电位(COM)为基准的检测信号。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112994667A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911272986.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 前川祐也
IPC: H03K17/04
Abstract: 本申请实施例提供一种功率设备的控制装置及方法。所述控制装置包括：输入电路，其根据输入信号产生设置脉冲信号或重置脉冲信号；其中，所述重置脉冲信号根据选择信号能够被设定为具有不同的脉冲宽度；电平转换电路，其根据所述设置脉冲信号产生导通信号，或根据所述重置脉冲信号产生截止信号；驱动电路，其根据所述导通信号或者所述截止信号，驱动所述高压侧功率设备；判别电路，其对重置脉冲信号的脉冲宽度进行判别；以及切换电路，其根据判别出的脉冲宽度对所述高压侧功率设备的至少两个栅极电阻进行选择。由此，不仅能够降低电路面积并抑制成本；而且选择信号的传递不容易被噪声干扰，能够提高控制的稳定性。
-
公开(公告)号：CN105448909A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510354138.6
申请日：2015-06-24
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H02M3/1588 , H03K17/0412 , Y02B70/1466
Abstract: 一种自举电路，该自举电路包括N沟道MOS晶体管和限流部件，该N沟道MOS晶体管包括：第一N型半导体层，该第一N型半导体层形成在P型半导体基板的一表面上并且电连接至一自举电容器；P型半导体层，该P型半导体层形成在所述第一N型半导体层的一表面上；第二N型半导体层，该第二N型半导体层形成在所述P型半导体层的一表面上；第一电极，该第一电极电连接至所述P型半导体层；第二电极，该第二电极电连接至所述第二N型半导体层；以及电源端子，该电源端子连接至所述第一电极和所述第二电极中的每一个，以向其提供电源电压，所述N沟道MOS晶体管向所述自举电容器供电，该限流部件连接在所述电源端子与所述第一电极之间。
-
公开(公告)号：CN104868891A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510084790.0
申请日：2015-02-16
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K17/08 , H03K17/567
Abstract: 本发明提供电平下降电路和高压侧短路保护电路，能够防止高压侧的浮动电位(HS)的变化引起的低压侧的信号检测电路的误检测。电平下降电路具有：第1串联电路(P型沟道MOSFET Q1、电阻R1)，其连接在高压侧的电源电压(VB)与公共电位(COM)之间，将在高压侧检测出的检测信号转换为以公共电位为基准的电压信号(VA)；基准电压生成电路(P型沟道MOSFET Q2、电阻R2)，其生成消除了浮动电位(HS)引起的电压信号(VA)的变动的基准电压(VREF)；以及比较器(COMP2)，其对由第1串联电路转换后的电压信号与由基准电压生成电路生成的基准电压进行比较，生成以公共电位(COM)为基准的检测信号。
-
公开(公告)号：CN215911611U
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202122372236.6
申请日：2021-09-29
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 前川祐也
Abstract: 本申请实施例提供一种导电端子和电气产品，该导电端子从基端起，向前端延伸，所述导电端子包括：基端部，其位于所述导电端子的基端一侧；限位部，其位于所述基端部的前端侧，沿横向延伸，所述横向与所述导电端子的从所述基端指向所述前端的延伸方向交叉；以及横向扩展部，其位于所述限位部的前端侧，其中，所述横向扩展部的横向尺寸大于所述基端部的横向尺寸，所述限位部的横向尺寸大于所述横向扩展部的横向尺寸。由此，在避免电路基板的通孔尺寸缩小的情况下，能够保证导电端子的限位部与相邻的金属焊盘图案之间具有尽可能大的间隙。
-
公开(公告)号：CN205566083U
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201620123197.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M1/08
Abstract: 本实用新型提供开关元件的驱动装置，能够防止开关元件的导通/截止动作产生的噪声所导致的误动作。该开关元件的驱动装置对具有控制端子、高压侧端子、以及低压侧端子的开关元件进行驱动，该驱动装置的特征在于，具有：信号输出端子，其与所述开关元件的所述控制端子相连接；第1基准端子，其与所述开关元件的所述低压侧端子相连接；第2基准端子，其与所述低压侧端子独立地设置；以及保护元件，其连接于所述第2基准端子与所述开关元件的所述低压侧端子之间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.017 seconds)
