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公开(公告)号：CN116599510A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210116403.7
申请日：2022-02-07
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 内藤裕也
IPC: H03K17/082
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置，所述半导体装置包括第一控制电路、第二控制电路、第一控制元件以及第二控制元件，通过将第一控制电路和第一控制元件之间的第一寄生元件的直流电流放大系数设为比第一控制电路和第二控制元件之间的第二寄生元件的直流电流放大系数小，从而在第二控制电路的供给电压发生变化时，能够抑制第一寄生元件的动作，防止第二控制电路持续输出高电平的第一控制信号，由此，在不会增大电路规模的同时防止负载持续流过大电流而损坏。
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公开(公告)号：CN112985628A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010759243.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: G01K7/01
Abstract: 本申请实施例提供一种温度监控电路以及方法，能够在实现条件内设定恰当的电压温度系数。温度监控电路1具有温度检测电路10，该温度检测电路10使用晶体管Q1、Q2的基极‑发射极间电压VBE，根据温度生成第1输出电压(Vout1)，该温度监控电路10具有：电压下降电路30，其将第1输出电压(Vout1)转换成第2输出电压(Vout3)，该第2输出电压(Vout3)是使用与晶体管Q1、Q2相同特性的电压下降用晶体管(Q3、Q4)的基极‑发射极间电压VBE，使第1输出电压(Vout1)的电压下降并且增加电压温度系数后得到的；以及放大器电路20a，其将第2输出电压(Vout3)转换成第3输出电压(Vout4)，该第3输出电压(Vout4)是使第2输出电压(Vout3)增大并且进一步增加电压温度系数后得到的。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN112985628B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010759243.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: G01K7/01
Abstract: 本申请实施例提供一种温度监控电路以及方法，能够在实现条件内设定恰当的电压温度系数。温度监控电路1具有温度检测电路10，该温度检测电路10使用晶体管Q1、Q2的基极‑发射极间电压VBE，根据温度生成第1输出电压(Vout1)，该温度监控电路10具有：电压下降电路30，其将第1输出电压(Vout1)转换成第2输出电压(Vout3)，该第2输出电压(Vout3)是使用与晶体管Q1、Q2相同特性的电压下降用晶体管(Q3、Q4)的基极‑发射极间电压VBE，使第1输出电压(Vout1)的电压下降并且增加电压温度系数后得到的；以及放大器电路20a，其将第2输出电压(Vout3)转换成第3输出电压(Vout4)，该第3输出电压(Vout4)是使第2输出电压(Vout3)增大并且进一步增加电压温度系数后得到的。
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公开(公告)号：CN204927276U
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201520723530.9
申请日：2015-09-17
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/485
Abstract: 提供一种半导体装置，能够更可靠地抑制导线接合工序中的可靠性降低。具有：半导体层，其形成有多个半导体元件；第1金属层，其与所述半导体层电连接；层间绝缘膜，其设置在所述第1金属层上；第2金属层，其设置在所述层间绝缘膜上；保护膜，其设置在所述第2金属层上并且具有开口；以及导电区域，其包含为了将所述第1金属层与所述第2金属层电连接而设置在所述保护膜内的多个导电层，所述导电区域具有：第1虚线环状部，其包围所述开口；以及第2虚线环状部，其包围所述开口和所述第1虚线环状部。
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