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公开(公告)号：CN109861513A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201711232512.0
申请日：2017-11-30
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种电源设备的控制装置及方法。所述控制装置包括：输入电路，高压电平移位电路，高压驱动电路以及过电流保护电路；其中，在所述过电流保护电路产生过电流保护信号的情况下，所述高压电平移位电路还向所述高压驱动电路输出第二高压关闭信号；所述第二高压关闭信号与第一高压关闭信号相比使高压侧电源设备在更长的时间内被关闭。由此，在进行过电流保护的情况下，在关闭高压侧电源设备时能够降低甚至消除负电位浪涌。
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公开(公告)号：CN109861513B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201711232512.0
申请日：2017-11-30
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种电源设备的控制装置及方法。所述控制装置包括：输入电路，高压电平移位电路，高压驱动电路以及过电流保护电路；其中，在所述过电流保护电路产生过电流保护信号的情况下，所述高压电平移位电路还向所述高压驱动电路输出第二高压关闭信号；所述第二高压关闭信号与第一高压关闭信号相比使高压侧电源设备在更长的时间内被关闭。由此，在进行过电流保护的情况下，在关闭高压侧电源设备时能够降低甚至消除负电位浪涌。
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公开(公告)号：CN105448909A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510354138.6
申请日：2015-06-24
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H02M3/1588 , H03K17/0412 , Y02B70/1466
Abstract: 一种自举电路，该自举电路包括N沟道MOS晶体管和限流部件，该N沟道MOS晶体管包括：第一N型半导体层，该第一N型半导体层形成在P型半导体基板的一表面上并且电连接至一自举电容器；P型半导体层，该P型半导体层形成在所述第一N型半导体层的一表面上；第二N型半导体层，该第二N型半导体层形成在所述P型半导体层的一表面上；第一电极，该第一电极电连接至所述P型半导体层；第二电极，该第二电极电连接至所述第二N型半导体层；以及电源端子，该电源端子连接至所述第一电极和所述第二电极中的每一个，以向其提供电源电压，所述N沟道MOS晶体管向所述自举电容器供电，该限流部件连接在所述电源端子与所述第一电极之间。
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公开(公告)号：CN104868891A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510084790.0
申请日：2015-02-16
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K17/08 , H03K17/567
Abstract: 本发明提供电平下降电路和高压侧短路保护电路，能够防止高压侧的浮动电位(HS)的变化引起的低压侧的信号检测电路的误检测。电平下降电路具有：第1串联电路(P型沟道MOSFET Q1、电阻R1)，其连接在高压侧的电源电压(VB)与公共电位(COM)之间，将在高压侧检测出的检测信号转换为以公共电位为基准的电压信号(VA)；基准电压生成电路(P型沟道MOSFET Q2、电阻R2)，其生成消除了浮动电位(HS)引起的电压信号(VA)的变动的基准电压(VREF)；以及比较器(COMP2)，其对由第1串联电路转换后的电压信号与由基准电压生成电路生成的基准电压进行比较，生成以公共电位(COM)为基准的检测信号。
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公开(公告)号：CN104852555B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410050275.6
申请日：2014-02-13
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 坂井邦崇
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明实施例提供一种开关驱动装置、电源供给装置以及方法。所述开关驱动装置包括：至少一个低压电路，接收输入指令信号并输出脉冲信号；至少一个高压电路，与所述至少一个低压电路连接，接收所述脉冲信号并生成控制所述开关元件的驱动信号；驱动电源，与所述至少一个低压电路连接；保护电路，与所述驱动电源连接，根据所述驱动电源的电压变化而输出保护信号；其中，所述保护信号在所述驱动电源的电压下降时使所述开关元件关闭。通过本发明实施例，可以抑制由于施加了电涌电压而导致的错误控制动作。
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公开(公告)号：CN104852555A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410050275.6
申请日：2014-02-13
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 坂井邦崇
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明实施例提供一种开关驱动装置、电源供给装置以及方法。所述开关驱动装置包括：至少一个低压电路，接收输入指令信号并输出脉冲信号；至少一个高压电路，与所述至少一个低压电路连接，接收所述脉冲信号并生成控制所述开关元件的驱动信号；驱动电源，与所述至少一个低压电路连接；保护电路，与所述驱动电源连接，根据所述驱动电源的电压变化而输出保护信号；其中，所述保护信号在所述驱动电源的电压下降时使所述开关元件关闭。通过本发明实施例，可以抑制由于施加了电涌电压而导致的错误控制动作。
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公开(公告)号：CN104868891B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510084790.0
申请日：2015-02-16
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H03K17/08 , H03K17/567
Abstract: 本发明提供电平下降电路和高压侧短路保护电路，能够防止高压侧的浮动电位(HS)的变化引起的低压侧的信号检测电路的误检测。电平下降电路具有：第1串联电路(P型沟道MOSFET Q1、电阻R1)，其连接在高压侧的电源电压(VB)与公共电位(COM)之间，将在高压侧检测出的检测信号转换为以公共电位为基准的电压信号(VA)；基准电压生成电路(P型沟道MOSFET Q2、电阻R2)，其生成消除了浮动电位(HS)引起的电压信号(VA)的变动的基准电压(VREF)；以及比较器(COMP2)，其对由第1串联电路转换后的电压信号与由基准电压生成电路生成的基准电压进行比较，生成以公共电位(COM)为基准的检测信号。
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公开(公告)号：CN205566083U
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201620123197.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M1/08
Abstract: 本实用新型提供开关元件的驱动装置，能够防止开关元件的导通/截止动作产生的噪声所导致的误动作。该开关元件的驱动装置对具有控制端子、高压侧端子、以及低压侧端子的开关元件进行驱动，该驱动装置的特征在于，具有：信号输出端子，其与所述开关元件的所述控制端子相连接；第1基准端子，其与所述开关元件的所述低压侧端子相连接；第2基准端子，其与所述低压侧端子独立地设置；以及保护元件，其连接于所述第2基准端子与所述开关元件的所述低压侧端子之间。
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