公开(公告)号：CN102165693A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138267.4

申请日：2009-09-16

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 筱田祥宏 ,  原雅人

IPC: H03K17/08 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7806 ,  H02H11/002 ,  H02J7/0034 ,  H03K17/0822

Abstract: 开关装置(10)具有内置了阻止反向电流的肖特基势垒二极管D3的主IGFET(11)、保护开关单元(12)以及保护开关控制单元(13)。保护开关单元(12)连接在主IGFET(11)的漏电极D和栅电极G之间。保护开关控制单元(13)在对主IGFET(11)施加了反向电压时接通保护开关单元(12)。由此，从反向电压来保护主IGFET(11)。

公开(公告)号：CN102165693B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980138267.4

申请日：2009-09-16

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 筱田祥宏 ,  原雅人

IPC: H03K17/08 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7806 ,  H02H11/002 ,  H02J7/0034 ,  H03K17/0822

Abstract: 开关装置(10)具有内置了阻止反向电流的肖特基势垒二极管D3的主IGFET(11)、保护开关单元(12)以及保护开关控制单元(13)。保护开关单元(12)连接在主IGFET(11)的漏电极D和栅电极G之间。保护开关控制单元(13)在对主IGFET(11)施加了反向电压时接通保护开关单元(12)。由此，从反向电压来保护主IGFET(11)。

公开(公告)号：CN102171916B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201080002781.8

申请日：2010-03-24

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 筱田祥宏 ,  佐藤清胜 ,  川口广明

IPC: H02M3/00

CPC classification number: H02M3/156 ,  H02M2003/1555

Abstract: 开关装置，其具有：输出直流电压的直流电压输出单元；用于向负载提供所述直流电压的开关元件；检测从所述开关元件对所述负载提供的电力的电力检测单元；根据所述电力检测单元的输出对所述开关元件进行PWM控制的驱动单元；以及在所述直流电压的值小于第一阈值时停止所述PWM控制的停止单元，该开关装置的特征在于所述第一阈值小于所述电力检测单元的最低工作电压值。

公开(公告)号：CN102171916A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201080002781.8

申请日：2010-03-24

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 筱田祥宏 ,  佐藤清胜 ,  川口广明

IPC: H02M3/00

CPC classification number: H02M3/156 ,  H02M2003/1555

Abstract: 开关装置，其具有：输出直流电压的直流电压输出单元；用于向负载提供所述直流电压的开关元件；检测从所述开关元件对所述负载提供的电力的电力检测单元；根据所述电力检测单元的输出对所述开关元件进行PWM控制的驱动单元；以及在所述直流电压的值小于第一阈值时停止所述PWM控制的停止单元，该开关装置的特征在于所述第一阈值小于所述电力检测单元的最低工作电压值。