公开(公告)号：CN101207154A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710302246.4

申请日：2007-12-20

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 戴嵩山 ,  胡永中 ,  弗兰茨娃·赫尔伯特 ,  常虹 ,  潘梦瑜 ,  楼颖颖 ,  王宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明公开一种制造带有分隔栅并填充在半导体衬底上开口的沟道的沟道型半导体功率器件的方法，其中分隔栅由顶底栅节段之间设置的多晶硅层间绝缘层分离。该方法进一步包括在HDP氧化淀积工艺后通过应用RTP工艺形成多晶硅层间层以使HDP氧化层的刻蚀速率接近热氧化的刻蚀速率的步骤。