公开(公告)号：CN102112658A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980128427.7

申请日：2009-05-20

Applicant: 阿斯莫国际公司

Inventor： 恩斯特·H·A·格兰内曼 ,  塞巴斯蒂安·E·范诺藤

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/458 ,  C23C16/54 ,  C30B25/14 ,  C30B29/20 ,  C30B35/005 ,  H01L21/67784

Abstract: 一种以连续方式沉积膜的原子层沉积设备。本设备包括沿运输方向延伸并且至少由第一和第二壁限定的加工隧道。这些壁相互平行并且允许平的衬底容纳在它们之间。本设备进一步包括运输系统，以使一排衬底或带子形状的连续衬底移动而通过隧道。至少加工隧道的第一壁设置有多个气体注入通道，在运输方向上观看，这多个气体注入通道分别相继连接到第一前驱气体源、净化气体源、第二前驱气体源和净化气体源，从而形成这样的隧道区段，在使用中该隧道区段包括分别装有第一前驱气体、净化气体、第二前驱气体和净化气体的连续区域。

公开(公告)号：CN102254987B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201110132496.4

申请日：2011-05-20

Applicant: 阿斯莫国际公司

Inventor： 迪特尔·皮埃雷克斯

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。一种有效少数电荷载流子寿命(τeff)至少为500μs的太阳能电池的制造方法，所述方法包括：提供半导体晶片；以及通过顺次且交替地：(i)暴露所述晶片的表面至第一前体，以形成所述第一前体对所述表面的覆盖，以及(ii)暴露所述表面至第二前体，以形成所述第二前体对所述表面的覆盖，以通过在所述表面上ALD沉积金属氧化物层来钝化所述表面，其中，步骤(i)和(ii)中的至少一个在所述表面的覆盖达到饱和水平之前被停止。

公开(公告)号：CN102956529A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110280003.1

申请日：2011-08-22

Applicant: 阿斯莫国际公司

Inventor： C·G·M·德里德 ,  E·哈尔托赫登-贝斯林克 ,  A·加尔森

IPC: H01L21/673

Abstract: 晶舟封装(1)包含一个支架(10)，后者带有多根垂直延伸的杆件(12)，该杆件沿着其长度在多个位置被隔开，限定了多个副载体安装位置(16)；同时，支架中还带有至少一块碎屑收集板(20)，其中一块还连接在上述杆件(12)上，位于任意两个相邻的副载体安装位置(16)之间。该封装还包含多个副载体(30)，每个被配置以保持多个基本竖直定向的、水平隔开的平面基底(40)，且每个都以可拆卸方式安装在支架(10)的副载体安装位置(16)上。当副载体(30)安装在支架(10)内时，每块碎屑收集板(20)都占据了一处碎屑收集区(22)，后者延伸到了相应副载体安装位置(16)所安装的副载体(30)下方，跨越的面积至少达一处副载体所占的区域面积。

公开(公告)号：CN102956529B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201110280003.1

申请日：2011-08-22

Applicant: 阿斯莫国际公司

Inventor： C·G·M·德里德 ,  E·哈尔托赫登-贝斯林克 ,  A·加尔森

IPC: H01L21/673

Abstract: 晶舟封装(1)包含一个支架(10)，后者带有多根垂直延伸的杆件(12)，该杆件沿着其长度在多个位置被隔开，限定了多个副载体安装位置(16)；同时，支架中还带有至少一块碎屑收集板(20)，其中一块还连接在上述杆件(12)上，位于任意两个相邻的副载体安装位置(16)之间。该封装还包含多个副载体(30)，每个被配置以保持多个基本竖直定向的、水平隔开的平面基底(40)，且每个都以可拆卸方式安装在支架(10)的副载体安装位置(16)上。当副载体(30)安装在支架(10)内时，每块碎屑收集板(20)都占据了一处碎屑收集区(22)，后者延伸到了相应副载体安装位置(16)所安装的副载体(30)下方，跨越的面积至少达一处副载体所占的区域面积。

公开(公告)号：CN102280521A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110159590.9

申请日：2011-06-14

Applicant: 阿斯莫国际公司

Inventor： 克里斯·G·M·德里德 ,  克拉斯·P·布恩斯特拉 ,  阿德里安·加森 ,  弗兰克·胡森

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/673

CPC classification number: H01L21/67303 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4587 ,  F27B17/0025 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67757 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种处理太阳能电池的方法，包括：提供一竖炉，用于收纳相互隔开的集成电路处理用的圆形半导体晶片的阵列；为太阳能电池基片构建一处理室装载结构，其中太阳能电池基片沿着待处理的第一表面延伸的尺寸小于圆形半导体晶片的相应尺寸，使得处理室中能容纳相互间隔开的太阳能电池基片的多个阵列；将太阳能电池基片装载入该处理室中；在处理室中处理太阳能电池基片。

公开(公告)号：CN1157761C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN00807203.5

申请日：2000-05-08

Applicant: 阿斯莫国际公司

Inventor： 弗拉迪米尔·伊万诺维奇·库兹涅佐夫 ,  特奥多鲁斯·杰拉尔达斯·玛利亚·奥斯特里肯 ,  克里斯蒂安纳斯·杰拉尔达斯·玛利亚·里德 ,  恩斯特·亨德克·奥古斯特·格兰内曼

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种方法和一种装置，利用该方法和装置，使晶片在漂浮晶片反应器中被一个环圈所包围。该环圈特别是在进入和取出时用于限制晶片上的温度变化。另外，这种环圈能在处理过程中用来将晶片定位在水平面。晶片在处理过程中不与环圈接触。该环圈可选择地设有加热装置。

公开(公告)号：CN102280521B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201110159590.9

申请日：2011-06-14

Applicant: 阿斯莫国际公司

Inventor： 克里斯·G·M·德里德 ,  克拉斯·P·布恩斯特拉 ,  阿德里安·加森 ,  弗兰克·胡森

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/673

CPC classification number: H01L21/67303 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4587 ,  F27B17/0025 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67757 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种处理太阳能电池的方法，包括：提供一竖炉，用于收纳相互隔开的集成电路处理用的圆形半导体晶片的阵列；为太阳能电池基片构建一处理室装载结构，其中太阳能电池基片沿着待处理的第一表面延伸的尺寸小于圆形半导体晶片的相应尺寸，使得处理室中能容纳相互间隔开的太阳能电池基片的多个阵列；将太阳能电池基片装载入该处理室中；在处理室中处理太阳能电池基片。

公开(公告)号：CN102112659B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200980128428.1

申请日：2009-05-20

Applicant: 阿斯莫国际公司

Inventor： 恩斯特·H·A·格兰内曼 ,  赫伯特·特霍斯特

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/458 ,  C23C16/54 ,  C30B25/14 ,  C30B29/20 ,  C30B35/005 ,  H01L21/67784

Abstract: 一种用于以连续方式沉积膜的原子层沉积设备。本设备包括向下倾斜的加工隧道，其在运输方向上延伸并且由至少两个隧道壁限定。这两个壁都具有多个气体注入通道，由此在运输方向上观看，至少一个壁中的气体注入通道分别相继连接到第一前体气体源、净化气体源、第二前体气体源和净化气体源，以形成这样的隧道区段，在使用中该隧道区段包括分别装有第一前体气体、净化气体、第二前体气体和净化气体的连续区域。加工隧道的向下坡度使得重力能够将受到浮动支撑的衬底驱动通过连续区段，导致膜原子层沉积到衬底上。

公开(公告)号：CN102254987A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110132496.4

申请日：2011-05-20

Applicant: 阿斯莫国际公司

Inventor： 迪特尔·皮埃雷克斯

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。一种有效少数电荷载流子寿命(τeff)至少为500μs的太阳能电池的制造方法，所述方法包括：提供半导体晶片；以及通过顺次且交替地：(i)暴露所述晶片的表面至第一前体，以形成所述第一前体对所述表面的覆盖，以及(ii)暴露所述表面至第二前体，以形成所述第二前体对所述表面的覆盖，以通过在所述表面上ALD沉积金属氧化物层来钝化所述表面，其中，步骤(i)和(ii)中的至少一个在所述表面的覆盖达到饱和水平之前被停止。

公开(公告)号：CN102112659A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980128428.1

申请日：2009-05-20

Applicant: 阿斯莫国际公司

Inventor： 恩斯特·H·A·格兰内曼 ,  赫伯特·特霍斯特

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/458 ,  C23C16/54 ,  C30B25/14 ,  C30B29/20 ,  C30B35/005 ,  H01L21/67784

Abstract: 一种用于以连续方式沉积膜的原子层沉积设备。本设备包括向下倾斜的加工隧道，其在运输方向上延伸并且由至少两个隧道壁限定。这两个壁都具有多个气体注入通道，由此在运输方向上观看，至少一个壁中的气体注入通道分别相继连接到第一前体气体源、净化气体源、第二前体气体源和净化气体源，以形成这样的隧道区段，在使用中该隧道区段包括分别装有第一前体气体、净化气体、第二前体气体和净化气体的连续区域。加工隧道的向下坡度使得重力能够将受到浮动支撑的衬底驱动通过连续区段，导致膜原子层沉积到衬底上。