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公开(公告)号：CN118157632B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202311779570.0
申请日：2023-12-21
申请人： 芯合电子(上海)有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种时钟信号产生电路及时钟信号产生方法，所述电路包括电流产生电路、电压调节电路、振荡器和开关控制电路；所述电压调节电路包括积分器、第一开关、第二开关、第三开关和电容；通过所述振荡器第二输出端输出时钟信号；所述开关控制电路分别与所述第一开关、第二开关和第三开关连接，通过所述开关控制电路控制所述第一开关、第二开关和第三开关的导通或者关断，以便将通过电流产生电路产生的电流向电容充电后，通过电容为积分器放电后使所述积分器的第一输入端的输入电压与所述所述积分器的第二输入端的参考电压相等；本申请利用积分器通过开关控制电路环路调制实现振荡电路的频率输出，同时通过电容的充放电实现对积分器输入电压的钳位，通过第一分频电路和第二分频电路调节振荡电路的输出频率。
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公开(公告)号：CN118159125A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410296574.1
申请日：2024-03-15
申请人： 芯合电子(上海)有限公司
发明人： 马祖潮
IPC分类号： H10N97/00
摘要： 本申请实施例提供了一种金属‑绝缘体‑金属电容器制备工艺及电容器，本申请通过在所述第二金属层远离第二绝缘层的表面从下到上依次形成多层第三金属层以达到预设金属层厚度，这样可以使电容器底板可以保持电容器良好的电迁移性能，采用沉积‑冷却‑沉积‑冷却‑沉积的方法控制第二金属层和第三金属层晶粒团聚和金属表面粗糙度，且采用具有导电性能的平滑层使最上层第三金属层表面粗糙度平面化，采用适当的沉积温度，这将减少大量额外的工艺步骤和制造成本。
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公开(公告)号：CN118157658A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311866866.6
申请日：2023-12-29
申请人： 芯合电子(上海)有限公司
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/20 , H03K19/003
摘要： 本申请实施例提供了一种通信接口电路，包括电平检测电路、反相电路和差分比较电路；通过所述电平检测电路检测所述信号输入电路输入电平的高低，将所述电平检测电路的输出信号输出至反相电路，进而将经所述第一反相放大器和第三反相电路进行放大后，输入至所述差分比较电路转换成输出信号，进而通过第二反相电路输出。通过本申请实施例具有抗噪音能力。
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公开(公告)号：CN116110878A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211513994.8
申请日：2022-11-29
申请人： 芯合电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/525 , H10B20/00 , H10B99/00
摘要： 本申请实施例提供了一种efuse结构及其制备工艺，因为硅有良好的导热系数，所以通过在熔丝底部生长成大尺寸多晶硅作为电流通过熔丝的散热板，抑制热熔断产生，同时通过部分多晶硅进行硅化，另一部分多晶硅通过第三氧化硅层进行遮盖以避免在有第三氧化硅层进行生长熔丝，通过电迁移控制管提供合适电压，以达到合适电流产生电迁移烧断模式的efuse结构。
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公开(公告)号：CN113451398A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010212687.0
申请日：2020-03-24
申请人： 芯合电子(上海)有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种IGBT器件，在IGBT器件背面的过渡区及终端区的缓冲层与集电极之间增加一层二氧化硅层，二氧化硅层与硅接触面存在界面态，从而降低了空穴寿命，二氧化硅层还具有吸硼排磷的特性，进而降低了IGBT芯片过渡区和终端区背面集电极的掺杂浓度，进而降低了IGBT芯片过渡区和终端区背面P型集电极的发射效率，提高IGBT芯片的可靠性。本发明的二氧化硅层通过在背面进行氧离子注入，再借助正面工艺的高温过程，使氧离子注入层转换为二氧化硅层，工艺简单易于实施。
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公开(公告)号：CN116131571B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202211531404.4
申请日：2022-12-01
申请人： 芯合电子(上海)有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种加快DC‑DC变换调压速度的方法及系统，通过谐波产生器生成周期性三角波信号vsaw，由误差放大器集成反馈网络和补偿网络生成正占空比调节电压信号veao，然后通过调制解调器结合正占空比调节电压信号veao和周期性三角波信号vsaw生成调制方波信号pwm，由功率级调压器利用调制方波信号pwm对输入电压信号vin实现调压。本发明实施例基于传统的DC‑DC电源变换器，在保证带宽足够情况下，从调整静态工作点的角度来实现快速调压，这样既保证了不损失性能，又使得调压速度有较为明显的提升。
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公开(公告)号：CN118152319A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311070308.9
申请日：2023-08-23
申请人： 芯合电子(上海)有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种SPI隔离芯片数字信号时序控制方法及SPI隔离芯片，通过判断输入的第一数字信号和第二数字信号是否有效；及通过比较所述第一数字信号和第二数字信号相互采样结果确定接收到的差分信号是否具有预设逻辑电平，以确定收入的差分信号的有效性，进而可以实现稳定可靠的数据传输，成本低，极大的减少了传输通路出错锁死的概率，另外，可以使从电路结构上大量减少锁相环，高频同步时钟数据恢复电路的使用，简化控制逻辑，从而减小电路面积，降低成本。
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公开(公告)号：CN118151712A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311641326.8
申请日：2023-12-02
申请人： 芯合电子(上海)有限公司
发明人： 张洪凯
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本申请实施例提供的一种带高低温补偿校正的带隙基准校正电路及方法，所述电路包括：第一电流产生校正电路，用于校正产生与绝对温度成反比的第一电流得到第一校正电流；第二电流产生校正电路，用于校正产生与绝对温度成正比的第二电流得到第二校正电流；电流补偿电路，分别与所述第一电流产生校正电路和第二电流产生校正电路连接，当当前温度小于低温补偿点温度时，则用于对第一校正电流和第二校正电流进行补偿得到第一补偿电流；当当前温度大于高温补偿点温度时，则用于对所述第一校正电流和第二校正电流进行补偿得到第二补偿电流，对所述第一补偿电流和第二补偿电流进行叠加得到最终补偿电流；第一电阻，与所述电流补偿电路连接，用于将所述最终补偿电流转换为补偿电压；带隙基准校正电路根据所述最终补偿电压调整带隙基准电压。本申请提高了低温漂高精度带隙基准的量产良率。
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