公开(公告)号：CN116110878B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202211513994.8

申请日：2022-11-29

申请人： 芯合电子(上海)有限公司

发明人： 宋慧芳 ,  王刚宁 ,  刘沙沙

IPC分类号： H01L23/525 ,  H10B20/00 ,  H10B99/00

摘要： 本申请实施例提供了一种一次性可编程存储器结构及其制备工艺，因为硅有良好的导热系数，所以通过在熔丝底部生长成大尺寸多晶硅作为电流通过熔丝的散热板，抑制热熔断产生，同时通过部分多晶硅进行硅化，另一部分多晶硅通过第三氧化硅层进行遮盖以避免在有第三氧化硅层进行生长熔丝，通过电迁移控制管提供合适电压，以达到合适电流产生电迁移烧断模式的一次性可编程存储器结构。

公开(公告)号：CN116110878A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211513994.8

申请日：2022-11-29

申请人： 芯合电子(上海)有限公司

发明人： 宋慧芳 ,  王刚宁 ,  刘沙沙

IPC分类号： H01L23/525 ,  H10B20/00 ,  H10B99/00

摘要： 本申请实施例提供了一种efuse结构及其制备工艺，因为硅有良好的导热系数，所以通过在熔丝底部生长成大尺寸多晶硅作为电流通过熔丝的散热板，抑制热熔断产生，同时通过部分多晶硅进行硅化，另一部分多晶硅通过第三氧化硅层进行遮盖以避免在有第三氧化硅层进行生长熔丝，通过电迁移控制管提供合适电压，以达到合适电流产生电迁移烧断模式的efuse结构。