本申请实施例提供了一种金属‑绝缘体‑金属电容器制备工艺及电容器，本申请通过在所述第二金属层远离第二绝缘层的表面从下到上依次形成多层第三金属层以达到预设金属层厚度，这样可以使电容器底板可以保持电容器良好的电迁移性能，采用沉积‑冷却‑沉积‑冷却‑沉积的方法控制第二金属层和第三金属层晶粒团聚和金属表面粗糙度，且采用具有导电性能的平滑层使最上层第三金属层表面粗糙度平面化，采用适当的沉积温度，这将减少大量额外的工艺步骤和制造成本。