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公开(公告)号：CN118860029A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411336830.1
申请日：2024-09-25
申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司
摘要： 本申请提供一种等离子体处理设备，涉及半导体设备技术领域，用于解决介电窗向设备本体漏热的技术问题，该等离子体处理设备包括设备本体，具有反应腔，设备本体的顶部具有与反应腔连通的开口；介电窗支撑件控温装置，被配置为向介电窗提供高温气流，以使介电窗达到预设温度；支撑件介电窗，设置于设备本体上并封盖开口；支撑件控温装置，包括支撑件和加热件，支撑件设置于设备本体和介电窗之间，加热件设置于支撑件上，且支撑件和加热件沿设备本体的周向延伸。本申请用于解决介电窗向设备本体漏热的技术问题，提高介电窗的运行可靠性的同时，保证设备本体的安全可靠性。
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公开(公告)号：CN118731421A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411219115.X
申请日：2024-09-02
申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司
摘要： 本申请提供一种换针装置及显微镜。显微镜包括换针装置、压电扫描器以及探针；换针装置包括外壳、磁流体、磁性件以及气路系统；磁流体安装于外壳，磁流体与外壳围出容置空间；磁性件活动设置在容置空间内，磁性件将容置空间分隔为第一空间和第二空间，相对第二空间，第一空间靠近磁流体；显微镜具有第一状态和第二状态；显微镜处于第一状态时，探针位于换针装置上，显微镜处于第二状态时，探针位于压电扫描器上；气路系统用于改变第一空间与第二空间之间的气压差，使得显微镜在第一状态和第二状态之间切换。显微镜通过换针装置能够实现高效的取针和放针，且显微镜的结构较简单。
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公开(公告)号：CN118431065B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410877271.9
申请日：2024-07-02
申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司
发明人： 杨金全
摘要： 本申请涉及等离子刻蚀技术领域，尤其涉及到一种气体分配装置及电容耦合等离子体刻蚀设备。气体分配装置中的气体流量比例分配器具有m个气体分配区，气体分配区可接入工艺气体；管路组件的第一端与m个气体分配区连通，管路组件的第二端与气体喷淋头组件连通；气体喷淋头组件包括n组进气口，气体喷淋头组件通过n组进气口均与管路组件的第二端连通，气体喷淋头组件可对工艺气体进行均气，形成n个出气区，n个出气区以气体喷淋头组件的中心向其边缘扩散，m大于等于2，n个大于m；m个气体分配区中的至少一个气体分配区中的工艺气体从n个出气区中的至少两个出气区中流出。本申请中的气体分配装置可通过调节管组件，满足不同的工艺需要。
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公开(公告)号：CN118631095A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410645953.7
申请日：2024-05-22
申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司
IPC分类号： H02N15/00 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/68 , H02K7/09 , H02K5/26 , H02K11/20 , H02K11/21
摘要： 本申请提供一种可升降磁悬浮装置及热处理设备，磁悬浮装置包括腔室、磁悬浮定子、磁悬浮转子、升降装置和多个传感器，腔室用于容纳磁悬浮转子，磁悬浮定子环绕于腔室外周。其中，至少一个传感器与磁悬浮定子相对固定，至少一个传感器用于检测磁悬浮转子的位移，磁悬浮定子与升降装置连接，升降装置用于驱动磁悬浮定子和至少一个传感器沿磁悬浮装置轴向移动。通过将至少一个传感器与磁悬浮定子相对固定，至少一个传感器随着磁悬浮定子移动，提升传感器对磁悬浮转子检测精度，升降装置使得磁悬浮转子可实现沿磁悬浮装置轴向的大幅度升降，有利于实现尖峰退火过程中杂质活化程度最大化和杂质扩散程度最小化，还可减小热预算。
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公开(公告)号：CN118624945A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410700626.7
申请日：2024-05-30
申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司
发明人： 汪文廷
摘要： 本公开实施例提供一种探针检测方法、结构、装置及电子设备，该方法包括：在待检测对象的检测过程中，响应于探针的扫描距离满足预设条件，根据第一预设指令控制探针移动至预设样本所在位置；预设样本用于构建探针的针尖形貌；根据第二预设指令控制探针扫描预设样本；获取探针扫描预设样本产生的用于构建针尖形貌的预设信息，基于预设信息构建针尖形貌；响应于根据针尖形貌确定需要更换探针，输出更换探针提示信息；响应于根据针尖形貌确定不需要更换探针，控制探针返回待检测对象所在位置，继续检测待检测对象。更准确地控制探针更换的时机，改善了使用磨损的探针造成的扫描结果失真的问题。
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公开(公告)号：CN118571799A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410927894.2
申请日：2024-07-11
申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种具有升降结构的工艺处理设备，涉及半导体工艺处理技术领域，该工艺处理设备包括框架结构、升降结构以及工艺腔室。升降结构包括驱动组件和移动框架，驱动组件安装于框架结构。驱动组件传动连接移动框架以驱动移动框架沿设定方向往复移动，设定方向平行于框架结构的高度方向。工艺腔室包括腔体和腔盖，腔体具有反应腔，且腔体的顶部设置有与反应腔连通的开口，腔盖用于盖合于腔体的顶部并密封开口；腔体固定于框架结构，腔盖可拆卸地安装于移动框架。该工艺处理设备能够通过两种运动状态实现对腔盖表面的器件维护和腔体的内部空间维护的模式切换，从而减少工作人员的工作量，可以提高维护工作的便利性和效率。
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公开(公告)号：CN118431120B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410837973.4
申请日：2024-06-26
申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请涉及工艺处理技术领域，特别涉及一种热处理模块、工艺处理设备及半导体装置。该热处理模块包括壳体组件和辐射组件；壳体组件包括外壳以及安装架；外壳具有进风结构和出风结构；安装架设置于进风结构和出风结构之间并将气流空间分为进风空间和出风空间，安装架与腔盖之间形成风冷空间；辐射组件用于向工艺腔室辐射光线；安装架设置有第一送风结构、第二送风结构和排风通道，第一送风结构用于将进风空间的气流导向腔盖，第二送风结构用于将进风空间的气流导向辐射组件，排风通道用于将风冷空间的气流导向出风空间。该热处理模块能够对风冷散热的风道和路径进行更合理更均匀的布局，提高散热的均匀性，有利于提升工艺处理效果。
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公开(公告)号：CN118501192A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410600686.1
申请日：2024-05-11
申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司
IPC分类号： G01N23/20008 , G01N23/207
摘要： 一种X射线衍射装置和控制方法，涉及成像装置技术领域，X射线衍射装置包括X射线源、试样台、X射线探测器和一维弯晶，X射线源用于产生第一X射线，试样台用于放置待测材料，X射线探测器用于探测待测材料产生的待测衍射X射线，一维弯晶具有衍射面，衍射面为曲面，曲面在X射线源至X射线探测器的方向上弯曲，衍射面用于发生衍射并会聚第二X射线至试样台，以在试样台上形成光斑，一维弯晶用于使第二X射线在多个角度同时入射到待测材料。本申请通过使X射线衍射装置满足上述结构，有利于使得在单位测量时间内，待测材料的多个衍射面同时发生衍射，节省了X射线衍射装置对单个待测材料进行测试的测量时间，提升了X射线衍射装置的测试速度。
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公开(公告)号：CN118053913A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410011060.7
申请日：2024-01-03
申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本申请提供一种薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。薄膜晶体管包括设置在基底上的源极、漏极、栅极、沟道层和栅介质层。沿基底的厚度方向，源极和漏极位于栅介质层的一侧，栅极位于栅介质层的另一侧，并且栅介质层位于沟道层和栅极之间。其中，沟道层的至少部分位于源极和漏极之间，沟道层与源极和漏极相连。沟道层为金属氧化物掺杂氟离子或等离子体形成具有降低O空位缺陷、降低陷阱态的阻氢膜层。本申请的薄膜晶体管可以解决器件中缺陷、氢扩散等影响薄膜晶体管的偏压稳定性的问题。
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公开(公告)号：CN117810089A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311855086.1
申请日：2023-12-28
申请人： 深圳市新凯来工业机器有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域，解决偏压稳定性差的技术问题。该薄膜晶体管的制备方法包括：形成沟道层，沟道层的材质为过渡金属氧化物；利用含硫和氟的气体或等离子体对沟道层进行处理，以降低沟道层的氧空位和陷阱态。利用硫和氟与沟道层中的氧空位结合，两种元素均可以抑制氧空位，抑制效果更明显。同时，硫和氟均可以钝化沟道层表面的悬挂键等陷阱态，修复沟道层的缺陷，两种元素均可以钝化沟道层，钝化效果更明显，以有效减少氧空位和陷阱态，从而可以抵抗环境中氢的影响，避免氢在沟道层中扩散，提高偏压稳定性，尤其是高温偏压稳定性。
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