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公开(公告)号：CN107815725B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201711313437.0
申请日：2017-12-11
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： C30B7/10
摘要： 本发明公开了一种具有交变温场的水热结晶装置及使用该装置生长晶体的方法。所述的水热结晶装置包括水热高压釜和，其中，水热高压釜包括釜体，釜体的内腔分为三个部分，由下至上依次分别为第一原料溶解区、恒温生长区和第二原料溶解区；将水热高压釜置于三段式电阻炉中加热时，釜体内腔中各区域的温度均由三段式电阻炉进行控制，其中第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度存在一定温差，恒温生长区的温度介于第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度之间；设置两个原料溶解区温度转换的交变周期，当达到该交变周期所示时间时，相互调换两个原料溶解区的温度。采用本发明所述装置和方法可有效提高晶体的水热成核几率和生长速度。
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公开(公告)号：CN115896917A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211313315.2
申请日：2022-10-25
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 山东省科学院新材料研究所
摘要： 本发明公开了一种制备毫米级纯立方相KTN单晶体的方法，步骤为取KTN原料置于黄金衬套管的底部，然后加入矿化剂溶液；将黄金衬套管密封后置于高压釜的釜体中；在黄金衬套管和釜体的夹层中加入水，将高压釜密封，再将密封后的高压釜置于电阻炉中进行恒温恒压处理；将电阻炉匀速降温，温度降至100℃后再迅速降温至室温，制得毫米级立方相KTN单晶体。本发明制备的毫米级的纯立方相KTN单晶体能够有效提高制备产品的通光质量，还可以降低晶体内部应力，提高晶体的抗光伤性能。本发明制备的晶体热应力小、缺陷少、均匀性和纯度高。
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公开(公告)号：CN113122908A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110308671.4
申请日：2021-03-23
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种复合YAG晶体的制备方法，属于复合晶体生长技术领域。其包括如下步骤：将纯YAG晶体定向、切割和抛光，制成籽晶后，悬挂于籽晶架上；将水热反应物置于黄金衬套管的底部，再放入矿化剂溶液，然后将籽晶架置于黄金衬套管的顶部，密封后置于高压釜的釜体中；在黄金衬套管和釜体的夹层中加入水，将高压釜密封，再将密封后的高压釜置于电阻炉中，程序升温，经过10d‑15d的生长，再程序降温，打开高压釜，取出黄金衬套管，即得到复合YAG晶体。本发明可以在10d‑15d生长出无明显杂质缺陷、高质量、大尺寸的复合YAG晶体。
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公开(公告)号：CN108796600B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810763846.9
申请日：2018-07-12
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法，具体为：取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结，得到陶瓷块，所得陶瓷块置于高压釜中，以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂，采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度，能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。
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公开(公告)号：CN108796600A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810763846.9
申请日：2018-07-12
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法，具体为：取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结，得到陶瓷块，所得陶瓷块置于高压釜中，以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂，采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度，能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。
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公开(公告)号：CN107815725A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711313437.0
申请日：2017-12-11
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： C30B7/10
CPC分类号： C30B7/10
摘要： 本发明公开了一种具有交变温场的水热结晶装置及使用该装置生长晶体的方法。所述的水热结晶装置包括水热高压釜和，其中，水热高压釜包括釜体，釜体的内腔分为三个部分，由下至上依次分别为第一原料溶解区、恒温生长区和第二原料溶解区；将水热高压釜置于三段式电阻炉中加热时，釜体内腔中各区域的温度均由三段式电阻炉进行控制，其中第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度存在一定温差，恒温生长区的温度介于第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度之间；设置两个原料溶解区温度转换的交变周期，当达到该交变周期所示时间时，相互调换两个原料溶解区的温度。采用本发明所述装置和方法可有效提高晶体的水热成核几率和生长速度。
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公开(公告)号：CN104178814B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410431441.7
申请日：2014-08-28
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸钛氧铷体单晶的方法，具体是在高压釜中，以铷离子浓度为0.5～5.5mol/L的RbxH(3‑x)PO4(1≤x≤3)溶液作为矿化剂，采用温差水热法使磷酸钛氧铷溶解并重结晶生长单晶体的方法。与现有的水热法相比，本发明所述方法可以在较低的温度和压力下快速、安全地生长出大尺寸、结晶完整且高光学质量的磷酸钛氧铷体单晶，所得晶体可用于电光器件；工艺更为简单易控，成本更低；与现有的熔盐法相比，生长温度低，系统粘度低，环境密闭，不易引入杂质，并可以获得晶体电光系数最大的Y向器件，且成品率高。
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公开(公告)号：CN106526653A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611177189.7
申请日：2016-12-19
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： G01T1/202
CPC分类号： G01T1/2023
摘要： 本发明公开一种闪烁探测器，由金属腔体、金属过滤层、ZnO:Sc单晶片、耐温玻璃窗口、光纤面板、UVT导光管、光电倍增管和分压器组成；金属腔体为自探测的前端向后端贯通的中空腔体，金属过滤层、ZnO:Sc单晶片、耐温玻璃窗口、光纤面板、UVT导光管、电倍增管和分压器紧固在金属腔体内，并在金属腔体内自探测的前端向后端依次排列；金属过滤层外接地线；光电倍增管的阴极连接UVT导光管，阳极与分压器相连。本发明具有高密度、超快衰减和高光输出的特点。
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公开(公告)号：CN106149045A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610728964.7
申请日：2016-08-25
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
IPC分类号： C30B7/10
摘要： 本发明公开了一种用于热液法晶体生长的球形高压反应釜，包括釜体，所述的釜体为实心球体，在釜体上由釜体表面向釜体内部纵向开设有一腔室以形成釜体的釜腔，釜腔内存在溶解区和结晶区。采用该高压反应釜进行热液人工生长晶体，可以实现稳定的双温区温场，减缓釜腔内溶液对流，避免籽晶溶蚀，促使晶体快速、稳定地生长。
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公开(公告)号：CN118915365A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410964422.4
申请日：2024-07-18
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种周期极化铁电晶体的畴壁调直方法，本发明通过测试极化后样品的压电系数，能够无损判断样品的极化情况，并能够筛选出极化均匀的区域，同时能根据占空比计算结果，判断是否继续进行极化或者终止极化、单畴化后重新极化；通过压电系数变化量，判断畴壁的平直程度，及时调整极化电压大小与时长，精确地控制极化过程，获得高质量的周期极化晶体。
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