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公开(公告)号：CN106410592B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201610869576.0
申请日：2016-09-30
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： H01S3/115
摘要： 本发明为一种全封闭的双晶体电光调Q开关，由2个金属电极和2个绝缘的导热基座交错环绕2块沿光传播方向主轴相对旋转90°的电光晶体组成组合内壳，组合内壳通过前后端面的环形连接盖固定，连接盖中心孔放置光学窗口片。所述组合内壳套入绝缘外壳，通过两端外侧的端盖封闭组合内壳形成一密封整体。所述2个金属电极分别连接接线端子穿出绝缘外壳接线孔连接外接导线。本发明电光晶体封装在组合内壳中，有效保护晶体端面；绝缘外壳确保使用安全；金属电极和导热基座散热均匀有效，保持晶体温度稳定，改善本调Q开关在高功率下工作的热退偏及波前畸变。
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公开(公告)号：CN106526653B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201611177189.7
申请日：2016-12-19
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： G01T1/202
摘要： 本发明公开一种闪烁探测器，由金属腔体、金属过滤层、ZnO:Sc单晶片、耐温玻璃窗口、光纤面板、UVT导光管、光电倍增管和分压器组成；金属腔体为自探测的前端向后端贯通的中空腔体，金属过滤层、ZnO:Sc单晶片、耐温玻璃窗口、光纤面板、UVT导光管、电倍增管和分压器紧固在金属腔体内，并在金属腔体内自探测的前端向后端依次排列；金属过滤层外接地线；光电倍增管的阴极连接UVT导光管，阳极与分压器相连。本发明具有高密度、超快衰减和高光输出的特点。
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公开(公告)号：CN104858817B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510288395.4
申请日：2015-05-29
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
IPC分类号： B25B11/02
摘要： 本发明为一种电光调Q开关双晶体配对夹持工装及其使用方法，本夹持工装的锁紧装置底座上固接长方体支架固定块，底座底面中心有垂直中心定位孔。支架固定块顶部有一与V型支架的底部相配合的梯形槽。定位座底面为平面，上方为截面矩形的槽，槽底有垂直于底面的定位杆。本夹持工装的使用方法为，V型支架的底部插入梯形槽；中心定位孔插在定位杆上，锁紧装置卡嵌于矩形槽内；V型支架前后平台上涂导电剂放置晶体；在光路上微调晶体位置；锁紧装置与粘有双晶体的V型支架一起置于烘箱；固化导电胶后，完成双晶体配对。本发明稳定地固定V型支架，方便晶体位置调整，达到透射光斑为一个，大幅度提高了双晶体配对的成功率和效率。
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公开(公告)号：CN106410592A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610869576.0
申请日：2016-09-30
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： H01S3/115
CPC分类号： H01S3/115
摘要： 本发明为一种全封闭的双晶体电光调Q开关，由2个金属电极和2个绝缘的导热基座交错环绕2块沿光传播方向主轴相对旋转90°的电光晶体组成组合内壳，组合内壳通过前后端面的环形连接盖固定，连接盖中心孔放置光学窗口片。所述组合内壳套入绝缘外壳，通过两端外侧的端盖封闭组合内壳形成一密封整体。所述2个金属电极分别连接接线端子穿出绝缘外壳接线孔连接外接导线。本发明电光晶体封装在组合内壳中，有效保护晶体端面；绝缘外壳确保使用安全；金属电极和导热基座散热均匀有效，保持晶体温度稳定，改善本调Q开关在高功率下工作的热退偏及波前畸变。
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公开(公告)号：CN112442730A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910808416.9
申请日：2019-08-29
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 天津理工大学
摘要： 本发明公开了一种温差水热法生长大尺寸体单晶的装置，包括高压釜和对高压釜进行加热的加热炉，高压釜包括釜体及设置于釜体内的水热反应容器，该水热反应容器内存在溶解区和结晶区，在釜体外壁上套设有导热筒，所述的导热筒包括上、下导热筒及设置于二者之间的隔热阻挡层，其中上导热筒在纵向方向上的高度及其套装位置均对应于水热反应容器内的结晶区，下导热筒在纵向方向上的高度及其套装位置均对应于水热反应容器内的溶解区，上、下导热筒均由导热性好的金属或非金属制成，隔热阻挡层由导热性差的材料制成。本发明所述装置能够更为精准地控制温度，使高压釜生长区处于上下不同位置的晶体都具有均匀的生长速度。
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公开(公告)号：CN106149045B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201610728964.7
申请日：2016-08-25
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： C30B7/10
摘要： 本发明公开了一种用于热液法晶体生长的球形高压反应釜，包括釜体，所述的釜体为实心球体，在釜体上由釜体表面向釜体内部纵向开设有一腔室以形成釜体的釜腔，釜腔内存在溶解区和结晶区。采用该高压反应釜进行热液人工生长晶体，可以实现稳定的双温区温场，减缓釜腔内溶液对流，避免籽晶溶蚀，促使晶体快速、稳定地生长。
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公开(公告)号：CN104178801B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410448170.6
申请日：2014-09-04
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
IPC分类号： B01J3/04
摘要： 本发明公开了一种含有泡沫金属结晶部件的高温高压水热釜，包括置于高压釜釜体内的水热反应容器，该水热反应容器内存在溶解区和结晶区，在结晶区设置有利于晶体生长的结晶部件，该结晶部件由泡沫金属制成。通过在结晶区中设置由泡沫金属制成的结晶部件，利用泡沫金属具有的高比表面积等结构特点，产生大量的适宜晶体附着的成核位点，而且泡沫金属内部细密的网孔能够起到抓紧晶粒防止其滑落到溶解区的作用，在吸取传统温差式水热釜中以金属丝、金属片作为结晶承载体的优点的同时，解决其有效成核面积小，已长成晶粒掉落，对流过于强烈，输运受阻等缺陷，极大程度地增加了结晶效率，并促进使晶粒进一步长大，同时晶体产量也得到进一步提高。
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公开(公告)号：CN105297134A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510759743.1
申请日：2015-11-10
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种镓钪共掺氧化锌闪烁单晶及其制备方法。所述的镓钪共掺杂氧化锌闪烁单晶ZnO:GaXScY同时含有Ga3+和Sc3+两种掺杂离子，其中，Ga3+在氧化锌闪烁单晶中的最终掺杂浓度X为1～1000ppm，Sc3+在氧化锌闪烁单晶中的掺杂浓度Y为10～10000ppm。所述的制备方法为以氧化锌为原料，采用水热法生长镓钪共掺杂氧化锌闪烁单晶。本发明所述的镓钪共掺氧化锌闪烁单晶闪烁及物理性能优异，而且易于生长得到大尺寸高质量单晶。
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公开(公告)号：CN107475768A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710917439.4
申请日：2017-09-30
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸铅锂单晶的方法，具体是以铅源和磷酸二氢锂作为水热反应物，置于高压釜中，以锂离子浓度为1-5mol/L的磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂，采用温差水热法使水热反应物产生化合反应以生长得到磷酸铅锂单晶。本发明将铅源和磷酸二氢锂在高压釜中在温差水热条件下直接化合反应生长得到磷酸铅锂单晶，反应基础原料无需压制和烧结，工艺更为简单；另一方面，采用磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂，既不会引入其它杂质，原料利用率也高，矿化剂浓度兼容性好，还能获得大尺寸的磷酸铅锂单晶。
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公开(公告)号：CN105297134B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510759743.1
申请日：2015-11-10
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种镓钪共掺氧化锌闪烁单晶及其制备方法。所述的镓钪共掺杂氧化锌闪烁单晶ZnO:GaXScY同时含有Ga3+和Sc3+两种掺杂离子，其中，Ga3+在氧化锌闪烁单晶中的最终掺杂浓度X为1～1000ppm，Sc3+在氧化锌闪烁单晶中的掺杂浓度Y为10～10000ppm。所述的制备方法为以氧化锌为原料，采用水热法生长镓钪共掺杂氧化锌闪烁单晶。本发明所述的镓钪共掺氧化锌闪烁单晶闪烁及物理性能优异，而且易于生长得到大尺寸高质量单晶。
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