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公开(公告)号：CN107475768A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710917439.4
申请日：2017-09-30
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸铅锂单晶的方法，具体是以铅源和磷酸二氢锂作为水热反应物，置于高压釜中，以锂离子浓度为1-5mol/L的磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂，采用温差水热法使水热反应物产生化合反应以生长得到磷酸铅锂单晶。本发明将铅源和磷酸二氢锂在高压釜中在温差水热条件下直接化合反应生长得到磷酸铅锂单晶，反应基础原料无需压制和烧结，工艺更为简单；另一方面，采用磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂，既不会引入其它杂质，原料利用率也高，矿化剂浓度兼容性好，还能获得大尺寸的磷酸铅锂单晶。
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公开(公告)号：CN106410592A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610869576.0
申请日：2016-09-30
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： H01S3/115
CPC分类号： H01S3/115
摘要： 本发明为一种全封闭的双晶体电光调Q开关，由2个金属电极和2个绝缘的导热基座交错环绕2块沿光传播方向主轴相对旋转90°的电光晶体组成组合内壳，组合内壳通过前后端面的环形连接盖固定，连接盖中心孔放置光学窗口片。所述组合内壳套入绝缘外壳，通过两端外侧的端盖封闭组合内壳形成一密封整体。所述2个金属电极分别连接接线端子穿出绝缘外壳接线孔连接外接导线。本发明电光晶体封装在组合内壳中，有效保护晶体端面；绝缘外壳确保使用安全；金属电极和导热基座散热均匀有效，保持晶体温度稳定，改善本调Q开关在高功率下工作的热退偏及波前畸变。
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公开(公告)号：CN106410592B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201610869576.0
申请日：2016-09-30
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： H01S3/115
摘要： 本发明为一种全封闭的双晶体电光调Q开关，由2个金属电极和2个绝缘的导热基座交错环绕2块沿光传播方向主轴相对旋转90°的电光晶体组成组合内壳，组合内壳通过前后端面的环形连接盖固定，连接盖中心孔放置光学窗口片。所述组合内壳套入绝缘外壳，通过两端外侧的端盖封闭组合内壳形成一密封整体。所述2个金属电极分别连接接线端子穿出绝缘外壳接线孔连接外接导线。本发明电光晶体封装在组合内壳中，有效保护晶体端面；绝缘外壳确保使用安全；金属电极和导热基座散热均匀有效，保持晶体温度稳定，改善本调Q开关在高功率下工作的热退偏及波前畸变。
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公开(公告)号：CN110596042A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910987283.6
申请日：2019-10-17
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种双轴晶体主轴方向光学均匀性的测试装置及测试方法。所述的测试装置包括沿光轴方向依次设置的光源、聚光透镜、准直透镜、起偏器、相位补偿器、检偏器、成像镜头和相机，待测晶体置于相位补偿器和检偏器之间，所述的相位补偿器由两块光楔构成，通过调节两块光楔的相对位置来调节相位延迟量，其中所述光楔的材质为成分与待测晶体相同且光学均匀性好的晶体。本发明所述装置结构简单、成本低廉且便于维护。与传统测试方法相比，本发明所述方法无需反复测试背景干扰及不同偏振态激光通过晶体形成干涉图，受环境影响小，测试效率高、适合批量化的生产检测；而且本发明所述方法操作简单、对测试晶体的加工要求不高，易于推广使用。
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公开(公告)号：CN107815725B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201711313437.0
申请日：2017-12-11
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： C30B7/10
摘要： 本发明公开了一种具有交变温场的水热结晶装置及使用该装置生长晶体的方法。所述的水热结晶装置包括水热高压釜和，其中，水热高压釜包括釜体，釜体的内腔分为三个部分，由下至上依次分别为第一原料溶解区、恒温生长区和第二原料溶解区；将水热高压釜置于三段式电阻炉中加热时，釜体内腔中各区域的温度均由三段式电阻炉进行控制，其中第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度存在一定温差，恒温生长区的温度介于第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度之间；设置两个原料溶解区温度转换的交变周期，当达到该交变周期所示时间时，相互调换两个原料溶解区的温度。采用本发明所述装置和方法可有效提高晶体的水热成核几率和生长速度。
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公开(公告)号：CN113122908A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110308671.4
申请日：2021-03-23
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种复合YAG晶体的制备方法，属于复合晶体生长技术领域。其包括如下步骤：将纯YAG晶体定向、切割和抛光，制成籽晶后，悬挂于籽晶架上；将水热反应物置于黄金衬套管的底部，再放入矿化剂溶液，然后将籽晶架置于黄金衬套管的顶部，密封后置于高压釜的釜体中；在黄金衬套管和釜体的夹层中加入水，将高压釜密封，再将密封后的高压釜置于电阻炉中，程序升温，经过10d‑15d的生长，再程序降温，打开高压釜，取出黄金衬套管，即得到复合YAG晶体。本发明可以在10d‑15d生长出无明显杂质缺陷、高质量、大尺寸的复合YAG晶体。
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公开(公告)号：CN107815725A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711313437.0
申请日：2017-12-11
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： C30B7/10
CPC分类号： C30B7/10
摘要： 本发明公开了一种具有交变温场的水热结晶装置及使用该装置生长晶体的方法。所述的水热结晶装置包括水热高压釜和，其中，水热高压釜包括釜体，釜体的内腔分为三个部分，由下至上依次分别为第一原料溶解区、恒温生长区和第二原料溶解区；将水热高压釜置于三段式电阻炉中加热时，釜体内腔中各区域的温度均由三段式电阻炉进行控制，其中第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度存在一定温差，恒温生长区的温度介于第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度之间；设置两个原料溶解区温度转换的交变周期，当达到该交变周期所示时间时，相互调换两个原料溶解区的温度。采用本发明所述装置和方法可有效提高晶体的水热成核几率和生长速度。
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公开(公告)号：CN104178814B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410431441.7
申请日：2014-08-28
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸钛氧铷体单晶的方法，具体是在高压釜中，以铷离子浓度为0.5～5.5mol/L的RbxH(3‑x)PO4(1≤x≤3)溶液作为矿化剂，采用温差水热法使磷酸钛氧铷溶解并重结晶生长单晶体的方法。与现有的水热法相比，本发明所述方法可以在较低的温度和压力下快速、安全地生长出大尺寸、结晶完整且高光学质量的磷酸钛氧铷体单晶，所得晶体可用于电光器件；工艺更为简单易控，成本更低；与现有的熔盐法相比，生长温度低，系统粘度低，环境密闭，不易引入杂质，并可以获得晶体电光系数最大的Y向器件，且成品率高。
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公开(公告)号：CN106149045A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610728964.7
申请日：2016-08-25
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
IPC分类号： C30B7/10
摘要： 本发明公开了一种用于热液法晶体生长的球形高压反应釜，包括釜体，所述的釜体为实心球体，在釜体上由釜体表面向釜体内部纵向开设有一腔室以形成釜体的釜腔，釜腔内存在溶解区和结晶区。采用该高压反应釜进行热液人工生长晶体，可以实现稳定的双温区温场，减缓釜腔内溶液对流，避免籽晶溶蚀，促使晶体快速、稳定地生长。
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公开(公告)号：CN112725877A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011502352.9
申请日：2020-12-18
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种二氧化碲单晶的制备方法，属于单晶生长技术领域。所述二氧化碲单晶的制备方法，包括如下步骤：将水热反应物置于石英衬套管的底部，再加入水，将所述石英衬套管密封后，加热混匀，然后将加热后的所述石英衬套管置于高压釜的釜体中；在所述石英衬套管和所述釜体的夹层中加入水，将所述高压釜密封，再将密封后的所述高压釜置于电阻炉中，设置溶解区和生长区的温度，进行程序降温，即得到二氧化碲单晶。本发明采用石英衬套管水热法来制备二氧化碲单晶，可以使二氧化碲晶体在温度为300℃‑400℃、压力
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