一种低余晖X射线闪烁体膜的制备及应用

    公开(公告)号:CN118064841B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410464729.8

    申请日:2024-04-18

    摘要: 本发明提供一种低余晖X射线闪烁体膜的制备及应用,其包括以下步骤,制备闪烁体原料:按摩尔质量比100:0.1:(0.1‑10)取CsI、TlI和CuI,添加球磨助剂和稳定剂,进行球磨制备CsI:Tl:Cu闪烁体;将CsI:Tl:Cu闪烁体除杂干燥后进行蒸镀;闪烁体蒸镀:以CsI:Tl:Cu闪烁体为蒸发源,采用单源蒸镀即可获得均匀的闪烁体膜层。本发明对原料进行球磨处理生成稳定高纯度的化合物,减小蒸镀过程成膜的不均匀性,并采用亚铜离子掺杂可以大幅降低现有商用的CsI:Tl闪烁体余晖。

    一种闪烁体膜的喷涂制备工艺
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117654849A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202211099199.9

    申请日:2022-09-08

    摘要: 本发明提供了一种闪烁体膜的喷涂制备工艺,具体步骤如下:步骤一,制备钙钛矿量子点PQD前驱体分散液或者制备钙钛矿微晶PMC前驱体分散液;步骤二,衬底清洗;步骤三,喷涂;将步骤二中清洗好的衬底置于超声喷涂设备中,并清洗超声喷涂设备的管路;随后将步骤一中制备好的前驱体分散液注入超声喷涂设备;设置超声雾化功率为1‑200w,载气为氮气且气压为0.01Mpa‑1Mpa,喷涂液流量为0.01ml/min‑10ml/min;喷头的行进速度为100mm/min‑10000mm/min;喷涂至闪烁体膜层厚度为100um‑500um,即得闪烁体膜。采用本发明的喷涂制备工艺得到的闪烁体膜大面积,膜层厚度大且均匀,大幅提升作为X射线探测器使用时的空间分辨率。

    X射线闪烁体胶水及闪烁体膜的制备方法

    公开(公告)号:CN115477907A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202211205584.7

    申请日:2022-09-23

    摘要: 本发明提供了一种X射线闪烁体胶水的制备方法,具体步骤如下:(1)在常温常压条件下,将一定重量份数的无机粒子,防辐射剂和树脂混合均匀,制备得到闪烁体胶水预分散液;所用无机粒子的含量为树脂重量的1‑20%,所用防辐射剂的含量为树脂重量的0.5‑1.5%;(2)将闪烁体粉末加入步骤(1)制备的胶水预分散液中高速搅拌制备得到闪烁体胶水;所用闪烁体粉末的含量为树脂重量的1‑20%。本发明一种X射线闪烁体胶水的制备方法制备工艺简便,制备所得的膜产品具有更高的发光效率,同时更耐高温高湿,耐辐射老化性。

    一种提高X光射线探测器帧率的方法、系统及介质

    公开(公告)号:CN118612370A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202411080338.2

    申请日:2024-08-08

    摘要: 本申请实施例提供了一种提高X光射线探测器帧率的方法、系统及介质,该方法包括:接收采集指令,基于采集指令动态采集X光影像,将X光影像进行单帧分割;将若干个单帧图像按照采集时间节点进行排序,得到图像组合,设定压缩窗口参数,得到窗口内的像素数据信息,基于动态压缩算法将压缩窗口内的第一帧图像动态压缩,基于图像间对比压缩算法将上一帧图像与当前帧图像进行对比压缩,得到一次压缩结果,根据像素数据信息对一次压缩结果进行二次压缩,将生成的N个压缩图像传输至上位机保存;本发明可以显著提高探测器的成像及出图帧率,适用范围非常的广,对图像的质量可以做到不损失丢失任何图像信息。

    一种低余晖X射线闪烁体膜的制备及应用

    公开(公告)号:CN118064841A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410464729.8

    申请日:2024-04-18

    摘要: 本发明提供一种低余晖X射线闪烁体膜的制备及应用,其包括以下步骤,制备闪烁体原料:按摩尔质量比100:0.1:(0.1‑10)取CsI、TlI和CuI,添加球磨助剂和稳定剂,进行球磨制备CsI:Tl:Cu闪烁体;将CsI:Tl:Cu闪烁体除杂干燥后进行蒸镀;闪烁体蒸镀:以CsI:Tl:Cu闪烁体为蒸发源,采用单源蒸镀即可获得均匀的闪烁体膜层。本发明对原料进行球磨处理生成稳定高纯度的化合物,减小蒸镀过程成膜的不均匀性,并采用亚铜离子掺杂可以大幅降低现有商用的CsI:Tl闪烁体余晖。

    一种无重金属毒性X射线闪烁体膜的制备及应用

    公开(公告)号:CN118460958A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410464741.9

    申请日:2024-04-18

    摘要: 本发明提供一种无重金属毒性X射线闪烁体膜的制备及应用,该制备方法包括,制备Cs3Cu2I5:Mn化合物:取CsI和CuI和锰离子化合物超声搅拌离心清洗预处理后,高温烧结获得Cs3Cu2I5:Mn化合物,研磨后作为单源蒸镀原料进行蒸镀;闪烁体蒸镀:以Cs3Cu2I5:Mn化合物为蒸发源,在基板表面蒸镀;闪烁体封装:使用阻水阻氧的阻隔膜材料对闪烁体膜进行封装即可。本发明通过引入Mn2+掺杂,结合超声搅拌提高闪烁体的产率和发光效率,实现了无毒性金属元素的使用,同时实现了多元素蒸镀时采用单源蒸镀的稳定工艺,大大降低了多源蒸镀的能耗和不均匀性,成像性能优异,可以做到大面积、高厚度批量化制备,满足现有商业化尺寸需求。

    一种定向生长X射线闪烁体膜的制备工艺及其应用

    公开(公告)号:CN117265633A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202310980530.6

    申请日:2023-08-04

    摘要: 本发明提供了一种定向生长X射线闪烁体膜的制备工艺及其应用,通过对喷涂工艺进行优化,增加了热台倒置和喷涂晶种表层消除缺陷工艺,使闪烁体材料定向排列生长,制备得到一种大面积、高厚度的闪烁体膜,一方面提高了分辨率;另一方面兼容了新型钙钛矿微纳米晶和传统商业化X射线闪烁体材料的制备工艺,促进新型材料走向其商业化的应用;同时还为制备高质量的、大面积多晶厚膜提供了技术支撑与新的思路,具有良好的应用前景。

    一种高度稳定的PQD闪烁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN115685304A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202210052415.8

    申请日:2022-01-18

    摘要: 本发明提供了一种高度稳定的PQD闪烁体及其制备方法,在液相PQD合成反应中,通过预先在配体上合成末端双键,利用带末端双键的配体包覆PQD表面,再经X射线照射,使配体之间的末端双键发生加成反应,相互连接成网状结构,制得核壳包覆结构的PQD闪烁体,完全解决热稳定性和辐射稳定性问题,并且不会降低PQD材料的密度或X射线截止率,保证闪烁体的性能,方法简便,成本低,应用前景广阔。

    一种像素化钙钛矿纳米晶闪烁转换屏、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114778579A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210289832.4

    申请日:2022-03-23

    发明人: 张志军 陈轶阳

    IPC分类号: G01N23/22 G01T1/202

    摘要: 本发明属于医学与工业领域的X‑射线成像技术领域,公开了一种像素化钙钛矿纳米晶闪烁转换屏、制备方法及应用,利用异丙醇(IPA)室温方法或者甲苯(TOL)室温合成方法或者热注射法制备钙钛矿溶液;将钙钛矿溶液进行提纯处理,得到钙钛矿纳米晶;将多孔模板清洗预处理;对多孔模板进行超声喷涂,或者利用负压填充,在多孔模板上形成较为致密的钙钛矿纳米晶阵列。本发明的像素化钙钛矿纳米晶闪烁转换屏,并结合像素化钙钛矿闪烁转换屏结构的光波导效应和封装保护作用,显著提高了钙钛矿纳米晶闪烁屏的空间分辨率和环境稳定性,获得了具有高空间分辨率(