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公开(公告)号：CN118778763A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411129837.6
申请日：2024-08-16
申请人： 宸微设备科技(苏州)有限公司
IPC分类号： G05F1/66
摘要： 本发明在半导体加工领域提出射频电源的输出功率控制方法和系统，包括：可编程逻辑控制器将射频电源安装成功时触发的安装反馈电信号转化为第一安装通信信息通过数据通信网络发送给上位机，供上位机根据第一安装通信信息通过可编程逻辑控制器启动射频电源和修改射频控制器的控制程序；射频控制器根据启动的射频电源馈送的射频反馈电信号转化为射频反馈信息通过数据通信网络发送给上位机，供上位机根据射频反馈信息通过射频控制器改变射频电源的输出功率，直至输出功率满足等离子处理装置的工艺参数对应期望条件。在射频电源安装成功后自动同步射频控制器中的内容实现对所有射频电源的集体控制，保证拓展性。
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公开(公告)号：CN117373969A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311293877.X
申请日：2023-10-08
申请人： 宸微设备科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明提供了一种半导体处理装置，通过设置反应腔体和设置在反应腔体的开口处的盖体，并将盖体掏出多个部分，形成支撑骨架和多个维护口，在每个维护口上设置相应的维护盖，并设置维护盖和支撑骨架直接可拆卸连接，当某一区域需要维护时，只需揭开对应的维护盖，并将维护盖拆卸后的维护口作为维护区域，所述支撑骨架作为支撑区域，或所述支撑骨架和未拆卸的维护盖共同形成支撑区域，维护人员可以跪/坐/趴在支撑区域上，相对于传统整体式设计，不仅节约了吊装工具，降低了半导体处理装置设计的复杂程度，节省成本，还提供了足够的支撑空间给维护人员，降低维护难度，提高维护效率。
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公开(公告)号：CN116646282A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310671694.0
申请日：2023-06-07
申请人： 宸微设备科技(苏州)有限公司
发明人： 李俊
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种进气喷嘴及干法化学蚀刻设备，该进气喷嘴包括喷嘴本体，包括气体传输方向走向一致的第一气体传输通道和若干第二气体传输通道；第一出气口设置于所述喷嘴本体的底部中心位置，所述第一出气口为所述第一气体传输通道的出气口；若干第二出气口沿所述第一出气口的周向间隔布置，所述第二出气口为所述第二气体传输通道的出气口；所述第二气体传输通道包括倾斜传输通道，所述倾斜传输通道的出气口作为所述第二出气口；所述倾斜传输通道向远离所述喷嘴本体的中轴线的方向与所述喷嘴本体的中轴线成夹角设置。利用本申请的进气喷嘴能够调整干法化学蚀刻设备腔体边缘和中心的气体分布，提高蚀刻均匀性。
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公开(公告)号：CN116752109B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310725218.2
申请日：2023-06-19
申请人： 宸微设备科技(苏州)有限公司
发明人： 潘兴强
摘要： 本发明属于半导体处理设备技术领域，具体涉及一种物理气相沉积设备、沉积工艺及刻蚀工艺，包括：反应腔体，连接有真空发生装置；靶材组件，安装于所述反应腔体的上端，所述靶材组件与设置在所述反应腔体外部的靶材电源电连接；磁控源，设置在所述靶材组件的与所述反应腔体向背的一侧，所述磁控源被装配为能够在贴近于所述靶材组件表面的区域沿环形路径运动；所述靶材组件设有贯穿孔，所述贯穿孔设置在所述磁控源的环形运动路径的内侧；还包括穿透窗，所述穿透窗覆盖于所述贯穿孔的远离所述反应腔体的一侧，本发明避免靶材反溅镀现象的同时简化了设备结构。
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公开(公告)号：CN117373951A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311293677.4
申请日：2023-10-08
申请人： 宸微设备科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明提供了一种晶圆的预装载腔室及其检测方法，所述预装载腔室包括包括装载腔体、支撑件和位置检测机构；所述装载腔体具有装载口，所述装载口与所述装载腔体导通；所述支撑件设于所述装载腔体内，用于支撑从所述装载口输送至所述装载腔内的晶圆；所述位置检测机构对应所述支撑件设置，并可朝所述晶圆发射第一检测光，所述第一检测光的部分可从所述晶圆的边缘穿过，形成第二检测光；所述位置检测机构通过将预设光的光强值与所述第二检测光的光强值进行比对，得到比对结果，所述位置检测机构根据所述比对结果判断所述晶圆的位置。本发明提供的预装载腔室可对晶圆的位置进行检测，避免了晶圆在传送过程中被破坏，提高了晶圆传送的安全性。
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公开(公告)号：CN117276131A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311303821.8
申请日：2023-10-10
申请人： 宸微设备科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种用于刻蚀的基片烘烤腔室，包括第一烘烤室、第二烘烤室、加热单元、控制单元、以及盖板；第一烘烤室的顶壁为中间隔断板结构，所述第二烘烤室的底壁为中间隔断板结构；盖板分别可拆卸固定连接第一烘烤室的顶壁、以及第二烘烤室的底壁；第一烘烤室内设置有至少两个基片承托结构，第一烘烤室的外壁上设置有第一抽气口、以及第一狭缝；第二烘烤室内设置有至少两个基片承托结构，第二烘烤室的外壁上设置有第二抽气口、以及第二狭缝；本发明提供了一种具有多个独立腔室的烘干装置，各腔室的反应条件互不干扰，并且避免了烘干过程中腔室需要频繁开启的问题，保证基片一致性的前提下，提高了产能。
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公开(公告)号：CN117650091A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311694693.4
申请日：2023-12-11
申请人： 宸微设备科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687
摘要： 本发明提供了一种可调节的旋转升降机构，包括升降机构、连接件、调整组件和旋转机构；所述升降机构与所述连接件的第一侧壁连接，所述升降机构用于带动所述连接件升降；所述调整组件设于所述连接件上并与所述旋转机构连接，所述调整组件用于带动所述旋转机构在X轴、Y轴和Z轴所在的方向进行位置调整。本发明提供的可调节的旋转升降机构通过设置X轴调整部、Y轴调整部和Z轴调整部，实现对旋转机构在X轴、Y轴和Z轴所在的方向进行位置调整，从而提高了旋转升降设备装配的精准度，保证了旋转升降设备与外部设备连接的同心度，大大提高了旋转升降设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118581446A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410857014.9
申请日：2024-06-28
申请人： 宸微设备科技(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C16/46
摘要： 一种晶圆加热基座，晶圆加热基座包括：盘部和轴部；所述盘部的顶部用于承载晶圆；所述轴部的顶部固定连接所述盘部的底部，用于支撑所述盘部，所述轴部为轴向贯通的中空结构，且所述轴部内设置有加热器，所述加热器用于对所述盘部的底部中心区域进行温度调节。本发明实施例提供的晶圆加热基座中，所述盘部顶部承载晶圆，加热器设置在轴部中轴向贯通的中空结构内，加热器通过轴部的轴向贯通的中空结构来直接与盘部底部的中心接触，在晶圆加热基座工作时，加热器的顶部直接对盘部的中心提供热量，进行温度调节，解决了盘部中心冷区的问题，有利于提高晶圆表面的温度均匀性。
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公开(公告)号：CN118510085A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410582994.6
申请日：2024-05-11
申请人： 宸微设备科技(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供了一种加热器及真空加热腔，其中，所述加热器包括加热盘、密封件和冷却盘；所述加热盘的底部具有中空管，所述中空管内设有与所述加热盘连接的若干电极杆，所述加热盘用于对晶圆加热；所述密封件设于所述中空管的底部，用于密封所述中空管；所述冷却盘套设于所述密封件，且靠近所述中空管的底部，所述冷却盘用于降低所述密封件和所述中空管的底部连接处的温度。本发明提供的加热器通过将冷却盘套设在密封件用于冷却密封件和中空管连接处的温度，避免温度过高影响到加热器底部的密封性，提高了加热器底部密封的可靠性，从而提高了对晶圆的加热处理效果。
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公开(公告)号：CN118053793A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410215376.8
申请日：2024-02-27
申请人： 宸微设备科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明提供了一种晶圆传送装置，包括腔体、密封件、支撑件、顶盖和动力机构；腔体的顶部开设有开口；密封件设于所述腔体的顶部，并环绕开口；支撑件设于腔体的顶部，且支撑件的厚度大于密封件的厚度；动力机构设于腔体的侧边并与顶盖连接；当动力机构带动顶盖旋转至腔体的顶部时，支撑件支撑顶盖，并对腔体内进行抽真空，所述顶盖与所述密封件密封连接使所述开口密封。本发明提供的晶圆传送装置通过在腔体的顶部设置支撑件，使动力机构带动顶盖转动至腔体上方时顶盖可先与支撑件接触，避免顶盖与腔体的顶部之间距离过近，使顶盖转动过程中对密封件进行挤压，导致密封件的损坏，提高装置的密封性。
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