一种半导体处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117373969A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311293877.X

    申请日:2023-10-08

    发明人: 曾沛钦 王祥

    IPC分类号: H01L21/677

    摘要: 本发明提供了一种半导体处理装置,通过设置反应腔体和设置在反应腔体的开口处的盖体,并将盖体掏出多个部分,形成支撑骨架和多个维护口,在每个维护口上设置相应的维护盖,并设置维护盖和支撑骨架直接可拆卸连接,当某一区域需要维护时,只需揭开对应的维护盖,并将维护盖拆卸后的维护口作为维护区域,所述支撑骨架作为支撑区域,或所述支撑骨架和未拆卸的维护盖共同形成支撑区域,维护人员可以跪/坐/趴在支撑区域上,相对于传统整体式设计,不仅节约了吊装工具,降低了半导体处理装置设计的复杂程度,节省成本,还提供了足够的支撑空间给维护人员,降低维护难度,提高维护效率。

    一种晶圆的预装载腔室及其检测方法

    公开(公告)号:CN117373951A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311293677.4

    申请日:2023-10-08

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/677

    摘要: 本发明提供了一种晶圆的预装载腔室及其检测方法,所述预装载腔室包括包括装载腔体、支撑件和位置检测机构;所述装载腔体具有装载口,所述装载口与所述装载腔体导通;所述支撑件设于所述装载腔体内,用于支撑从所述装载口输送至所述装载腔内的晶圆;所述位置检测机构对应所述支撑件设置,并可朝所述晶圆发射第一检测光,所述第一检测光的部分可从所述晶圆的边缘穿过,形成第二检测光;所述位置检测机构通过将预设光的光强值与所述第二检测光的光强值进行比对,得到比对结果,所述位置检测机构根据所述比对结果判断所述晶圆的位置。本发明提供的预装载腔室可对晶圆的位置进行检测,避免了晶圆在传送过程中被破坏,提高了晶圆传送的安全性。

    晶圆加热基座
    3.
    发明公开
    晶圆加热基座 审中-实审

    公开(公告)号:CN118581446A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410857014.9

    申请日:2024-06-28

    IPC分类号: C23C16/46

    摘要: 一种晶圆加热基座,晶圆加热基座包括:盘部和轴部;所述盘部的顶部用于承载晶圆;所述轴部的顶部固定连接所述盘部的底部,用于支撑所述盘部,所述轴部为轴向贯通的中空结构,且所述轴部内设置有加热器,所述加热器用于对所述盘部的底部中心区域进行温度调节。本发明实施例提供的晶圆加热基座中,所述盘部顶部承载晶圆,加热器设置在轴部中轴向贯通的中空结构内,加热器通过轴部的轴向贯通的中空结构来直接与盘部底部的中心接触,在晶圆加热基座工作时,加热器的顶部直接对盘部的中心提供热量,进行温度调节,解决了盘部中心冷区的问题,有利于提高晶圆表面的温度均匀性。

    一种加热器及真空加热腔
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118510085A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410582994.6

    申请日:2024-05-11

    发明人: 曾沛钦 王祥

    摘要: 本发明提供了一种加热器及真空加热腔,其中,所述加热器包括加热盘、密封件和冷却盘;所述加热盘的底部具有中空管,所述中空管内设有与所述加热盘连接的若干电极杆,所述加热盘用于对晶圆加热;所述密封件设于所述中空管的底部,用于密封所述中空管;所述冷却盘套设于所述密封件,且靠近所述中空管的底部,所述冷却盘用于降低所述密封件和所述中空管的底部连接处的温度。本发明提供的加热器通过将冷却盘套设在密封件用于冷却密封件和中空管连接处的温度,避免温度过高影响到加热器底部的密封性,提高了加热器底部密封的可靠性,从而提高了对晶圆的加热处理效果。

    一种晶圆传送装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118053793A

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202410215376.8

    申请日:2024-02-27

    发明人: 曾沛钦 王祥

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/677

    摘要: 本发明提供了一种晶圆传送装置,包括腔体、密封件、支撑件、顶盖和动力机构;腔体的顶部开设有开口;密封件设于所述腔体的顶部,并环绕开口;支撑件设于腔体的顶部,且支撑件的厚度大于密封件的厚度;动力机构设于腔体的侧边并与顶盖连接;当动力机构带动顶盖旋转至腔体的顶部时,支撑件支撑顶盖,并对腔体内进行抽真空,所述顶盖与所述密封件密封连接使所述开口密封。本发明提供的晶圆传送装置通过在腔体的顶部设置支撑件,使动力机构带动顶盖转动至腔体上方时顶盖可先与支撑件接触,避免顶盖与腔体的顶部之间距离过近,使顶盖转动过程中对密封件进行挤压,导致密封件的损坏,提高装置的密封性。

    晶圆金属镀膜系统及方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116516320A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310631571.4

    申请日:2023-05-31

    IPC分类号: C23C16/458 C23C16/56

    摘要: 本发明公开了一种晶圆金属镀膜系统,其晶圆预抽装置包括预抽腔体、左晶圆升降基座、右晶圆升降基座、左水冷盘及右水冷盘;预抽腔体由横向隔板分割为上下两个腔体;左水冷盘固定安装在预抽腔体底板的左部,右水冷盘固定安装在预抽腔体底板的右部;水冷盘内设置有水冷管;水冷管的进水口及出水口连通到预抽腔体外;左晶圆升降基座设置在左水冷盘中央并能上下移动;右晶圆升降基座设置在右水冷盘中央并能上下移动;预抽腔体下腔体的侧壁设置有下进料口。本发明还公开了一种晶圆金属镀膜方法。本发明能使一对完成金属镀膜工艺的晶圆快速自然降温,减少高温金属镀膜晶圆在晶圆预抽装置里等待的时间,提高晶圆金属镀膜系统的晶圆传送效率。

    晶圆金属镀膜系统
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219793106U

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202321358415.7

    申请日:2023-05-31

    IPC分类号: C23C16/458 C23C16/56

    摘要: 本实用新型公开了一种晶圆金属镀膜系统,其晶圆预抽装置包括预抽腔体、左晶圆升降基座、右晶圆升降基座、左水冷盘及右水冷盘;预抽腔体由横向隔板分割为上下两个腔体;左水冷盘固定安装在预抽腔体底板的左部,右水冷盘固定安装在预抽腔体底板的右部;水冷盘内设置有水冷管;水冷管的进水口及出水口连通到预抽腔体外;左晶圆升降基座设置在左水冷盘中央并能上下移动;右晶圆升降基座设置在右水冷盘中央并能上下移动;预抽腔体下腔体的侧壁设置有下进料口。本实用新型能使一对完成金属镀膜工艺的晶圆快速自然降温,减少高温金属镀膜晶圆在晶圆预抽装置里等待的时间,提高晶圆金属镀膜系统的晶圆传送效率。

    一种晶圆的预装载腔室
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221041068U

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202322690811.6

    申请日:2023-10-08

    发明人: 曾沛钦 路坤 王祥

    IPC分类号: H01L21/677

    摘要: 本实用新型提供了一种晶圆的预装载腔室,包括装载腔体、进气管路和出气管路;所述装载腔体包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁上开设有进气孔,所述第二侧壁上开设有出气孔;所述进气管路与所述进气孔连接,用于向所述装载腔体内通入气体;所述出气管路与所述出气孔连接,用于将所述装载腔体内的气体排出。本实用新型提供通过在第一侧壁上设置进气管路,提高设备维护的便利性,并且在第二侧壁上设置出气管路,保证了预装载腔室内气压的均匀性。

    一种连接装置
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221427687U

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202323525570.6

    申请日:2023-12-22

    发明人: 曾沛钦 王祥

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/677

    摘要: 本实用新型提供了一种连接装置,用于连接晶圆处理系统中的传输模块和工艺模块,所述连接装置包括连接主体和封堵机构;所述连接主体上开设有传送通道,所述传送通道用于将所述传输模块和所述工艺模块连通;所述封堵机构可拆卸的与所述连接主体连接,所述封堵机构用于封闭或打开所述传送通道。在本实施例中,通过使用连接主体连接传输模块和工艺模块,并且将封堵机构设置在连接主体上,实现了传输模块和工艺模块之间连通或封闭的功能切换,并且方便封堵机构的安装和维修,降低了成本。另外,通过在传输模块和工艺模块之间增设连接装置,使得传输模块到工艺模块的中心距离增加,增大了维护空间,方便设备的维护。

    晶圆传输腔室及半导体加工设备

    公开(公告)号:CN221861596U

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202420176232.1

    申请日:2024-01-24

    发明人: 曾沛钦

    摘要: 本实用新型提供了一种晶圆传输腔室及半导体加工设备,包括腔体;以及设置于所述腔体上的降温装置,所述降温装置用于降低所述腔体内的温度。本实用新型提供的晶圆传输腔室,可降低腔体的温度,避免高温影响晶圆传输腔室内设置的机械手的使用寿命,保证了工艺的进程。