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    校正磁场产生装置及其磁场传感器与校正方法
    1.
    发明公开
    校正磁场产生装置及其磁场传感器与校正方法 有权

    公开(公告)号：CN111722168A

    公开(公告)日：2020-09-29

    申请号：CN201910363700.X

    申请日：2019-04-30

    申请人： 宇能电科技股份有限公司

    发明人： 傅乃中 ,  郭明谕 ,  汪大镛

    IPC分类号： G01R35/00

    摘要： 本发明公开了一种具校正磁场产生装置及其磁场传感器与校正方法，通过内建可以产生相互正交或接近正交且均匀的三轴向磁场的结构，使得磁场传感器可以得到三轴磁场校正信息，达到随时可以自我校正磁场感测能力的效果。其后，磁场传感器在实际进行测量时，可以通过此校正信息量对测量的结果进行校正，以提升测量三轴磁场信息的准确性。

    具有磁性感测机制的运动传感器以及环境传感器
    2.
    发明公开
    具有磁性感测机制的运动传感器以及环境传感器 无效 转让

    公开(公告)号：CN106643817A

    公开(公告)日：2017-05-10

    申请号：CN201510736311.9

    申请日：2015-11-03

    申请人： 宇能电科技股份有限公司

    发明人： 傅乃中 ,  施智超 ,  刘富台 ,  汪大镛

    IPC分类号： G01D5/12

    CPC分类号： G01D5/12

    摘要： 本发明公开了一种具有磁性感测机制的运动传感器和一种具有磁性感测机制的环境传感器，其中，具有磁性感测机制的运动传感器包括磁场产生部、设置于磁场产生部一侧的磁性感测模块以及形成于磁性感测模块上的罩体。罩体内具有流体，与磁场形成一空间磁通密度。当传感器在外力的作用下运动时，罩体内流体的浓度分布发生改变，进而改变空间磁通密度的分布而被磁性感测模块侦测。根据磁性感测模块所产生的感测信号可以决定该传感器的至少一维度的运动状态。在另一实施例中，磁性感测模块上还具有参考结构，以构成具有磁性感测机制的环境传感器，用以侦测相应于参考结构的参考磁场与通过该传感器的流体的磁通密度关系，从而分析流体内含的特定成分。

    磁阻组件及磁阻装置
    5.
    发明公开
    磁阻组件及磁阻装置 无效 转让

    公开(公告)号：CN105022007A

    公开(公告)日：2015-11-04

    申请号：CN201510208453.8

    申请日：2015-04-28

    申请人： 宇能电科技股份有限公司

    发明人： 傅乃中 ,  陈光镜 ,  刘富台

    IPC分类号： G01R33/09 ,  H01L43/08

    摘要： 一种磁阻组件包括水平磁阻层与非平行磁阻层。水平磁阻层是设置于基板的表面上且沿着其延伸方向具有第一侧与和第一侧相对的第二侧。非平行磁阻层不平行该基板的该表面且是从该水平磁阻层的该第一侧处与该水平磁阻层实体连接。

    一种磁场传感器与使用该磁场传感器的电子罗盘
    6.
    发明公开
    一种磁场传感器与使用该磁场传感器的电子罗盘 失效 转让

    公开(公告)号：CN104697508A

    公开(公告)日：2015-06-10

    申请号：CN201410054936.2

    申请日：2014-02-18

    申请人： 宇能电科技股份有限公司

    发明人： 汤泰郎 ,  林政治 ,  黄弘育

    IPC分类号： G01C17/32

    CPC分类号： G01P15/18 ,  G01C17/38 ,  G01R33/0206 ,  G01C17/32

    摘要： 一种磁场传感器与使用该磁场传感器的电子罗盘，此磁场传感器用以传感于一第一参考坐标系上各坐标轴的磁场分量，且第一参考坐标系是与该磁场传感器相关联。其中，当磁场传感器在该第一参考坐标系上其中一坐标轴A的灵敏度不同于其他坐标轴上的灵敏度时，该坐标轴A上的磁场分量Am可用以下的方程式进行修正：Am＝Am(n-1)×(Wa-1)/Wa+Am(n)×1/Wa……(A)其中，Am(n)是指当下所量测到的沿着该坐标轴A的磁场分量，Am(n-1)是指前一次所量测或计算的沿着该坐标轴A的磁场分量，Wa则为一权重值。本发明有益效果是可取得较精确的磁场分量Am，这样一来电子罗盘便可取得较精确的俯仰角、滚转角、或偏航角。

    磁阻结构及其制造方法
    7.
    发明公开
    磁阻结构及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN104143604A

    公开(公告)日：2014-11-12

    申请号：CN201310291378.7

    申请日：2013-07-11

    申请人： 宇能电科技股份有限公司

    发明人： 刘富台 ,  李干铭 ,  傅乃中

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G01R33/093 ,  H01L43/08

    摘要： 一种磁阻结构，包含基板及图案化的迭层结构。基板具有一背表面及包含一梯级部的一前表面。图案化的迭层结构系位于前表面的梯级部上，并且包含磁阻层、导电覆层及介电硬屏蔽。梯级部具有与该背表面平行的一上表面、与该背表面平行的一下表面、连接该上表面与该下表面的不平行于该背表面的一段差。本发明的有益效果是磁阻结构的迭层结构中具有介电硬屏蔽层，以确保结构的完整性与无缺陷。

    整合式磁阻传感器
    8.
    发明公开
    整合式磁阻传感器 无效

    公开(公告)号：CN103809135A

    公开(公告)日：2014-05-21

    申请号：CN201310055756.1

    申请日：2013-02-21

    申请人： 宇能电科技股份有限公司

    发明人： 李乾铭 ,  傅乃中 ,  陈光镜

    IPC分类号： G01R33/09

    CPC分类号： G01R33/093

    摘要： 一种整合式磁阻传感器包含一基板、一磁阻传感元件及一内建自我测试(BIST)单元。该基板具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。该磁阻传感元件，位于该基板的该第一表面上方，至少包含一不平行于该第一表面的磁阻层。该内建自我测试单元是位于该基板的该第一表面上方且至少包含对应至该磁阻层的一导电部。其中该导电部是用以产生垂直该基板的该第一表面的磁场，且该导电部在该第一表面上的导电部投影与该磁阻层在该第一表面上的磁阻层投影不交迭。