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公开(公告)号：CN103809135A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310055756.1
申请日：2013-02-21
申请人： 宇能电科技股份有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/093
摘要： 一种整合式磁阻传感器包含一基板、一磁阻传感元件及一内建自我测试(BIST)单元。该基板具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。该磁阻传感元件，位于该基板的该第一表面上方，至少包含一不平行于该第一表面的磁阻层。该内建自我测试单元是位于该基板的该第一表面上方且至少包含对应至该磁阻层的一导电部。其中该导电部是用以产生垂直该基板的该第一表面的磁场，且该导电部在该第一表面上的导电部投影与该磁阻层在该第一表面上的磁阻层投影不交迭。
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公开(公告)号：CN103197266A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310007670.1
申请日：2013-01-09
申请人： 宇能电科技股份有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/096 , B82Y25/00 , G01R33/09 , G01R33/093
摘要： 一种磁阻感测装置及其磁阻感测元件，该磁阻感测元件包括基材、磁性层、第一电极以及第二电极。基材具有一个基准平面，其中第一电极和第二电极均位于基准平面上方。磁性层位于基准平面上，并与基准平面夹一个非平角，且具有一个磁化方向以及一个用来导通第一电极与第二电极的电流导通路径，其中此一电流导通路径与磁化方向夹一个角度。
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公开(公告)号：CN102809731B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110440571.3
申请日：2011-12-23
申请人： 宇能电科技股份有限公司
CPC分类号： G01R33/096 , Y10T428/24942
摘要： 本发明涉及一种自旋阀磁阻传感器。该自旋阀磁阻传感器包括一对第一自旋阀磁阻结构以及一对第二自旋阀磁阻结构，一对第一自旋阀磁阻结构包括第一磁阻层、第二磁阻层以及间隔层。第一磁阻层具有固定的第一磁化方向，第二磁阻层配置于第一磁阻层的一侧，其具有第二磁化方向，在外加磁场为零时，第二磁化方向和第一磁化方向间的夹角范围为30～60度或120～150度，且第二磁化方向随着外加磁场的强弱而产生和第一磁化方向间的夹角变化，进而改变第一自旋阀磁阻结构的第一电阻值；一对第二自旋阀磁阻结构包括第三磁阻层、第四磁阻层以及第二间隔层，第三磁阻层具有固定的第三磁化方向，且第三磁化方向和第一磁化方向相同。本发明自旋阀磁阻传感器具有较简单的制程。
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公开(公告)号：CN102866365B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110346438.1
申请日：2011-11-04
申请人： 宇能电科技股份有限公司
CPC分类号： H01L43/02 , G01R33/098 , H01F10/3254 , H01L27/22
摘要： 本发明提供一种穿隧式磁阻传感器，包括基板、绝缘层、第一电极阵列以及穿隧磁阻元件。绝缘层是配置于基板上方。穿隧磁阻元件嵌于该绝缘层中，其中该穿隧磁阻元件之接近该基板的一表面直接接触该绝缘层。第一电极阵列包括至少一第一电极、一第二电极与一第三电极，彼此间隔地排列于绝缘层上方且配置于穿隧磁阻元件远离该基板一表面的上方，并分别电性连接至该穿隧磁阻元件，该第二电极配置于该第一电极与该第三电极之间。电流沿平行于穿隧磁阻元件的平面的方向流经第一电极、第二电极、第三电极及穿隧磁阻元件。此穿隧式磁阻传感器为平面穿隧式磁阻传感器，也就是说其仅需形成单层电极与穿隧磁阻元件电性连接，具有简化制程与节省成本的优点。
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公开(公告)号：CN103094470B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210431518.1
申请日：2012-11-01
申请人： 宇能电科技股份有限公司
CPC分类号： H01L43/12
摘要： 本发明提出一种磁阻元件结构形成方法，包含：提供基板；于该基板上方形成金属镶嵌结构，再于该金属镶嵌结构上方形成图形化磁阻单元，与该金属镶嵌结构完成电性连接。本发明所述之磁阻元件结构形成方法，不但可将集成电路与磁阻材料整合在一起，达到体积极小化，且可将对准之标记与制程巧妙结合，节省光罩的层数。
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公开(公告)号：CN103197266B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201310007670.1
申请日：2013-01-09
申请人： 宇能电科技股份有限公司
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/096 , B82Y25/00 , G01R33/09 , G01R33/093
摘要： 一种磁阻感测装置及其磁阻感测元件，该磁阻感测元件包括基材、磁性层、第一电极以及第二电极。基材具有一个基准平面，其中第一电极和第二电极均位于基准平面上方。磁性层位于基准平面上，并与基准平面夹一个非平角，且具有一个磁化方向以及一个用来导通第一电极与第二电极的电流导通路径，其中此一电流导通路径与磁化方向夹一个角度。
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公开(公告)号：CN102655208B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110069017.9
申请日：2011-03-22
申请人： 宇能电科技股份有限公司
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/098 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052 , Y10T428/12465 , Y10T428/12632 , Y10T428/12903
摘要： 本发明提出一种磁阻传感器的制造方法，包括下述步骤：首先提供基材。接着在基材上形成至少一个磁阻元件及与磁阻元件电性连结的至少一个焊垫。然后，在磁阻元件及焊垫上形成护层。再在护层上形成一个磁性屏蔽与集中结构，对应磁阻元件。之后再在护层上形成开口，将焊垫开口定义出来。本发明的磁阻传感器的制造方法，可提高磁阻传感器的制程良率，同时降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102655208A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110069017.9
申请日：2011-03-22
申请人： 宇能电科技股份有限公司
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G01R33/098 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052 , Y10T428/12465 , Y10T428/12632 , Y10T428/12903
摘要： 本发明提出一种磁阻传感器的制造方法，包括下述步骤：首先提供基材。接着在基材上形成至少一个磁阻元件及与磁阻元件电性连结的至少一个焊垫。然后，在磁阻元件及焊垫上形成护层。再在护层上形成一个磁性屏蔽与集中结构，对应磁阻元件。之后再在护层上形成开口，将焊垫开口定义出来。本发明的磁阻传感器的制造方法，可提高磁阻传感器的制程良率，同时降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102544351A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110090237.X
申请日：2011-04-11
申请人： 宇能电科技股份有限公司
CPC分类号： G01R33/093 , B82Y25/00 , G01D5/16 , G01R33/06 , G01R33/09 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165
摘要： 本发明涉及一种磁阻传感器，其包括基板、导线构造层及磁阻构造。其中，导线构造层配置于基板上方，且导线构造层具有彼此相对的第一表面和第二表面，第一表面朝向基板。磁阻构造配置于导线构造层的第二表面上，用以与导线构造层完成电性连接。上述磁阻传感器可提升磁阻传感器的磁阻信号与线性感测区间，并获得较佳的可靠度。本发明还提供一种上述磁阻传感器的制造方法。
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公开(公告)号：CN103094470A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210431518.1
申请日：2012-11-01
申请人： 宇能电科技股份有限公司
CPC分类号： H01L43/12
摘要： 本发明提出一种磁阻元件结构形成方法，包含：提供基板；于该基板上方形成金属镶嵌结构，再于该金属镶嵌结构上方形成图形化磁阻单元，与该金属镶嵌结构完成电性连接。本发明所述之磁阻元件结构形成方法，不但可将集成电路与磁阻材料整合在一起，达到体积极小化，且可将对准之标记与制程巧妙结合，节省光罩的层数。
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