发明公开
CN102544351A 磁阻传感器及其制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 磁阻传感器及其制造方法
- 专利标题(英): Magnetoresistance sensor and fabricating method thereof
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申请号: CN201110090237.X申请日: 2011-04-11
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公开(公告)号: CN102544351A公开(公告)日: 2012-07-04
- 发明人: 刘富台 , 李乾铭
- 申请人: 宇能电科技股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹县竹北市台元街28号5楼之2
- 专利权人: 宇能电科技股份有限公司
- 当前专利权人: 宇能电科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹县竹北市台元街28号5楼之2
- 代理机构: 上海波拓知识产权代理有限公司
- 代理商 杨波
- 优先权: 099147343 2010.12.31 TW
- 主分类号: H01L43/08
- IPC分类号: H01L43/08 ; G01R33/09 ; H01L43/12
摘要:
本发明涉及一种磁阻传感器,其包括基板、导线构造层及磁阻构造。其中,导线构造层配置于基板上方,且导线构造层具有彼此相对的第一表面和第二表面,第一表面朝向基板。磁阻构造配置于导线构造层的第二表面上,用以与导线构造层完成电性连接。上述磁阻传感器可提升磁阻传感器的磁阻信号与线性感测区间,并获得较佳的可靠度。本发明还提供一种上述磁阻传感器的制造方法。
IPC分类: