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公开(公告)号:CN113382824A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202080012099.0
申请日:2020-03-02
Applicant: 丸石产业株式会社
IPC: B24B37/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明有关于使用于研磨装置且为供研磨垫贴附的平台的改良。本发明的平台包含平台本体、及于前述平台本体的供前述研磨垫贴附的表面形成的由离型膜或离型纸所构成的离型层。离型层的表面的剥离力为0.08N/50mm以上5.0N/50mm以下。本发明可适用于利用具有粘合剂的一般的研磨垫的研磨装置。依据本发明,可比以往更容易地进行研磨垫的固定作业及交换作业。
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公开(公告)号:CN107073681A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201480081839.0
申请日:2014-11-26
Applicant: 丸石产业株式会社
IPC: B24B37/30
Abstract: 本发明涉及一种保持垫片,该保持垫片为用以保持被研磨构件的保持垫片。本发明的保持垫片具有保持层。所述保持层在其表面上的一部分具有模板固定部,用以贴附防止被研磨构件的横向偏移用的模板;所述模板固定部在其表面具有用以吸附固定模板的吸附层;所述吸附层以由既定的硅氧烷所构成的聚硅氧交联而成的组合物所形成。本发明的保持垫片使模板为可脱附,并可在研磨处理时确实固定模板。
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公开(公告)号:CN102596506B
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201080046556.4
申请日:2010-09-28
IPC: B24B37/24 , B24B37/07 , D03D1/00 , D03D15/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24D11/006 , D03D13/008
Abstract: 本发明提供一种适合于高硬度的半导体材料的研磨的研磨垫(14)。前述研磨垫(14)用于与游离磨粒组合而进行研磨,在前述研磨垫(14)中,在对研磨对象物(16)进行研磨的面(15)上具备由拉伸强度为15cN/dtex以上的高强力有机纤维构成的织物。在此织物中,例如高强力有机纤维的单纤维纤度可为0.3~15dtex左右,高强力有机纤维的总纤度可为3~3,000dtex左右。作为如此的高强力有机纤维,例如包含全芳香族聚酯纤维。
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公开(公告)号:CN103846786A
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201310425342.3
申请日:2013-09-17
Applicant: 丸石产业株式会社
IPC: B24B37/24
CPC classification number: B24B37/24
Abstract: 本发明公开一种研磨垫,其通过将含有基材和吸附层的吸附材、与研磨层接合而成,所述吸附层包括通过包含仅在两末端具有乙烯基的直链状聚有机硅氧烷的聚有机硅氧烷等交联而成的组成物,所述吸附层的表面粗糙度的平均值Sa为0.02μm至0.06μm。在此,较佳的是所述吸附层的表面粗糙度均匀,较佳的是所述吸附层中心部的表面粗糙度(Sc)与Sa的差、以及所述吸附层端部的表面粗糙度(So)与Sa的差皆为0.02μm以下。此外,所述吸附材的基材较佳的是断裂强度为210MPa至290MPa、断裂伸度为80%至130%。本发明公开的具备吸附层的研磨垫,其可形成更高精度的研磨面,且可适应大面积化的研磨面。
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公开(公告)号:CN102596506A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080046556.4
申请日:2010-09-28
IPC: B24B37/24 , B24B37/07 , D03D1/00 , D03D15/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24D11/006 , D03D13/008
Abstract: 本发明提供一种适合于高硬度的半导体材料的研磨的研磨垫(14)。前述研磨垫(14)用于与游离磨粒组合而进行研磨,在前述研磨垫(14)中,在对研磨对象物(16)进行研磨的面(15)上具备由拉伸强度为15cN/dtex以上的高强力有机纤维构成的织物。在此织物中,例如高强力有机纤维的单纤维纤度可为0.3~15dtex左右,高强力有机纤维的总纤度可为3~3,000dtex左右。作为如此的高强力有机纤维,例如包含全芳香族聚酯纤维。
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公开(公告)号:CN111819033B
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN201980017337.4
申请日:2019-05-07
Applicant: 丸石产业株式会社
IPC: B24B37/24 , B24B37/22 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于一种研磨垫,其由基材、以及形成于基材上的吸附层及研磨层所构成。吸附层含有由选自包含仅在两末端具有乙烯基的直链状聚有机硅氧烷的聚硅氧等中的至少1种聚硅氧所交联成的组合物。此外,本发明的特征为在吸附层上具备沿着研磨垫外周的环状屏蔽构件。该研磨垫为在研磨作业时将该吸附层吸附、固定于平台并将研磨浆液供给至研磨层上而使用。本发明中,环状屏蔽构件可抑制研磨浆液侵入吸附层与平台间的界面。
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公开(公告)号:CN110573300A
公开(公告)日:2019-12-13
申请号:CN201880028532.2
申请日:2018-06-01
Applicant: 丸石产业株式会社
IPC: B24B37/22 , B32B27/00 , B32B27/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明是关于一种研磨方法,该研磨方法适用于具备既定的吸附层的研磨垫。该研磨垫是具备包含聚硅氧等的吸附层,该聚硅氧是包含仅在两末端具有乙烯基的直链状聚有机硅氧烷。在本发明中,将研磨垫固定于固定盘后,在对所述研磨垫一边加压被研磨物一边使其滑动而进行研磨时,将固定盘的表面粗糙度(Ra)设为0.01至0.7μm,其后,将研磨垫的吸附层吸附固定于固定盘而进行研磨作业。通过如此的方式调整固定盘的表面粗糙度,可抑制在被研磨物表面产生难以预测的伤痕或粗糙。此外,固定盘表面粗糙度的调整方法较优选是将所述表面粗糙度的膜接合于固定盘的表面。
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公开(公告)号:CN111867781B
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN201980019602.2
申请日:2019-04-24
Applicant: 丸石产业株式会社
IPC: B24B37/12 , B24B37/22 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种在将研磨垫固定于平台时设置于研磨垫与平台之间的薄板状衬底。该衬底是一种新颖的辅助构件,在与研磨垫相接的表面上形成有至少1条沿着衬底外缘的环状沟,另外,形成有至少1条从形成于最外缘侧的环状沟往衬底的外缘方向延伸且在外缘端部具有开口的排出沟。在将该衬底固定于平台后,将研磨垫固定于衬底,据此而可抑制因研磨浆液所导致的研磨垫剥离等。
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公开(公告)号:CN111867781A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201980019602.2
申请日:2019-04-24
Applicant: 丸石产业株式会社
IPC: B24B37/12 , B24B37/22 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种在将研磨垫固定于平台时设置于研磨垫与平台之间的薄板状衬底。该衬底是一种新颖的辅助构件,在与研磨垫相接的表面上形成有至少1条沿着衬底外缘的环状沟,另外,形成有至少1条从形成于最外缘侧的环状沟往衬底的外缘方向延伸且在外缘端部具有开口的排出沟。在将该衬底固定于平台后,将研磨垫固定于衬底,据此而可抑制因研磨浆液所导致的研磨垫剥离等。
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公开(公告)号:CN111819033A
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN201980017337.4
申请日:2019-05-07
Applicant: 丸石产业株式会社
IPC: B24B37/24 , B24B37/22 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于一种研磨垫,其由基材、以及形成于基材上的吸附层及研磨层所构成。吸附层含有由选自包含仅在两末端具有乙烯基的直链状聚有机硅氧烷的聚硅氧等中的至少1种聚硅氧所交联成的组合物。此外,本发明的特征为在吸附层上具备沿着研磨垫外周的环状屏蔽构件。该研磨垫为在研磨作业时将该吸附层吸附、固定于平台并将研磨浆液供给至研磨层上而使用。本发明中,环状屏蔽构件可抑制研磨浆液侵入吸附层与平台间的界面。
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