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公开(公告)号：CN118553802A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410720596.6
申请日：2024-06-05
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
发明人： 李涛勇
IPC分类号： H01L31/0443 , H01L31/0747 , H01L31/05 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及以半导体晶体硅材料为衬底的pn结光伏电池制备技术领域，公开了一种具有续流保护功能的硅光伏电池及其制造方法和应用，装置包括原位集成的光电转换单元pn结和肖特基二极管MS结，所述肖特基二极管MS结和所述光电转换单元pn结呈极性反向的并联状态；所述肖特基二极管MS结与第一硅区域之间设置有第三硅区域。本发明提供的装置和方法能实现单片硅光伏电池的原位续流热斑保护，不需外接，简化设计，可靠性高；续流二极管导通压降低、芯片周长面积比大、电流密度低、导通电阻小、散热条件好；减少光生非平衡少子的损失，有利于维持硅光伏电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116952967B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311209203.7
申请日：2023-09-19
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明涉及石英坩埚技术领域，尤其是指一种石英坩埚检测装置，包括支撑架；放置板，放置板固接在所述支撑架的侧壁；坩埚本体，坩埚本体设置在所述放置板的上端面；连接杆，连接杆固接在所述支撑架的侧壁；LED灯具，LED灯具设置在所述连接杆的侧壁，LED灯具灯光朝向坩埚本体；工作时，将待检测的石英坩埚置于放置板上方，之后开启LED灯具，使其产生的灯光照射至坩埚本体表面，并通过检测灯一对坩埚表面的进行检测，来检测出外表面是否有异物，裂纹、开口的气泡，在检测过程中，通过控制调节机构，可以将坩埚本体进行转动，解决了现有技术中由于石英坩埚的底面与检测平台的接触面无法被检测到的问题，有利于石英坩埚后续使用。
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公开(公告)号：CN116590786B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310878268.4
申请日：2023-07-18
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明涉及单晶炉技术领域，尤其是指一种单晶炉热场拆装装置，包括定位杆，所述定位杆的横截面呈六边形设置，所述定位杆的外侧固接有四根膨胀囊，所述定位杆的内侧设置有气压组件，所述气压组件用于给膨胀囊提供气压，所述定位杆的底部设置有下支撑杆，通过此种设置，就能将导流筒垂直拉起，而且支撑稳定，可以将导流筒稳定提起，加快了拆卸热场的效率，且在导流筒在检查结束后，也能通过相同的方法将导流筒放回到单晶炉中，而膨胀囊的设置，是为了减少下支撑杆底部与石墨件导流筒的摩擦，向外顶出的膨胀囊会接触到导流筒的内壁，将下支撑杆和定位杆维持在导流筒的中部，减少了下沉过程中因为摩擦导致导流筒受损的问题。
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公开(公告)号：CN116334740B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310627350.X
申请日：2023-05-31
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本申请的实施例提供了一种单晶炉及单晶炉降氧方法，涉及单晶炉技术领域。该单晶炉包括炉体、坩埚、加热器、保温筒、供氩装置以及吸氧装置，保温筒设置于炉体内，坩埚设置于保温筒内，坩埚内用于盛放硅液，加热器设置于炉体内，以对坩埚进行加热；供氩装置设置于炉体上，以向坩埚内通入氩气；吸氧装置设置于炉体内，用于吸附坩埚内的氧气，其能够在不降低发热圈的高度的基础上降低坩埚内的氧含量。
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公开(公告)号：CN116657242A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310962205.7
申请日：2023-08-02
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明属于单晶硅生产技术领域，具体涉及直拉法生长单晶硅用籽晶的制备方法、籽晶和生长方法。籽晶的制备方法包括使籽晶母棒进行画线处理，得到画线的籽晶母棒，所述籽晶母棒为等径断线的单晶棒，所述籽晶母棒的等径断线端具有位错，在所述位错的边界位置进行所述画线处理，使所述画线的籽晶母棒进行截断处理和掏磨处理，得到直拉法生长单晶硅用的籽晶，所述掏磨处理包括：在所述画线的位置掏磨标记；所述籽晶的一端具有位错部，所述位错部具有所述位错，基于所述籽晶的长度，所述位错部的长度占比为5%~10%。用本发明的制备方法制备籽晶，能够增加生长单晶硅时的产率，同时由于采用等径断线的单晶棒作为籽晶母棒，能够节约用料成本。
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公开(公告)号：CN116479523A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310745490.7
申请日：2023-06-25
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明涉及硅单晶的制备技术领域，公开了一种生长非圆柱状硅单晶锭的装置和方法，装置包括供给多晶硅原料的送料装置、加热约束线圈、引晶和拉晶装置，形状约束线圈，其设置在所述加热约束线圈的下方，并围绕在结晶生长界面附近的熔硅池和硅单晶锭的外周围，所述形状约束线圈的下开口的横截面形状与所拉制硅单晶锭的横截面形状相对应，用于通过所述形状约束线圈产生的交变磁场和感生电流，约束硅单晶锭结晶生长界面附近熔硅的横截面形状呈非圆柱状，在籽晶的引导下，冷却生长出非圆柱状的硅单晶锭。本发明提供的装置和方法能实现以区熔法生长非圆柱形硅单晶锭，可以扩大单晶锭的横截面积和单根硅的单重，提高生产效率和硅片切片利用率。
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公开(公告)号：CN116446036A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310702793.0
申请日：2023-06-14
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明涉及一种单晶炉水冷装置。本发明属于单晶体制造技术领域，包括主炉筒；所述主炉筒顶部经法兰固接有炉盖；所述炉盖顶部经法兰固接有连接筒；所述主炉筒内卡接有连接保温筒；所述保温筒内顶部卡接有水冷单元；通过设置水冷单元，采用可径向滑动的多个水冷板配合延伸板，可根据不同直径的单晶体进行位置调节，保持热传导距离不变或降低，同时延伸板的存在可提高热传导面积，均用于确保对单晶体冷却时，冷却效率不降或是提高，避免单晶体制造过程中，处于引晶和放肩步骤之间所形成的小直径连接单晶体未冷却完全，在后续大直径单晶体生成时，对小直径连接单晶体产生较大的拉力而形变或是断裂，造成单晶体制造失败。
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公开(公告)号：CN116180229B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310493254.0
申请日：2023-05-05
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明涉及硅单晶的制备技术领域，公开了区熔连续加料生长硅单晶的装置和方法，装置包括炉体，设置在下炉腔室内的电磁约束加热器，设置在炉体上的抽真空装置和保护气体流量控制装置，设置在下炉腔室的硅单晶锭支撑拉晶模块以及设置在上炉腔室和下炉腔室之间的隔离阀，还包括：送料模块、余料送料模块和焊接线圈；送料模块用于夹持多晶硅棒新料，并持续送料，并且在所夹持多晶硅棒新料消耗至预定长度、由余料送料模块夹持接续送料时自动对多晶硅棒余料解持，返回上炉腔室。本发明提供的装置和方法能实现装置持续送料生长硅单晶锭，扩大了单根硅单晶锭的单重，提高了生产效率和硅片切片利用率，成为高效制备区熔硅单晶的技术手段。
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公开(公告)号：CN116397318A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310680124.8
申请日：2023-06-09
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明涉及单晶炉技术领域，尤其是指一种单晶坩埚装载装置；包括上滑柱，所述上滑柱的顶部固接有对接盘，所述对接盘的顶部设置有坩埚托盘，所述坩埚托盘呈圆盘形设置，所述坩埚托盘包括三个体积相同的瓣片，所述坩埚托盘的顶面中部固接有环形的锁定环，所述瓣片的外侧设置有驱动组件，所述驱动组件用于带动瓣片在对接盘的顶部滑动，通过驱动组件让三个石墨坩埚分离，此时石墨坩埚和石英坩埚相互分离，两者直接存在缝隙，可以更加便捷的将石英坩埚取出，且相互分离的石墨坩埚也更加方便取出，通过此种设置，不仅方便了石英坩埚的取出过程，同时也方便了石墨坩埚的安放和取出过程。
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公开(公告)号：CN116145239B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310443553.3
申请日：2023-04-24
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明属于单晶硅生长技术领域，具体涉及单晶硅加料监测方法和单晶硅连续加料装置及其生长装置，包括以下步骤：在连续加料时，基于光源经光栅网格发出的光束网格照射到当前时刻硅料上形成的当前时刻网格图案，结合霍夫变换，实时获取各多边形的顶点；实时获取若干单个封闭网格的相应面积Sa1；基于Sa1，实时获取单个封闭网格面积的几何平均值Sa；基于Sa、SL，实时获取当前时刻下|Sa‑SL|的值来判断下次连续加料时机；循环S5‑S9，直至达到拉制单晶硅所需重量时停止加料。本发明通过光束网络形成的矩形的形变量并经特定关系的转化后相应地对硅料熔化情况进行实时准确监测，从而利于获取连续加料的时机和加料次数。
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