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公开(公告)号：CN118712093A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410671510.5
申请日：2024-05-27
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明属于半导体刻蚀技术领域，公开了一种干法刻蚀的终点检测方法，包括：将干法刻蚀机调制为终点检测模式，并预设碳化硅基芯片的氧化层进行干法刻蚀的各项参数；调节所述终点检测模式中预设的各项参数，并根据调节好的各项参数对所述碳化硅基芯片的氧化层进行干法刻蚀；实时自动检测所述碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点，并控制所述干法刻蚀机在检测到刻蚀终点时终止刻蚀。本发明提供的干法刻蚀的终点检测方法，通过调节所述终点检测模式中预设的各项参数，可以自动检测到碳化硅基芯片的氧化层的刻蚀终点，有效的提高了碳化硅基芯片的氧化层的干法刻蚀效率。
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公开(公告)号：CN106876446B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201710179874.1
申请日：2017-03-23
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种大功率槽栅门级T‑MOSFET结构设计，所述T‑MOSFET中槽栅门级的转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。本发明所述的大功率槽栅门级T‑MOSFET结构设计降低了宽禁带材料T‑MOSFET槽栅门级结构的槽栅氧化层‑半导体界面等效曲率，进而大幅降低槽栅门级结构转角区域的最大电场强度，降低内部雪崩击穿的可能性，提高宽禁带材料T‑MOSFET槽栅门级结构和器件整体的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117276226B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311435343.6
申请日：2023-11-01
申请人： 深圳基本半导体有限公司
摘要： 本申请实施例涉及半导体技术领域，并提供一种功率模块、封装结构及电子设备。功率模块包括绝缘的基板及位于基板上的半桥结构，半桥结构包括彼此间隔设置的第一负载轨道、第二负载轨道、第一直流负极区域、第二直流负极区域。第一负载轨道包括一体形成并顺次连接的第一上桥臂区域、直流正极区域和第二上桥臂区域。第二负载轨道包括一体形成并顺次连接的第一下桥臂区域、交流区域和第二下桥臂区域。第一下桥臂区域位于第一直流负极区域和交流区域之间，第二下桥臂区域位于第二直流负极区域和交流区域之间。
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公开(公告)号：CN117476582B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311824578.4
申请日：2023-12-28
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本申请提供了一种碳化硅通孔结构，包括依次层叠设置的阻挡层、浸润层、种子层、填充层和抗反射层；所述阻挡层包括第一Ti层和第一TiN层；所述浸润层的材质为Ti；所述种子层的材质为Al；所述填充层包括Cu和Al；其中，所述Cu的含量为0.1‑1.0%；所述抗反射层包括第二Ti层和第二TiN层。通过设置材质为Ti的浸润层和第二Ti层，将Al材质的种子层与填充层夹在中间，从而生成TiAl3，减少了Al原子沿电流方向的定向迁移，增加了机械稳定性，解决了碳化硅通孔在填充时易产生缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN117219506B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311481817.0
申请日：2023-11-09
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/32 , H01L21/04 , H01L21/02
摘要： 本申请提供了一种消除刻蚀负载效应的方法，所述方法包括：在所述二氧化硅层将所述第一刻蚀区的第一目标区域刻蚀去除；其中，所述第一目标区域的厚度小于所述二氧化硅层的厚度；在所述二氧化硅层表面涂覆感光材料，并进行曝光和显影，使所述第一刻蚀区的第一目标区域和第二刻蚀区的第二目标区域露出；沿所述第一目标区域的方向将剩余的所述二氧化硅层进行刻蚀，并沿所述第二目标区域的方向将剩余的所述二氧化硅层刻蚀进行刻蚀，得到目标晶圆。本申请通过一次掩膜阻挡第二刻蚀区，先刻蚀第一刻蚀区一定深度再将所有区域露出进行干法刻蚀规避补偿负载效应造成的刻蚀深度差别的影响。
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公开(公告)号：CN117476582A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311824578.4
申请日：2023-12-28
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本申请提供了一种碳化硅通孔结构，包括依次层叠设置的阻挡层、浸润层、种子层、填充层和抗反射层；所述阻挡层包括第一Ti层和第一TiN层；所述浸润层的材质为Ti；所述种子层的材质为Al；所述填充层包括Cu和Al；其中，所述Cu的含量为0.1‑1.0%；所述抗反射层包括第二Ti层和第二TiN层。通过设置材质为Ti的浸润层和第二Ti层，将Al材质的种子层与填充层夹在中间，从而生成TiAl3，减少了Al原子沿电流方向的定向迁移，增加了机械稳定性，解决了碳化硅通孔在填充时易产生缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN117371258A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311678319.5
申请日：2023-12-08
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F30/10 , H01L21/04 , G06F113/08
摘要： 本申请公开了一种离子注入沟道效应抑制方法，所述方法包括确定屏蔽层厚度，仿真获得形成所述屏蔽层的氧化仿真参数；对确定厚度的所述屏蔽层进行离子注入仿真，获得离子注入的注入仿真参数；以所述氧化仿真参数和所述注入仿真参数为依据，进行实际流片；还包括选取外延片，以所述氧化仿真参数和所述注入仿真参数为依据，在所述外延片上热氧化形成所述确定厚度的屏蔽层，并在形成有所述屏蔽层的外延片上进行离子注入；在已完成离子注入的外延层上形成碳保护膜，完成激活退火后去除所述外延层上覆盖的碳保护膜，本申请通过设置屏蔽氧化层将注入的离子在进入SiC晶片前的运动方向变为无序化，有效抑制了SiC晶片离子注入过程中的沟道效应。
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公开(公告)号：CN117062421B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311322627.4
申请日：2023-10-13
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H05K7/20
摘要： 在本申请的实施例中提供了一种液冷型针翅散热结构，本申请提供了包括散热底板、散热翅片、伸缩挡板组件以及用于控制所述伸缩挡板组件的触发组件；所述散热底板一面设有用于和待散热装置贴合的散热区域，所述散热底板另一面设有所述散热翅片；所述散热底板与所述散热翅片连接的一面设有所述伸缩挡板组件和所述触发组件；所述触发组件设置在所述伸缩挡板组件靠近冷却液体流入的一侧；当对所述待散热装置进行散热时，通过冷却液体触发所述触发组件使所述伸缩挡板组件活动。本申请通过伸缩挡板组件能够有效的对冷却液体进行阻挡，从而能够有效均匀增加冷却液体和整个散热底板的接触时间，使得散热底板的散热具有更均匀的技术效果。
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公开(公告)号：CN117316992A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311609265.7
申请日：2023-11-29
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请提供了一种双栅结构的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，所述器件包括漏极，所述漏极表面设有N+衬底，所述N+衬底表面设有N‑外延层，所述N‑外延层内设有电场调制区，所述电场调制区设于所述N‑外延层的两侧，所述电场调制区包括N区和P区；所述N‑外延层表面设有P阱区，所述P阱区内设有N+源区；所述P阱区和所述N+源区的表面设有源极；所述P阱区和所述N+源区中央设有沟槽，所述沟槽的底部伸入所述N‑外延层内；当电流流到所述碳化硅MOSFET器件时，所述电场调制区缩短电流从P阱区流经到所述N+衬底的距离。
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公开(公告)号：CN117238972A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311524270.8
申请日：2023-11-16
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法。该结构包括：从下至上依次设置的n+型碳化硅衬底、n‑型漂移层、n型电流传输层；在n型电流传输层的顶部两侧分别从外至内依次设有p+型基区、n+型源区以及栅氧化层，栅氧化层包裹有多晶硅栅；栅氧化层、p+型基区以及n+型源区的底部设有p+型保护区；n型电流传输层的上方设有隔离介质层，隔离介质层的两侧分别设有接触电极，隔离介质层的上方设有源电极，n+型碳化硅衬底的背面设有漏电极。通过上述方式，本发明能够改变器件沟道电流的方向，使得沟道电流方向上没有设置沟槽保护结构，通过引入电流传输层减少沟槽保护结构对沟道电流的影响，获得更低的比导通电阻。
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