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公开(公告)号：CN117316994A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311609258.7
申请日：2023-11-29
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请提供了一种碳化硅半导体MOSFET器件及其制备方法，包括漏极，漏极表面设有N+衬底，N+衬底表面设有N‑外延层，N‑外延层内设有电场调制区；N‑外延层表面设有P阱区，P阱区内设有N+源区；P阱区和N+源区的表面设有欧姆接触区，欧姆接触区表面设有源极；P阱区和N+源区中央设有沟槽，沟槽的顶部伸入欧姆接触区内，沟槽的底部伸入N‑外延层内；所述沟槽内设有栅极结构，所述栅极结构的上部填充于栅源极介质层、下部填充于栅介质层内；所述栅极结构包括栅极和栅极掺杂区，所述栅极掺杂区设于所述栅极的表面。在栅极表面增加栅极掺杂区，可有效提升栅极多晶硅的导电性能，改善栅极电位分布不均引起的器件失效问题。
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公开(公告)号：CN117476582B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311824578.4
申请日：2023-12-28
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本申请提供了一种碳化硅通孔结构，包括依次层叠设置的阻挡层、浸润层、种子层、填充层和抗反射层；所述阻挡层包括第一Ti层和第一TiN层；所述浸润层的材质为Ti；所述种子层的材质为Al；所述填充层包括Cu和Al；其中，所述Cu的含量为0.1‑1.0%；所述抗反射层包括第二Ti层和第二TiN层。通过设置材质为Ti的浸润层和第二Ti层，将Al材质的种子层与填充层夹在中间，从而生成TiAl3，减少了Al原子沿电流方向的定向迁移，增加了机械稳定性，解决了碳化硅通孔在填充时易产生缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN117476582A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311824578.4
申请日：2023-12-28
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本申请提供了一种碳化硅通孔结构，包括依次层叠设置的阻挡层、浸润层、种子层、填充层和抗反射层；所述阻挡层包括第一Ti层和第一TiN层；所述浸润层的材质为Ti；所述种子层的材质为Al；所述填充层包括Cu和Al；其中，所述Cu的含量为0.1‑1.0%；所述抗反射层包括第二Ti层和第二TiN层。通过设置材质为Ti的浸润层和第二Ti层，将Al材质的种子层与填充层夹在中间，从而生成TiAl3，减少了Al原子沿电流方向的定向迁移，增加了机械稳定性，解决了碳化硅通孔在填充时易产生缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN117316992A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311609265.7
申请日：2023-11-29
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请提供了一种双栅结构的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，所述器件包括漏极，所述漏极表面设有N+衬底，所述N+衬底表面设有N‑外延层，所述N‑外延层内设有电场调制区，所述电场调制区设于所述N‑外延层的两侧，所述电场调制区包括N区和P区；所述N‑外延层表面设有P阱区，所述P阱区内设有N+源区；所述P阱区和所述N+源区的表面设有源极；所述P阱区和所述N+源区中央设有沟槽，所述沟槽的底部伸入所述N‑外延层内；当电流流到所述碳化硅MOSFET器件时，所述电场调制区缩短电流从P阱区流经到所述N+衬底的距离。
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公开(公告)号：CN117116747A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311337098.5
申请日：2023-10-17
申请人： 深圳基本半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/04 , H01L21/02 , H01L29/16
摘要： 本申请提供了一种碳化硅晶片的预处理方法及碳化硅晶片，包括步骤：使用清洗液对抛光后的碳化硅晶片进行清洗并干燥；对干燥后的所述碳化硅晶片进行气体等离子体处理；对等离子体处理后的所述碳化硅晶片进行轻掺杂磷离子注入；将磷离子注入后的所述碳化硅晶片进行退火处理，得到预处理的碳化硅晶片。通过等离子处理，可减少表面态与界面上的陷阱，实现物理清洗和化学清洗的双重作用，在不破坏衬底深层结构的情况下，清除表面杂质，同时，通过磷离子注入工艺，进一步提高SiC表面平整度，改善SiC晶片表面特性，提升SiC晶圆的质量，从而降低态密度对后续器件性能的影响。
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