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公开(公告)号：CN115497857B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110678490.0
申请日：2021-06-18
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种用于传感器芯片的半导体封装结构，包括外箱，所述外箱内设有放置块，所述放置块表面设有卡槽，所述卡槽内设有第一锥形齿轮，所述放置块上方设有驱动电机，所述驱动电机通过卡合机构与第一锥形齿轮连接，所述放置块内设有多个活动腔，多个所述活动腔内均转动连接有往复丝杠。本发明通过设置多个存放槽、卡合机构、转动机构与往复机构，能利用驱动电机带动第一锥形齿轮转动，从而利用第二锥形齿轮带动多根往复丝杠转动，从而通过丝杠套与连接杆推动推板，推板可以将存放在存放槽内的芯片推至出料板，从而送入封装机内进行封装，实现机械式且有节奏式送料，相较于传统的人工传递与拿取节省人力与时间。
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公开(公告)号：CN118102842B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410508848.9
申请日：2024-04-26
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种自清洁流量芯片的制作工艺。本发明包括提供衬底；制作支撑结构层；制作铂薄膜层；形成铂热电阻丝层；沉积一层第一氧化硅层；制作上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶以及中心热源；制作上游测温元件热电堆上层热电偶和下游测温元件热电堆上层热电偶；制作连接导线；所述铂热电阻丝层分别形成于靠近上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶各自冷端下方。本发明能够实现对测温元件敏感区的自清洁处理，从而保证下次使用时的精度不受影响。
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公开(公告)号：CN118032098A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410290495.X
申请日：2024-03-14
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本申请提供的一种适于热式流量传感器的气体流量标定方法，其基于LS‑SVM建立气体质量检测模型，采用BP神经网络计算得到使气体质量检测模型精度达到最优的核函数参数组合，将训练好的气体质量检测模型存储到待标定流量传感器模组中；在热式流量传感器模组使用前，基于气体质量检测模型完成对气体流量标定，整个过程无需人工参与自动完成标定过程，极大地提高了标定效率和的准确度。
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公开(公告)号：CN117907261A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410005940.3
申请日：2024-01-03
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/3504 , H10N10/17 , B81B7/02 , B81C1/00
摘要： 本公开的实施例提供一种集成硅透镜的气体传感器芯片及制备方法，包括：所述芯片包括硅透镜阵列结构和芯片本体；所述硅透镜阵列结构包括硅基底和若干滤光片；所述硅基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面形成有透镜阵列；所述硅基底的第二表面设置有所述滤光片；所述透镜与所述滤光片的位置对应设置；所述硅基底的第一表面与所述芯片本体上表面集成连接；其中，所述透镜与所述芯片本体的中心热端的位置相对应，其用于汇聚外部红外光源的能量至芯片本体的中心热端；透镜阵列包括凹透镜阵列。本公开中，在芯片本体上集成滤光片，在滤光片载体的硅基底上形成透镜阵列，凹透镜汇聚外部红外光源的能量至芯片中心热端，提高芯片灵敏度。
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公开(公告)号：CN117664440A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202410126648.7
申请日：2024-01-30
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明公开了基于MEMS压力传感器芯片贴装用压力监测校准治具，涉及压力校准领域，针对MEMS压力传感器的校准这一过程，提出了动态多级施压的方案，采用先注气增压后分级曝气的方式，其本质是：在完成增压阶段时，其注气管内部的积压总值处于相对定值，单级释放这一过程中，存在瞬间释放和平稳释放两种状态下的显示数值，以此方式为基础，结合到动态多级施压的施压方式，集合多个显示数值并进行误差率计算得到误差率，最终对受检本体上中第一级数中的显示数值进行二次优化后得到补偿因子，其目的是：以动态施压的方式，可以同步对多个受检本体进行同步优化，每个受检本体之间的校准过程不干涉但相互关联，以此方式提高使用数据的准确率。
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公开(公告)号：CN117408641A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311688011.9
申请日：2023-12-11
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司 , 无锡芯灵微电子有限公司
IPC分类号： G06Q10/10 , G06Q10/0635 , G06Q10/0639 , G06Q50/04 , G06F18/25
摘要： 本发明涉及产线运行监管技术领域，尤其涉及基于数据分析的压力传感器产线加工运行监管系统，包括监管平台、数据采集单元、稳定评估单元、供应监管单元、堆积流动单元、生产融合单元、趋势评估单元以及产线管理单元；本发明通过从点到面的方式对加工产线生产进行监管分析，以提高加工产线的生产效率和生产稳定性，同时保证加工产线运行的安全性，从面的角度进行分析，即对产线流动评估值进行深入式数据融合评估分析，以了解前端供料、中断设备以及后端产品对加工产线整体的生产影响程度，以便结合整体影响情况对加工产线进行合理管理，有助于对加工产线的管理决策进行合理调整，以保证加工产线的生产效率和生产稳定性。
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公开(公告)号：CN117320530A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311438338.0
申请日：2023-11-01
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有微针结构热源的流量芯片的制作方法。本发明包括提供一衬底；在所述衬底上制作多晶硅半导体层；以所述多晶硅半导体层为光刻图形化基础，在所述衬底上分别制作MEMS热式流量传感器芯片的上游热电堆测温元件、下游热电堆测温元件和中心热源；所述中心热源的制作方法包括：对所述多晶硅半导体层通过光刻图形化，形成中心热源层热电偶；在所述中心热源层热电偶表面制作一层单层有序PS球阵列层；将所述单层有序PS球阵列层表面通过磁增强反应离子刻蚀的方法蚀刻出一层微阵列微针微纳圆锥结构。本发明通过在热源上方刻蚀硅微针结构，避免了由于热源温度过度波动而引起的误差，从而提高了整体芯片的精度。
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公开(公告)号：CN116448290A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310695679.X
申请日：2023-06-13
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及压力传感器技术领域，具体公开了一种高频动态MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，高频动态MEMS压阻式压力传感器包括包括基底、第一衬底和压力敏感薄膜，压力敏感薄膜设置在第一衬底上，第一衬底设置在所述基底上；压力敏感薄膜包括压敏电阻、欧姆接触区、第一钝化层、第二钝化层、压敏电极层、第三钝化层、第一驱动电极层、第一介电层、第二驱动电极层、第四钝化层、第五钝化层、第一应变电极层和第二介电层。本发明提供的高频动态MEMS压阻式压力传感器，能够有效提高MEMS压阻式压力传感器的高频动态特性，并且可以减小甚至消弭外界环境对传感器的冲击影响，降低压力传感器的零偏和温漂，提高压力传感器的精度。
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公开(公告)号：CN116337293A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310621406.0
申请日：2023-05-30
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： G01L1/22
摘要： 本发明提供了一种扩散硅压阻式压力传感器模块，其能减小扩散硅压阻式压力传感器模块受热膨胀带来的影响。其包括包封外壳，包封外壳内安装有基板、绝压传感器、专用集成电路，绝压传感器通过胶水固定在基板上，包封外壳上开设有介质入口，介质入口通过设于基板内的介质通道与绝压传感器正面的接触介质面相连通，包封外壳内还开设有活塞腔、石蜡腔，活塞腔内安装有活塞，活塞将活塞腔分隔形成与石蜡腔连通的连通腔一、与介质通道连通的连通腔二，绝压传感器的背面位于石蜡腔内，石蜡腔和连通腔一内填充有石蜡。
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公开(公告)号：CN115979501A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310098625.5
申请日：2023-02-10
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种液体介质压力传感器，包括：介质通道，用于传输待测液体介质；压力测量器件，与所述介质通道连通，用于测量所述待测液体介质的压力；多孔结构，位于所述介质通道和所述压力测量器件之间，所述多孔结构内部具有大量连续型孔洞，所述连续型孔洞能够将所述介质通道和压力测量器件连通，所述连续型孔洞的孔径小于1mm，在低温环境下，所述连续型孔洞能够提供结晶核使位于所述连续型孔洞内的所述待测液体介质先行结冰。本申请的液体介质压力传感器，其多孔结构在保证检测功能的同时可以实现对液体介质传感器的防冻保护。相对于现有技术，本申请结构简单，无需设置气泡或者改变压力测量器件的安装方式，从而能够降低生产难度和成本。
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