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公开(公告)号：CN114994928B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210515792.0
申请日：2022-05-12
申请人： 成都莱普科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种基于衍射光学元件的斜向多焦点产生系统及方法，包括斜向多焦点衍射光学元件和紧贴所述衍射光学元件的聚焦镜，所述衍射光学元件是将光栅进行弯曲畸变得到的，简易地二台阶(0‑π)相位结构的衍射光学元件结合聚焦镜实现斜向多焦点分布，其焦点间隔和焦点连线与主光轴的夹角θ可以定制，结构简单，衍射光学元件台阶数仅为2阶，利于加工，定制性强，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN118624532A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411092920.0
申请日：2024-08-09
申请人： 成都莱普科技股份有限公司
摘要： 本申请提供一种激光透过功率的测量方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：测量激光器所发出激光的原始功率以及激光分别透过多个衰减片后的衰减功率；根据衰减功率与原始功率计算衰减片的衰减系数；获取激光透过待测元件的信号值，并确定出目标衰减片组合；其中，激光透过衰减片组合后的信号值与激光透过待测元件的信号值一致；以及根据目标衰减片组合的目标组合衰减系数与原始功率，计算激光透过待测元件的透过功率。该方法通过确定出所透过激光的信号值与透过待测元件的激光的信号值一致的目标衰减片组合，并根据组合衰减系数与原始功率计算激光透过待测元件的透过功率，降低了对激光对待测元件的损坏的基础之上，提高了测量的精确度。
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公开(公告)号：CN116931286B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311188945.6
申请日：2023-09-15
申请人： 成都莱普科技股份有限公司
IPC分类号： G02B27/09
摘要： 本申请实施例提供一种光束整形模组、方法及装置，涉及光学技术领域，模组包括顺序设置的鲍威尔棱镜、平凸球面透镜和若干个平凸柱面透镜；鲍威尔棱镜用于接收单模高斯光束并将其整形为扇形发散的X轴方向为线性分布的第一光斑；其中，单模高斯光束的光斑尺寸范围为0.65‑0.75mm；平凸球面透镜用于固定第一光斑的Y轴方向宽度至目标宽度范围内并压缩第一光斑的X轴方向长度以得到第二光斑；若干个平凸柱面透镜用于将第二光斑的X轴方向长度压缩至目标长度范围内以得到目标线性平顶光束。解决了现有技术中激光生成的线斑存在顶部能量分布均匀性不佳等缺点，很难满足激光退火高均匀性和高稳定性的要求的问题。
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公开(公告)号：CN113199135B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110570113.5
申请日：2021-05-25
申请人： 成都莱普科技股份有限公司
IPC分类号： B23K26/02 , B23K26/082 , B23K26/38 , B23K26/046 , B65G47/91
摘要： 本发明涉及晶圆加工技术领域，公开了一种SIC晶圆隐形加工方法，该晶圆隐形划片机设置有具有多层储放层数的料盒以及具有扫描功能的扫描平台，通过扫描平台对料盒进行扫描，从而确认需要进行加工的层数，同时还设置有第一机械手、第二机械手这种双机械手结构，使划片机可同时进行加工上料及加工完成收料的操作，同时还设置有大小相机系统和同轴影响系统，确保晶圆的准确切割。本发明采用精准的定位方式和优化的功能配置对比较窄的切割道晶圆也能实现精准完美的切割，同时本发明工序简单易于控制和操作，成本低、耗时短，加工效率高，很适用于实际生产加工中。
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公开(公告)号：CN114724939A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210274669.4
申请日：2022-03-18
申请人： 成都莱普科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324
摘要： 本发明公开了一种改善半导体器件激光退火效果的方法及系统，涉及激光退火技术领域，用于解决现有技术中因同一个激光光斑直接照射半导体器件表面出现的问题。根据半导体器件不同区域对激光退火的不同要求，具体说来，有的区域希望增强反射避免激光损伤，有的区域希望增加吸收。首先大面积淀积一层低折射率材料，而后图形化制备一层高折射率材料，二者光学厚度均为激光波长的四分之一，组合实现增强反射效果，其它区域为增强吸收效果。通过所述激光退火系统对采用本发明的半导体器件表面进行激光退火处理。
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公开(公告)号：CN118571752A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410624743.X
申请日：2024-05-20
申请人： 成都莱普科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324 , C30B33/02
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种连续绿光激光退火设备及退火方法。本申请提供的连续绿光激光退火设备，包括激光发射装置、扩束装置、聚焦球面镜、聚焦柱面镜以及移动载台。调节扩束装置、聚焦球面镜和聚焦柱面镜之间的距离以及聚焦球面镜和聚焦柱面镜的焦距，以调整条形平顶光束的窄方向的尺寸；通过移动载台的移动速度与条形平顶光束的窄方向的尺寸以控制激光的退火时间。本申请实施例提供的连续绿光激光退火设备的连续激光退火时间可以达到微米级，激光与非晶硅层相互作用，形成大尺寸的晶粒的多晶硅层，改善薄膜晶体管的载流子迁移速率。本发明提供的退火方法，基于上述的连续绿光激光退火设备，因此也具有上述的技术效果。
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公开(公告)号：CN117316833A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311598586.1
申请日：2023-11-28
申请人： 成都莱普科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本发明涉及半导体晶圆的处理装置技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆热处理装置及热处理方法。本申请实施例提供的半导体晶圆热处理装置采用了激光器阵列组件对半导体晶圆进行加热，激光器形成的定向规范的光柱可有效地避免了加热光的散射问题，使得加热光束更加稳定可控，再结合晶圆置于旋转承接组件上，在加热过程中，保持沿着自身的轴心旋转，进一步保证了晶圆加热的均匀性，进而有效地提升了半导体晶圆的质量。本申请提供的热处理方法，由于基于上述的半导体晶圆热处理装置，因此具有上述的使得加热光束更加稳定可控，保证了晶圆加热的均匀性，进而有效地提升了半导体晶圆的质量的技术效果。
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公开(公告)号：CN116184681B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310468102.5
申请日：2023-04-27
申请人： 成都莱普科技股份有限公司
IPC分类号： G02B27/09
摘要： 本申请公开了一种二氧化碳激光的光束整形设备以及光束整形方法，属于光学技术领域。该光束整形设备包括沿激光光束的入射方向依次设置的第一镜组、偏振调节系统、第二镜组、积分镜、AOI模组和短轴聚焦模组；其中，第一镜组包括对称设置的凹面形离轴抛物镜和凸面形离轴抛物镜；偏振调节系统包括沿激光光束的入射方向设置的半波片和薄膜偏振器；第二镜组包括对称设置的凸面形柱面镜和凹面形柱面镜。通过该光束整形设备以及方法将高斯分布的二氧化碳激光光束整形为线形平顶光束，线性光斑均匀性提升，同时对激光功率利用率可提高至80%以上，从而降低能耗及维护成本，并提高装备稳定性及可靠性。
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公开(公告)号：CN115172200A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210844559.7
申请日：2022-07-18
申请人： 成都莱普科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/324
摘要： 本发明公开了一种半导体器件退火工艺效果的测试方法，属于半导体器件欧姆接触退火技术领域。该方法包括：在裸晶圆的正面设置一层金属薄膜；将覆盖有金属薄膜的晶圆沿水平和竖直方向裂片，得到侧面均无金属薄膜覆盖的实验片；对实验片进行退火处理，观察实验片的金属表面形貌和颜色变化；测试实验片的正面和背面的电流电压特性，根据电流电压特性，确定能够形成欧姆接触所需的退火工艺窗口。该方法不需要使用任何图形化手段，也不需要其它工艺诸如离子注入激活等的配合。该测试方法，无需使用任何光刻、刻蚀、金属加厚等工艺，相比于传统解决欧姆接触表征的测试流程，能够快速、准确的确定半导体器件退火工艺效果。
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公开(公告)号：CN115113409A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202211030700.6
申请日：2022-08-26
申请人： 成都莱普科技股份有限公司
IPC分类号： G02B27/09
摘要： 本申请的实施例提供了一种基于达曼光栅的线性平顶光斑的发生系统、方法及设备，该系统涉及光学领域。该系统包括：达曼光栅、聚焦镜和柱面镜。达曼光栅和柱面镜分别设置在聚焦镜的两侧，并且达曼光栅的位置与聚焦镜的焦平面的位置匹配。达曼光栅，用于接受第一高斯光束的照射，并将第一高斯光束分束成多个第二高斯光束。聚焦镜，用于接受多个第二高斯光束的照射，并将多个第二高斯光束折射成相互平行的多个第三高斯光束。柱面镜，用于接受多个第三高斯光束的照射，并将多个第三高斯光束折射成线性平顶光束。线性平顶光束包括线性平顶光斑。该系统能够有效地将高斯光束转化为较为均匀的线性平顶光斑，并且结构简单，成本较低，效率更高。
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