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公开(公告)号:CN114978137B
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202210481331.6
申请日:2022-05-05
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种功率开关器件的驱动控制电路,包括电源、控制电路、驱动模块、运放电路、功率开关器件、取样电阻和负载。其中,控制电路和驱动模块的电源输入正端连接到电源正极,电源输入负端连接到功率母线;运放电路的模拟信号输入端连接取样电阻的两端,运放电路的模拟信号输出端连接控制电路的模拟信号输入端;驱动模块适于根据驱动控制信号驱动功率开关器件导通或关断;功率开关器件的漏极经取样电阻连接到功率母线,栅极与驱动模块的信号输出端连接,源极经负载连接功率地线。该电路以功率开关器件的漏极为参考点,在多路驱动的情况下,各驱动模块可共用电源,并且省去隔离运放,从而减小电路体积。
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公开(公告)号:CN114354982B
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202111556574.3
申请日:2021-12-17
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司
Abstract: 本申请涉及一种瞬态热阻测试方法、系统及电子设备,涉及热阻测试的领域,该方法包括若检测到加热电流断开,则采集压降数据直至达到第一预设条件,所述压降数据包括MOSFET芯片结温 #imgabs0#降低时任一时间点对应的反向PN结压降#imgabs1#;所述第一预设条件包括:所述MOSFET芯片的结温#imgabs2#降至环境温度#imgabs3#,绘制冷却曲线#imgabs4#,所述冷却曲线#imgabs5#为所述MOSFET芯片降温过程中结温#imgabs6#与时间#imgabs7#的关系曲线,基于所述冷却曲线#imgabs8#确定升温瞬态热阻变化曲线#imgabs9#,基于所述升温瞬态热阻变化曲线#imgabs10#、所述MOSFET芯片的Foster热结构网络以及所述MOSFET芯片的Foster热结构网络的拟合公式确定拟合瞬态热阻数学模型。本申请具有使得确定的MOSFET芯片的拟合瞬态热阻数学模型更准确的效果。
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公开(公告)号:CN119093272A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411214106.1
申请日:2024-08-31
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司 , 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种双向可控硅过压保护电路和固态断路器,属于电力电子技术领域,该过压保护电路包括双向可控硅、双向可控硅的驱动电路和压敏电阻,其中,驱动电路包括驱动电阻和驱动电容,驱动电阻和驱动电容串联,驱动电容的另一端与双向可控硅的门极连接,驱动电阻的另一端与压敏电阻连接,压敏电阻的另一端与双向可控硅的第一功率端连接。本方案能够对固态断路器实现低成本、小体积、低钳位电压与母线电压差的过压保护。
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公开(公告)号:CN119050962A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411220803.8
申请日:2024-09-02
Applicant: 河北工业大学 , 北京市科通电子继电器总厂有限公司
Abstract: 本发明电路保护技术领域,公开了一种功率器件的退饱和保护电路。该电路包括:第一比较器,用于检测功率器件的栅极电压是否大于第一预设电压;第二比较器,用于检测由功率器件的发射极自感和集电极电流的变化而产生的发射极寄生电感电压是否大于第二预设电压;第一比较器检测到检测到栅极电压大于第一预设电压的时刻早于第二比较器检测到发射极寄生电感电压大于第二预设电压的时刻;退饱和检测模块,用于在栅极电压大于第一预设电压且发射极寄生电感电压大于第二预设电压的情况下,检测功率器件的集电极电压是否大于第三预设电压,若是,则确定功率器件发生短路故障,通过控制功率器件关断,来有效完成功率器件的退饱和短路保护。
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公开(公告)号:CN114978130B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202210482755.4
申请日:2022-05-05
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司
IPC: H03K17/042 , H03K17/687 , H02H3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于固态功率控制器的运放恒流驱动电路,该驱动电路用于对固态功率控制器中的功率电路进行驱动控制,功率电路包括场效应管、取样电阻和容性负载,该驱动电路包括电流检测电路、开环比较电路、驱动信号电路和驱动信号放大电路。其中电流检测电路适于对取样电阻的电压信号进行放大;开环比较电路的输入端与电流检测模块的输出端连接,用于根据输入端电压信号调节输出端电压信号;驱动信号放大电路的输出端连接场效应管的栅极,用于为场效应管提供驱动信号;驱动信号放大电路的输入端连接驱动信号电路和开环比较电路的输出端,用于根据开环比较电路输出端电压信号调节驱动信号电路输出的驱动信号。
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公开(公告)号:CN115283918B
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202210909838.7
申请日:2022-07-29
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司
IPC: B23K37/04 , B23K101/06 , B23K101/36
Abstract: 本申请涉及一种多工位平行缝焊管壳固定装置,用于固定管壳,包括本体、按压机构和上压盖;本体上设置有多个安装工位,每个安装工位相对的两侧设置有用于供引脚插入的容纳槽;按压机构包括第一压紧部和第二压紧部;当管壳处于固定状态时,第一压紧部压紧所述管壳一侧引脚的上部,第二压紧部压紧所述管壳另一侧引脚的上部;上压盖覆盖于所述本体上且与本体活动配合,用于控制所述压紧机构压紧或松开引脚,所述上压盖上设置有多个与安装工位对应的工位槽,工位槽穿透所述上压盖上下两面用于供所述管壳露出;还包括用于将所述上压盖锁紧于本体上,限制上压盖活动的锁紧件。本申请具有减小对管壳的损伤,保证焊接密封效果的优点。
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公开(公告)号:CN117849431A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202311870713.9
申请日:2023-12-29
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司
IPC: G01R19/00 , G01R13/02 , G01R31/327
Abstract: 本申请涉及一种电压指数上升率测试系统、测试方法、设备及介质,属于继电器测试领域,其包括输入电源、多个分压电容、继电器矩阵、第一电阻、第二电阻、第三电阻和测试开关,第二电阻为可变电阻器,多个分压电容的电容值不同;输入电源、测试开关和第一电阻串联;多个分压电容并联后通过继电器矩阵与第二电阻串联,第二电阻的自由端与第一电阻的一端连接,多个分压电容远离第二电阻的公共端与第一电阻的另一端连接;第三电阻和被测固态继电器串联后与多个分压电容并联。本申请通过设置不同的分压电容,控制被测固态继电器的电压调整范围,降低测试过程中的调整复杂度,具有降低测试操作复杂度,提高测试效率的效果。
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公开(公告)号:CN117092428A
公开(公告)日:2023-11-21
申请号:CN202311031984.5
申请日:2023-08-16
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司
Abstract: 本申请涉及一种智能检测器的检测电路、智能检测器及固态功率控制器,涉及电力电子的技术领域,该检测电路包括用于对取样电阻的电流进行测试的电流测试电路、用于对所述电流侧测试电路的输入电压进行放大增益的运放增益电路及用于对所述电流测试电路进行电压补偿的电压补偿电路,且所述运放增益电路与所述电压补偿电路均与所述电流测试电路耦合。本申请具有通过最小的电路变动实现了对绝对值电路的测试盲区补偿,解决电路中对小信号测试不到或测试不准确的难题的效果。
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公开(公告)号:CN116722856A
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202310683068.3
申请日:2023-06-09
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司
IPC: H03K17/785 , H03K19/14 , H03K17/51
Abstract: 本申请提供一种光隔离固体继电器,涉及固体继电器领域。其中光隔离固体继电器包括外壳、输入隔离电路、快速驱动电路,通过采用隔离电路能够隔离输入电源与输出电源,从而提高驱动安全性;快速驱动电路能够利用三极管推挽放大电路以及电容充放电特性,实现驱动信号的放大,并结合MOS管实现快速接通、关断,从而提高对于大负载的驱动能力;使用贴片化元器件以及外壳结构,能够降低结构复杂度,因此能够在满足大功率需求的前提下减小光隔离固体继电器的体积,实现光隔离固体继电器的小型化。
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公开(公告)号:CN114264948B
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202111554732.1
申请日:2021-12-17
Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司
IPC: G01R31/327
Abstract: 本申请涉及一种产品过负载特性分析方法、装置、电子设备及介质,涉及固体继电器性能分析的领域;该方法包括:获取待分析产品的要求工况、测试参数以及预估过负载值;基于要求工况以及所述测试参数,获取极限过负载曲线;将所述预估过负载值与所述极限过负载曲线进行比对,获取对比结果信息;对所述对比结果信息进行分析,确定所述预估过负载值是否高于所述极限过负载曲线;若高于,则表示在所述要求工况以及所述测试参数下,所述待分析产品在所述预估过负载值时无法处于正常工作状态。本申请提高产品过负载特性的测试效率。
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