本申请涉及一种瞬态热阻测试方法、系统及电子设备，涉及热阻测试的领域，该方法包括若检测到加热电流断开，则采集压降数据直至达到第一预设条件，所述压降数据包括MOSFET芯片结温 #imgabs0#降低时任一时间点对应的反向PN结压降#imgabs1#；所述第一预设条件包括：所述MOSFET芯片的结温#imgabs2#降至环境温度#imgabs3#，绘制冷却曲线#imgabs4#，所述冷却曲线#imgabs5#为所述MOSFET芯片降温过程中结温#imgabs6#与时间#imgabs7#的关系曲线，基于所述冷却曲线#imgabs8#确定升温瞬态热阻变化曲线#imgabs9#，基于所述升温瞬态热阻变化曲线#imgabs10#、所述MOSFET芯片的Foster热结构网络以及所述MOSFET芯片的Foster热结构网络的拟合公式确定拟合瞬态热阻数学模型。本申请具有使得确定的MOSFET芯片的拟合瞬态热阻数学模型更准确的效果。