Invention Publication
- Patent Title: 一种双向可控硅过压保护电路和固态断路器
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Application No.: CN202411214106.1Application Date: 2024-08-31
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Publication No.: CN119093272APublication Date: 2024-12-06
- Inventor: 赖耀康 , 薛聚 , 曹玉峰 , 王震 , 辛振
- Applicant: 北京市科通电子继电器总厂有限公司 , 河北工业大学
- Applicant Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区凉水河一街2号院1号楼9层;
- Assignee: 北京市科通电子继电器总厂有限公司,河北工业大学
- Current Assignee: 北京市科通电子继电器总厂有限公司,河北工业大学
- Current Assignee Address: 北京市大兴区北京经济技术开发区凉水河一街2号院1号楼9层;
- Agency: 北京维正专利代理有限公司
- Agent 杨叁
- Main IPC: H02H3/20
- IPC: H02H3/20 ; H02H3/02 ; H02H9/04 ; H03K17/72
Abstract:
本发明公开了一种双向可控硅过压保护电路和固态断路器，属于电力电子技术领域，该过压保护电路包括双向可控硅、双向可控硅的驱动电路和压敏电阻，其中，驱动电路包括驱动电阻和驱动电容，驱动电阻和驱动电容串联，驱动电容的另一端与双向可控硅的门极连接，驱动电阻的另一端与压敏电阻连接，压敏电阻的另一端与双向可控硅的第一功率端连接。本方案能够对固态断路器实现低成本、小体积、低钳位电压与母线电压差的过压保护。
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