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公开(公告)号：CN105696076A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610087435.3
申请日：2016-02-16
申请人： 中科九曜科技有限公司
CPC分类号： C30B29/30 , C09K11/7766 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B17/00
摘要： 本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料，由以下化学式组成：CrxTmyHozY1-x-y-zTaO4，0＜x≤0.2，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料的晶体生长方法，包括：将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含钇化合物、含钽化合物混合均匀，进行合成反应得到化学式为CrxTmyHozY1-x-y-zTaO4的多晶原料；将化学式为CrxTmyHozY1-x-y-zTaO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料。
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公开(公告)号：CN105696077A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610087464.X
申请日：2016-02-16
申请人： 中科九曜科技有限公司
CPC分类号： C30B29/30 , C09K11/7766
摘要： 本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸钪发光材料，由以下化学式组成：CrxTmyHozSc1-x-y-zTaO4，0＜x≤0.2，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸钪发光材料的晶体生长方法，包括：将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含钪化合物、含钽化合物混合均匀，进行合成反应得到化学式为CrxTmyHozSc1-x-y-zTaO4的多晶原料；将化学式为CrxTmyHozSc1-x-y-zTaO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂钽酸钪发光材料。
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公开(公告)号：CN105648532A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610069241.0
申请日：2016-01-28
申请人： 中科九曜科技有限公司
摘要： 本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料，由以下化学式组成：CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4，0＜x≤0.2，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料的晶体生长方法，包括：将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含铋化合物、含钽化合物混合均匀，进行合成反应得到化学式为CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4的多晶原料；将化学式为CrxTmyHozBi1-x-y-zTaO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂钽酸铋发光材料。
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公开(公告)号：CN105624787A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610087431.5
申请日：2016-02-16
申请人： 中科九曜科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种大尺寸YAG或蓝宝石晶体的熔体法晶体生长方法，所得大尺寸YAG或蓝宝石晶体的直径可达到坩埚直径的90％。本发明通过两个阶段实现放肩，在达到等径生长后，停止对晶体的提拉和旋转，通过PID调节功率实现对晶体生长速率的控制，从而实现对晶体结晶速度的控制。本发明具有生长晶体具有生长速度可控、生长尺寸大，重复性好的优点，适合工业化生产大尺寸YAG晶体或蓝宝石晶。
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公开(公告)号：CN105696074A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610069217.7
申请日：2016-01-28
申请人： 中科九曜科技有限公司
摘要： 本发明公开一种铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料，由以下化学式组成：CrxTmyHozBi1-x-y-zNbO4，0＜x≤0.2，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料的晶体生长方法，包括：将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含铋化合物、含铌化合物混合均匀，进行合成反应得到化学式为CrxTmyHozBi1-x-y-zNbO4的多晶原料；将化学式为CrxTmyHozBi1-x-y-zNbO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料。
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公开(公告)号：CN105696073A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610087488.5
申请日：2016-02-16
申请人： 中科九曜科技有限公司
CPC分类号： C30B29/28 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B17/00 , H01S3/1643
摘要： 本发明公开一种自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体，具有以下化学式组成：V5xNd3yY3(1-y)Al5(1-x)O12，其中0
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公开(公告)号：CN105624788A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610069489.7
申请日：2016-01-28
申请人： 中科九曜科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种铥、钬掺杂钽酸铋发光材料，具有以下化学式组成：TmyHozBi1-y-zTaO4，其中0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开了上述铥、钬掺杂钽酸铋发光材料的晶体生长方法，包括如下步骤：将含铥化合物、含钬化合物、含铋化合物、含钽化合物混合均匀后，进行合成反应得到化学式为TmyHozBi1-y-zTaO4的多晶原料；将化学式为TmyHozBi1-y-zTaO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铥、钬掺杂钽酸铋发光材料。本发明可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。
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公开(公告)号：CN105696075A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610087239.6
申请日：2016-02-16
申请人： 中科九曜科技有限公司
CPC分类号： C30B29/30 , C09K11/7766 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B17/00
摘要： 本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸镥发光材料，由以下化学式组成：CrxTmyHozLu1-x-y-zTaO4，0＜x≤0.2，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸镥发光材料的晶体生长方法，包括：将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含镥化合物、含钽化合物混合均匀，进行合成反应得到化学式为CrxTmyHozLu1-x-y-zTaO4的多晶原料；将化学式为CrxTmyHozLu1-x-y-zTaO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂钽酸镥发光材料。
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公开(公告)号：CN105624789A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610087489.X
申请日：2016-02-16
申请人： 中科九曜科技有限公司
CPC分类号： C30B29/30 , C09K11/7766 , C30B11/14 , C30B15/36 , C30B17/00
摘要： 本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸钆发光材料，由以下化学式组成：CrxTmyHozGd1-x-y-zTaO4，0＜x≤0.2，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸钆发光材料的晶体生长方法，包括：将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含钆化合物、含钽化合物混合均匀，进行合成反应得到化学式为CrxTmyHozGd1-x-y-zTaO4的多晶原料；将化学式为CrxTmyHozGd1-x-y-zTaO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂钽酸钆发光材料。
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公开(公告)号：CN105568384A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610069318.4
申请日：2016-01-28
申请人： 中科九曜科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种铥、钬掺杂铌酸铋发光材料，具有以下化学式组成：TmyHozBi1-y-zNbO4，其中0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开了上述铥、钬掺杂铌酸铋发光材料的晶体生长方法，包括如下步骤：将含铥化合物、含钬化合物、含铋化合物、含铌化合物混合均匀后，进行合成反应得到化学式为TmyHozBi1-y-zNbO4的多晶原料；将化学式为TmyHozBi1-y-zNbO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铥、钬掺杂铌酸铋发光材料。本发明可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。
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