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公开(公告)号：CN112259699A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011142109.0
申请日：2020-10-21
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方显示技术有限公司
IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , H01L33/42 , H01L33/00 , H01L27/32 , H01L27/15 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本申请提供了一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置，其中显示基板包括透明显示区域和有效显示区域，透明显示区域的显示基板包括：衬底基板，以及层叠设置在衬底基板一侧的第一阳极层、第一发光层和第一阴极层，第一阴极层的材料包括透明导电聚合物。本申请技术方案，采用透明导电聚合物作为透明显示区域第一阴极层的材料，与第一阴极层采用金属材料的现有技术相比，由于透明导电聚合物的透过率特性优良，能够大幅减小阴极材料导致的透过率折损，使得透明显示区域既能够满足显示需求又能够满足高透过率的成像需求。
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公开(公告)号：CN110571315B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910859367.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；位于衬底的第一表面的外延结构，外延结构包括第一氮化镓层、有源层、第二氮化镓层，第一氮化镓层与第二氮化镓层的掺杂类型不同；位于第二氮化镓层背离衬底一侧预设区域的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第二氮化镓层一侧，覆盖第二氮化镓层的复合膜层，复合膜层包括层叠的欧姆接触层、绝缘点阵层、第一导电层，其中，绝缘点阵层包括多个不连续的绝缘单元；与第一氮化镓层背离衬底的一侧电连接第一电极；与复合膜层背离第二氮化镓层的一侧电连接第二电极。该LED芯片具有较高的电流横向扩展能力和较高的发光亮度。
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公开(公告)号：CN112103305A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010991401.3
申请日：2020-09-21
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提供了基于微图案化石墨烯的Micro‑LED阵列及其制备方法、显示装置，该阵列包括：衬底；图案化石墨烯层，其阵列分布在衬底一侧；电子注入层，位于衬底靠近图案化石墨烯层一侧，电子注入层在衬底上投影位于相邻图案化石墨烯层之间；多量子阱层，位于电子注入层远离衬底一侧；空穴注入层，位于多量子阱层远离衬底一侧；n型接触电极，位于图案化石墨烯层远离衬底一侧；p型接触电极，位于空穴注入层远离衬底一侧。本发明Micro‑LED阵列，石墨烯良好的导电性还能够直接作为Micro‑LED的底电极，图案化石墨烯层与电子注入层之间接触形成良好的导电通路，实现电子由图案化石墨烯层到Micro‑LED的有效注入。
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公开(公告)号：CN107256877B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201710456417.2
申请日：2014-08-18
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 在此公开了一种发光二极管。所述发光二极管包括多个发光单元和使发光单元彼此连接的互连件，其中，互连件中的至少一个包括公共地电连接到两个发光单元的公共阴极；每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；所述两个发光单元共用第一导电型半导体层；透明电极层连续地设置在所述两个发光单元之间，并且公共阴极通过透明电极层电连接到所述两个发光单元。
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公开(公告)号：CN107112393B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201580061260.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 本发明涉及一种用于产生光电子元件的方法、一种用于测试元件的方法以及光电子元件，其中在引导平面（19）中引导由有源区（5、6）产生的电磁辐射，其中大体上在引导平面（19）中输出电磁辐射，其中有源区（5、6）相对于引导平面（19）在侧面输出杂散辐射（12），其中电接触面（18）被提供，其中接触面（18）被布置在引导平面的外面，其中接触面（18）由至少部分地用导电层（9）覆盖的表面（8）形成，其中表面（9）具有倾斜的局部面（15），其中导电层（9）在接触面（18）的倾斜面的至少子集处如此薄以致电磁杂散辐射（12）经由倾斜面（15）的子集离开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109638136B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811406282.X
申请日：2018-11-23
Applicant: 中山大学 , 广州和光同盛科技有限公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 本发明提供一种发光二极管的透明电极，制备方法包括如下步骤：S1.对外延片表面进行化学清洗，然后放入MOCVD反应腔内部保持300‑900℃，压力为3‑100Torr，处理1～60min；S2.在保护气氛下，调节生长温度为450‑650℃，调节反应腔的压力为3‑80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，控制生长速度为0.1‑3nm/min，在预处理后的外延片表面生长厚度为40‑500nm的ITO主体层；S3.在保护气氛下，调节生长温度为300‑450℃，调节反应腔的压力为3‑80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，控制生长速度为1‑10nm/min，在ITO主体层上生长厚度为20‑200nm的ITO粗化层。本发明原位生长粗化层的方法十分契合所述ITO透明电极主体层的制备方法，且避免后续进行复杂的工艺处理，可以有效的提高LED的光萃取效率。
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公开(公告)号：CN111508938A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010010972.4
申请日：2018-12-04
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/62 , G02B5/26 , H01L33/46 , H01L33/64
Abstract: 一种发光器件及显示设备，所述发光器件包括：第一LED堆叠；第二LED堆叠，设置在所述第一LED堆叠下方；第三LED堆叠，设置在所述第二LED堆叠下方；以及电极焊盘，电连接到所述第一LED堆叠、所述第二LED堆叠和所述第三LED堆叠，所述电极焊盘包括：公共电极焊盘，共同电连接到所述第一LED堆叠、所述第二LED堆叠和所述第三LED堆叠；以及第一电极焊盘、第二电极焊盘和第三电极焊盘，分别连接到所述第一LED堆叠、所述第二LED堆叠和所述第三LED堆叠，所述第一LED堆叠、所述第二LED堆叠和所述第三LED堆叠是独立地可驱动的，在所述第一LED堆叠中产生的光通过所述第二LED堆叠和所述第三LED堆叠发射到外部，在所述第二LED堆叠中产生的光通过所述第三LED堆叠发射到外部。
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公开(公告)号：CN109585625B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201811479764.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 湘能华磊光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜，包括透明导电膜本体和铝膜层，铝膜层上具有微孔结构，应用本发明的技术方案，效果是：铝膜层具有微孔结构，且微孔结构包括纳米量级的孔，铝所具有的高反射性能结合纳米量级孔(形成纳米窗口)，光会在纳米窗口两端来回震荡，与纳米窗口相匹配的波长的光得到了增强，从纳米孔中传播出去，另一方面在纳米孔的两端存在等离子体，产生区域电磁场，在纳米孔中震荡的电磁波还会被磁场放大，传出铝膜表面，整个透明导电膜的透射率得到增强，从而能够提高亮度。本发明还公开一种上述透明导电膜的制备方法，工艺步骤精简，工艺参数容易控制。本发明还公开一种LED芯片，包含外延片和上述透明导电膜，LED芯片的亮度高，电压低。
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公开(公告)号：CN106057987B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201610406316.X
申请日：2010-05-21
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例包括一种半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区（22）与p型区（26）之间的III族氮化物发光层（24）。布置在p型区上的接触包括与p型区（26）直接接触的透明导电材料（28）、反射金属层（34）以及布置在透明导电层（28）与反射金属层（34）之间的透明绝缘材料（30）。在透明绝缘材料（30）中的多个开口（32）中，透明导电材料（28）与反射金属层直接接触。
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