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公开(公告)号：CN106057987B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201610406316.X
申请日：2010-05-21
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例包括一种半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区（22）与p型区（26）之间的III族氮化物发光层（24）。布置在p型区上的接触包括与p型区（26）直接接触的透明导电材料（28）、反射金属层（34）以及布置在透明导电层（28）与反射金属层（34）之间的透明绝缘材料（30）。在透明绝缘材料（30）中的多个开口（32）中，透明导电材料（28）与反射金属层直接接触。
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公开(公告)号：CN102804417A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080028617.4
申请日：2010-05-21
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例包括一种半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区（22）与p型区（26）之间的III族氮化物发光层（24）。布置在p型区上的接触包括与p型区（26）直接接触的透明导电材料（28）、反射金属层（34）以及布置在透明导电层（28）与反射金属层（34）之间的透明绝缘材料（30）。在透明绝缘材料（30）中的多个开口（32）中，透明导电材料（28）与反射金属层直接接触。
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公开(公告)号：CN106057987A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610406316.X
申请日：2010-05-21
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例包括一种半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区（22）与p型区（26）之间的III族氮化物发光层（24）。布置在p型区上的接触包括与p型区（26）直接接触的透明导电材料（28）、反射金属层（34）以及布置在透明导电层（28）与反射金属层（34）之间的透明绝缘材料（30）。在透明绝缘材料（30）中的多个开口（32）中，透明导电材料（28）与反射金属层直接接触。
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公开(公告)号：CN102804417B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201080028617.4
申请日：2010-05-21
Applicant: 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例包括一种半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区（22）与p型区（26）之间的III族氮化物发光层（24）。布置在p型区上的接触包括与p型区（26）直接接触的透明导电材料（28）、反射金属层（34）以及布置在透明导电层（28）与反射金属层（34）之间的透明绝缘材料（30）。在透明绝缘材料（30）中的多个开口（32）中，透明导电材料（28）与反射金属层直接接触。
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