公开(公告)号：CN117410320A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310166229.1

申请日：2023-02-24

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 尹荣广

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 半导体装置包括：在衬底上方的栅电介质层；在栅电介质层上方的下栅阻挡层；以及在下栅阻挡层上方的下栅电极。下栅电极包括至少一个富金属的金属氧化物层。

公开(公告)号：CN109509795B

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN201811560544.8

申请日：2018-12-20

申请人： 上海芯石半导体股份有限公司

发明人： 关世瑛 ,  王金秋

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/40

摘要： 本发明公开了一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件；该器件具有复合结构的沟槽，沟槽的顶部有P型掺杂区，沟槽侧壁有绝缘层区，沟槽底部有P型掺杂区，沟槽底部P型掺杂区是由2个或多个掺杂的错位叠加刻蚀的沟槽底角构成，较传统沟槽型JBS肖特基器件，更容易实现深的、窄的、底角曲率半径大的沟槽，优化器件性能；另外，本发明的碳化硅肖特基器件的制程，与传统的沟槽型JBS肖特基器件的制程兼容，容易实现。

公开(公告)号：CN114270533B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202180004493.4

申请日：2021-08-11

申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人： 赵起越 ,  石瑜

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

摘要： 一种半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、第一和第二电极、第一和第二栅极电极、第一和第二钝化层以及导电层。第一钝化层具有被第一场板的第一端部覆盖的第一部分和未被第一场板覆盖的第二部分。第二钝化层具有被导电层覆盖的第一部分和未被导电层覆盖的第二部分。第一钝化层的第一部分和第二部分之间的厚度差小于第二钝化层的第一部分和第二部分之间的厚度差。

公开(公告)号：CN117317021A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311535237.5

申请日：2023-11-17

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 周选择 ,  徐光伟 ,  赵晓龙 ,  侯小虎 ,  龙世兵

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了半导体技术领域的一种场板结构氧化镓场效应晶体管及其制备方法，包括以下结构：氧化镓衬底层；氧化镓衬底层上表面的氧化镓外延层；氧化镓外延层上表面的Mg掺杂氧化镓层、源电极和漏电极；覆盖于Mg掺杂氧化镓层和部分氧化镓外延层上表面的栅介质层，以及位于栅介质层上表面的栅电极。本发明提出了用Mg掺杂再生长的氧化镓代替二氧化硅或氮化硅非晶绝缘介质，实现高击穿和高稳定的氧化镓场效应晶体管。

公开(公告)号：CN117316767A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311606359.9

申请日：2023-11-29

申请人： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司

发明人： 饶剑 ,  胡翔洲

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供表面具有栅极结构的半导体外延层；在栅极结构的表面以及栅极结构暴露的半导体外延层的表面形成第一介质层；在第一介质层远离半导体外延层的一侧形成第一场板；在第一场板的表面和第一场板暴露的第一介质层的表面形成第二介质层；刻蚀第一介质层和第二介质层，形成暴露栅极结构的第一连接口以及暴露半导体外延层的第二连接口和第三连接口；在同一制备工艺中，于第一连接口中形成栅极电极、于第二连接口中形成第一电极以及于第三连接口中形成第二电极。本发明提供的技术方案，提高了半导体器件的生产效率的同时，保证了场板高度的稳定性。

公开(公告)号：CN116959994B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311221044.2

申请日：2023-09-21

申请人： 华南理工大学 ,  粤芯半导体技术股份有限公司

发明人： 于绍欣 ,  张有志 ,  余威明 ,  黄暖佳

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

摘要： 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种双T结构的LDMOS器件制备方法，包括：提供一衬底，且在所述衬底上沉积外延层；在所述外延层上形成用于作为场板的厚介质层，以及形成靠近所述厚介质层的栅氧层；在所述厚介质层上形成T型场板区，以及在所述栅氧层上形成T型多晶硅栅；在所述T型场板区上形成目标互连区。本申请在提高器件耐压等级的同时，维持器件较低的导通电阻。

公开(公告)号：CN117276333A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311325646.2

申请日：2023-10-13

申请人： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司

发明人： 张铭宏 ,  饶剑 ,  张啸

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

摘要： 本揭露提供了一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、栅极电极、场板及蚀刻停止层。第一氮化物半导体层设置于衬底上。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上并且其带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第三氮化物半导体层被掺杂掺杂质，且设置于第二氮化物半导体层上。栅极电极设置于第三氮化物半导体层上。场板覆盖一部分的栅极电极。蚀刻停止层设置于栅极电极与场板之间。

公开(公告)号：CN117253782A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311238757.X

申请日：2023-09-25

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司

发明人： 王艺晨 ,  钱佳成 ,  孙文镇 ,  王雪纯 ,  马栋

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供一种改善反向栅极漏电的方法，形成开口图形，形成覆盖开口图形的栅极多晶硅；研磨栅极多晶硅，使得为目标厚度的栅极多晶硅保留在开口图形上方；刻蚀栅极多晶硅，使得栅极多晶硅靠近开口图形顶端处；形成覆盖开口图形的层间介质层，之后在层间介质层上形成用于引出栅极多晶硅的接触孔。本发明通过减少栅极多晶硅的研磨量并利用刻蚀改善栅极多晶硅的形貌，能够改善沟槽MOS反向栅极漏电。

公开(公告)号：CN109585543B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201811138593.2

申请日：2018-09-28

申请人： 住友电工光电子器件创新株式会社

发明人： 中野拓真

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

公开(公告)号：CN117059659A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311076973.9

申请日：2023-08-24

申请人： 电子科技大学 ,  华润微电子(重庆)有限公司

发明人： 张鹏飞 ,  魏雨夕 ,  赵智家 ,  罗小蓉 ,  王俊楠 ,  谢欣桐 ,  邱金朋 ,  沈竞宇 ,  魏杰

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/40

摘要： 本发明属于功率半导体技术领域，具体是涉及一种GaN级联二极管。级联二极管等效为多个栅控二极管串联，只需很少数量串联便可达到HEMT器件静电防护所需的电压要求，大大提高了芯片使用效率。等效纵向场板拓展了横向器件纵向维度的利用，提高晶圆利用率。实际工艺制备中刻蚀引入缺陷的区域远离器件导通路径，因此能有效减小材料缺陷对二维电子气迁移率的影响，改善器件正向导通和动态特性。