发明公开
CN117059659A 一种GaN级联二极管
审中-实审
- 专利标题： 一种GaN级联二极管
-
申请号： CN202311076973.9申请日： 2023-08-24
-
公开(公告)号： CN117059659A公开(公告)日： 2023-11-14
- 发明人: 张鹏飞 , 魏雨夕 , 赵智家 , 罗小蓉 , 王俊楠 , 谢欣桐 , 邱金朋 , 沈竞宇 , 魏杰
- 申请人： 电子科技大学 , 华润微电子(重庆)有限公司
- 申请人地址： 四川省成都市高新西区西源大道2006号;
- 专利权人： 电子科技大学,华润微电子(重庆)有限公司
- 当前专利权人： 电子科技大学,华润微电子(重庆)有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新西区西源大道2006号;
- 代理机构： 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 孙一峰
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L29/40
摘要：
本发明属于功率半导体技术领域，具体是涉及一种GaN级联二极管。级联二极管等效为多个栅控二极管串联，只需很少数量串联便可达到HEMT器件静电防护所需的电压要求，大大提高了芯片使用效率。等效纵向场板拓展了横向器件纵向维度的利用，提高晶圆利用率。实际工艺制备中刻蚀引入缺陷的区域远离器件导通路径，因此能有效减小材料缺陷对二维电子气迁移率的影响，改善器件正向导通和动态特性。
IPC分类:
