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公开(公告)号：CN114450804B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280000195.2
申请日：2022-01-07
申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司
IPC分类号： H01L29/10 , H01L27/085 , H01L21/768 , H01L21/8232 , H01L23/48 , H01L23/528
摘要： 提供一种氮化物基半导体电路，其包含衬底结构、氮化物基异质结构、连接器以及连接通孔。衬底结构包括第一型半导体衬底以及第二型半导体衬底。第二型半导体衬底嵌入在第一型半导体衬底的一区中。第一型半导体衬底具有第一掺杂剂，且第二型半导体衬底具有第二掺杂剂以在第一型半导体衬底和第二型半导体衬底之间形成pn结。氮化物基异质结构配置在衬底结构上。连接器配置在氮化物基异质结构上。连接通孔包括第一互连件以及第二互连件。第一互连件电连接第一型半导体衬底的第一区至连接器中的一个。第二互连件电连接第二型半导体衬底至连接器中的另一个。
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公开(公告)号：CN114207840B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202180003944.2
申请日：2021-11-09
申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 一种氮化物基半导体装置及其制造方法。氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、源电极、漏电极、栅电极和第三氮化物基半导体层。所述第一氮化物基半导体层具有至少一个沟槽。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上且与所述沟槽间隔开。所述源电极和所述漏电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方。所述栅电极安置在所述第二氮化物基半导体层上方及所述源电极和漏电极之间，以便至少限定在所述栅电极和所述漏电极之间且与所述沟槽重叠的漂移区。所述第三氮化物基半导体层至少安置在所述沟槽中，并且从所述沟槽向上延伸以与所述第二氮化物基半导体层接触。
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公开(公告)号：CN114207835B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202180004519.5
申请日：2021-11-10
申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 一种半导体装置包含第一和第二氮化物基半导体层、第一和第二电极、第一栅极电极、第一和第二场板。所述第一场板安置在所述第二氮化物基半导体层上方，且从所述第一电极和所述第一栅极电极之间的区延伸到所述第一栅极电极的正上方的区。所述第二场板安置在所述第二氮化物基半导体层上方，且从所述第一电极和所述第一场板之间的区延伸到所述第一场板的正上方的区。所述第二场板与所述第一栅极电极水平地间隔开。
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公开(公告)号：CN115498887B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202211161512.7
申请日：2021-02-10
申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司
摘要： 本发明提供一种高效高密度的基于GaN的功率转换器，其包括：变换器、磁耦合器、初级开关、次级开关、初级控制器、次级控制器、多层印刷电路板(PCB)，多层PCB包括：一个或多个平面线圈，其分别形成于一个或多个PCB层之上且彼此对齐以构造所述变换器和所述耦合器；以及多个传导迹线和通孔，其用于在所述变换器、所述耦合器、初级开关、次级开关、初级控制器和次级控制器之间提供电连接。
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公开(公告)号：CN115769089B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202180039990.8
申请日：2021-02-26
申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种用于测量GaN基受测试装置(DUT)的间歇运行寿命(IOL)的系统和方法。所述系统可在加压模式、冷却模式和测量模式中运行。采用功率调节方法，确保具有相同热阻的DUT在IOL测试期间具有相同的温升。本发明消除了测试电路寄生参数的影响以及装置本身阈值电压和漏极‑源极电阻的不一致性。通过功率调节，直接控制的是装置的结温，而不是装置的壳体温度。因此，可以实现更高的测量精度。
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公开(公告)号：CN114582956B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210205708.5
申请日：2021-11-09
申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、晶格层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。第一氮化物基半导体层掺杂到第一导电类型。第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层上方。晶格层安置在第一和第二氮化物基半导体层之间且掺杂到第一导电类型。晶格层包括交替地堆叠的多个第一III‑V层和多个第二III‑V层。第一III‑V层中的每一个具有高电阻率区以及由高电阻率区包围的电流孔。高电阻率区包括比电流孔更多的金属氧化物，以便实现比电流孔的电阻率高的电阻率。电流孔中的至少两个具有不同尺寸，使得形成于高电阻率区与电流孔之间的界面中的至少一个彼此未对准。栅极电极与电流孔对准。
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公开(公告)号：CN114097080B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202180004470.3
申请日：2021-07-01
申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/8234
摘要： 本发明提供一种具有多个晶体管的氮化物基多通道开关器件。所述多通道开关器件包括衬底、多个栅极结构、多个源极电极和多个漏极电极。所述栅极结构、源极电极和漏极电极被分组以形成所述多个晶体管，并且被布置成使得每个栅极结构安置在源极电极与漏极电极之间。所述栅极结构的每一组电互连并且连接到对应于晶体管中的每一者的至少一个栅极焊垫。所述漏极电极的每一组电互连并且连接到对应于晶体管中的每一者的至少一个漏极焊垫。所述源极电极的所有组电互连并且连接到至少一个共同源极焊垫。
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公开(公告)号：CN115117055B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210425771.X
申请日：2021-05-25
申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/20 , H01L29/778
摘要： 本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。
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公开(公告)号：CN114503281B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180003555.X
申请日：2021-08-02
申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 一种半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极以及第一和第二应力调制层。第一氮基半导体层具有第一厚度。第二氮基半导体层的带隙小于第一氮基半导体层的带隙，以在其间形成异质结。第二氮基半导体层具有第二厚度，并且第一厚度与第二厚度的比例在0.5到5的范围内。第一和第二应力调制层分别对第二氮基半导体层的第一和第二漂移区域提供应力，从而在第一和第二漂移区域内分别引致出第一和第二2DHG区域。
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公开(公告)号：CN114127954B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202180004469.0
申请日：2021-08-11
申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423
摘要： 所述半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、第一源极/漏极(S/D)电极、第二S/D电极、第一栅极电极、第二栅极电极、第一钝化层、导电层和第二钝化层。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上。所述第一和第二S/D电极以及所述第一和第二栅极电极安置于所述第二氮化物基半导体层上方。所述第一钝化层覆盖所述第一和第二栅极电极。所述导电层安置在所述第一钝化层上方且包含电极部分和场板部分。所述第二钝化层安置在所述导电层上且穿透所述导电层以与所述第一钝化层接触。
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