公开(公告)号：CN1240696A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN99109433.6

申请日：1999-06-30

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 三桥真成 ,  大野健一

IPC分类号： B24B39/06 ,  B24B57/00 ,  H01L21/304

CPC分类号： B24B37/102 ,  B24B37/26

摘要： 表面抛光机械包括:具有抛光工具面的抛光工具;加压元件,置于环形抛光工具上的工件上并与之一起移动,用于将工件压向抛光工具;抛光位置固定装置,用于通过阻止工件与抛光工具一起移动而将工件保持在预定的抛光位置,同时当抛光工具旋转时,允许它转动。抛光工具的直径大于工件的直径,小于工件直径的两倍。另一方面,抛光工具面形成有与抛光工具的旋转中心同轴的环形沟槽,环形沟槽延伸以穿过置于抛光工具上的工件的旋转中心。

公开(公告)号：CN1184019A

公开(公告)日：1998-06-10

申请号：CN97122123.5

申请日：1997-11-14

申请人： 摩托罗拉公司

发明人： 詹姆斯F·瓦内尔

IPC分类号： B24B39/06

CPC分类号： C23C28/00 ,  B24B37/04 ,  B24B41/02 ,  C23C4/11

摘要： 一种保护化学机械抛光(CMP)设备构件不受侵蚀的结构包括形成于压磨板(32)表面上的难熔金属氧化物涂层(33)。在优选实施例中,难熔金属氧化物涂层(33)为等离子火焰喷涂氧化铬层。在另一实施例中,至少在难熔金属氧化物涂层(33)的孔(41)中设置渗补层(42)用于附加保护。难熔金属氧化物涂层(33)还适于保护易受侵蚀的其它CMP设备构件。

公开(公告)号：CN1055689A

公开(公告)日：1991-10-30

申请号：CN91103040.9

申请日：1991-05-14

申请人： 长春光学精密机械学院

发明人： 刘绍东

IPC分类号： B24B39/06 ,  C09G1/02

摘要： 机械密封环高速、高效、高精度研磨方法属于一种精密机械加工方法，它可以高速地对硬质合金或工程陶瓷的环形平面进行精磨和抛光，达到高效率、低成本，同时保证加工的平面度和表面粗糙度精度，适用于加工诸如各类泵等动密封摩擦副中的硬质材料密封环。

公开(公告)号：CN108237469A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201611216510.8

申请日：2016-12-23

申请人： 有研半导体材料有限公司

发明人： 夏青 ,  库黎明 ,  朱秦发 ,  高立飞 ,  田强 ,  王思元 ,  张雷 ,  杨卫国 ,  闫志瑞 ,  李磊

IPC分类号： B24B39/06 ,  B24B1/00 ,  B24B55/00 ,  B24B47/12 ,  B24B57/00

摘要： 本发明公开了一种用于抛光等离子硅聚焦环台阶的装置及方法。该装置包括主体槽、转动装置、紧固装置、送液装置、悬臂和抛光布，其中，紧固装置包括一卡盘，该卡盘上设有螺纹孔，通过螺栓固定待抛光的硅聚焦环；所述紧固装置安装在转动装置上，送液装置用于向待抛光的硅聚焦环上喷淋抛光液；抛光布贴在悬臂的下端，悬臂套在悬臂杆上通过绳子与重锤相连，悬臂可在悬臂杆上沿卡盘径向移动，悬臂杆套在悬臂架上，悬臂杆可在悬臂架上上、下移动。采用该装置抛光等离子硅聚焦环台阶，通过调整卡盘的转速和抛光时间，来达到所需硅环台阶粗糙度。采用本发明可以获得硅环台阶表面粗糙度极低的硅聚焦环，简单易行，效率较高。

公开(公告)号：CN105269453B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201410308139.2

申请日：2014-07-01

申请人： 惠水县昶达数控有限公司

发明人： 李坤学

IPC分类号： B24B39/06 ,  B24B7/22 ,  B24B41/06 ,  B24B41/047 ,  B24B41/02

摘要： 本发明公开了一种石制或玻璃工艺制品自动加工装置，包括固定支架，抛光、打磨组合装置安装在固定支架上，抛光装置设置在固定支架顶面并位于抛光、打磨组合装置上方，在固定支架顶部设有工作槽，抛光、打磨组合装置的抛光盘与打磨盘固定在工作槽内，在工作槽一侧设有通孔并与外导管连接，本发明适用在对多面体石制或玻璃工艺制品进行自动加工，通过本发明可实现对石制或玻璃工艺制品快速抛光、打磨一体化，且抛光精度高，定为准，本发明结构简单，操作方便，实用性很强。

公开(公告)号：CN106737130A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611265348.9

申请日：2016-12-30

申请人： 苏州爱彼光电材料有限公司

发明人： 苗泽明 ,  林岳明 ,  黄朝辉

IPC分类号： B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B39/06

CPC分类号： B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B39/06

摘要： 本发明涉及一种蓝宝石基板研磨装置，包括：机架，具有转轴；设置于所述机架上的研磨台，并由所述转轴驱动而转动，所述研磨台具有研磨面，所述研磨面用于对位于所述研磨台上的蓝宝石基板研磨；位于所述研磨面上的陶瓷盘，带动所述蓝宝石基板相对于所述研磨面移动，所述陶瓷盘对蓝宝石基板中心位置施加的压力大于对蓝宝石基板边缘位置施加的压力。上述陶瓷盘利用对蓝宝石基板中心位置施加的压力大于对蓝宝石基板边缘位置施加的压力，达到研磨面对蓝宝石基板中心位置的研磨力度大于边缘位置的研磨力度，以使蓝宝石基板中心薄、中间位置较厚的技术效果，进而使蓝宝石的表面具有一定的弯曲度。

公开(公告)号：CN103084972B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210418371.2

申请日：2012-10-26

申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

发明人： 郭毅 ,  K-A·K·雷迪

IPC分类号： B24B39/06

CPC分类号： C09G1/04 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

摘要： 提供了一种使用化学机械抛光组合物浓缩物的多种稀释液以抛光基材，对包含过载地沉积在二氧化硅上的多晶硅的基材进行化学机械抛光的方法，其中，用于抛光基材的所述浓缩物的第一稀释液被调节得具有第一多晶硅去除速率和第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性；以及，用于抛光基材的所述浓缩物的第二稀释液被调节得具有第二多晶硅去除速率和第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性。

公开(公告)号：CN103084971B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201210418313.X

申请日：2012-10-26

申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

发明人： 郭毅 ,  K-A·K·雷迪

IPC分类号： B24B39/06

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

摘要： 提供了一种使用化学机械抛光组合物浓缩物的多种稀释液以抛光基材，对包含过载地沉积在氮化硅上的多晶硅的基材进行化学机械抛光的方法，其中，用于抛光基材的所述浓缩物的第一稀释液被调节得具有第一多晶硅去除速率和第一多晶硅对氮化硅的去除速率选择性；以及，用于抛光基材的所述浓缩物的第二稀释液被调节得具有第二多晶硅去除速率和第二多晶硅对氮化硅的去除速率选择性。

公开(公告)号：CN103964901B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410184712.3

申请日：2014-05-04

申请人： 佛山市三水宏源陶瓷企业有限公司

发明人： 林亮银 ,  姚燕春

IPC分类号： C04B41/89 ,  C04B41/84 ,  B24B39/06

摘要： 本发明公开一种抛光砖抛釉砖加工工艺，其特征在于，包括：抛光—水洗—风干—洁亮—第一次防污—磨边—水洗—风干—对色、分级—第二次防污—包装。其中，所述洁亮是指在风干后的砖体表面涂布一层二氧化硅溶胶，二氧化硅溶胶经失水后聚合成玻璃体填充在抛光砖面层的孔洞内；所述第一次防污是指在洁亮后的砖体表面涂布不足量的防污液，充当工序间的临时保护；所述第二次防污是指在砖体表面涂布防污液形成永久保护。与现有技术相比，本发明将磨边工序放在第一次防污工艺，即使在瓷砖边缘存在暗边区，但通过后续的磨边工序也可将暗边区完全磨去，从根本上解决了高光泽度抛光砖的边沿光度低、防污差的问题，使高光泽度抛光砖的产品性能得到极大提升。

公开(公告)号：CN102922420B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210435945.7

申请日：2012-11-05

申请人： 北京理工大学

发明人： 程灏波 ,  董志超

IPC分类号： B24B39/06

摘要： 本发明公开了属于超精密光学表面加工领域的一种可调大偏心量公转箱体式气压施力数控抛光装置。包括电机、减速机、气动旋转接头、固定架、齿轮、皮带、自转驱动杆、自转传递杆、自转轴、公转驱动套筒、公转箱体、自转轴固定块、偏心调节座、气缸、球头、抛光盘；工作时，通过调节自转轴固定块在偏心调节座上的位置，实现大偏心量的连续调节；气体依次通过气动旋转接头、自转驱动杆、自转轴传到气缸，最终对抛光盘施加压力，通过定量的改变气压来调节作用在抛光盘上的压力，实现对光学元件的确定性加工。本发明适用于大口径光学元件的超精密表面加工。