公开(公告)号：CN117747423A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311001325.7

申请日：2023-08-10

申请人： QORVO美国公司

发明人： 克里希纳·切特里 ,  甘尼桑·拉达克里希南

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/02

摘要： 本公开涉及用于对体硅装置进行抛光的方法。公开了用于对体硅进行抛光的方法。在一个方面，当机械抛光头在表面上操作时，通过在硅反应性浆料与去离子水之间循环交替来促进机械抛光。在示例性方面，所述抛光头对体硅载体晶片进行抛光以暴露射频(RF)互补金属氧化物半导体(CMOS)开关的背面，但其它半导体也可以受益于本公开的示例性方面。当存在硅浆料时，所述体硅与所述浆料之间发生反应，使得所述抛光头去除所述体硅。所述去离子水会中断这种反应，并有助于防止过度抛光，否则可能会损坏装置。

公开(公告)号：CN113053744B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202011499279.4

申请日：2020-12-17

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 石井洋平 ,  凯瑟琳·迈尔 ,  梅德哈特·哈利勒

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L29/10

摘要： 本发明在使用化合物半导体材料等加工微细的图案时，使得能够通过比较低的温度工艺形成剖面为垂直的形状的图案。半导体装置的制造方法构成为具备使用等离子体对半导体材料进行蚀刻的工序、在半导体材料形成损伤层的工序、以及去除所述损伤层的工序。

公开(公告)号：CN117712200A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311705250.0

申请日：2023-12-12

申请人： 西安微电子技术研究所

发明人： 代鹏昊 ,  王一义 ,  郝军 ,  李林 ,  刘存生 ,  刘如征

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L21/306

摘要： 本发明公开了一种硅柱阵列、刻蚀方法和应用，在硅衬底片表面设置基于硅柱图形的二氧化硅硬掩膜；利用二氧化硅硬掩膜掩蔽，对硅衬底片进行单次硅刻蚀，单次硅刻蚀过程持续至刻蚀深度达到要求，硅衬底片表面形成硅柱；单次硅刻蚀的工艺参数为：刻蚀气体为SF6，钝化气体为O2和Hbr，刻蚀压力为55～65W，偏置功率为45W～55W，偏置功率频率为110Hz～130Hz；偏置功率循环为75％～85％，源射频功率为1000W～1300W；剥离二氧化硅硬掩膜，完成硅柱阵列刻蚀。可使硅柱侧壁的漫反射变为镜面反射，提高薄膜电池的光吸收，显著提升产品的光电转换效率。

公开(公告)号：CN113632241B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202080023700.6

申请日：2020-02-17

申请人： 株式会社钟化

发明人： 中野邦裕

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及太阳能电池的制造方法。即使在进行了制造工序的简化，也抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损。太阳能电池的制造方法是背面电极型的太阳能电池的制造方法，其包含：在半导体基板的背面侧的第一区域形成图案化的第一导电型半导体层以及剥离层的第一半导体层形成工序；在半导体基板的背面侧的第一区域的剥离层以及第二区域上形成第二导电型半导体层的材料膜的第二半导体层材料膜形成工序；及除去剥离层，由此在第二区域形成图案化的第二导电型半导体层的第二半导体层形成工序。在第二半导体层形成工序中使半导体基板的背面侧与蚀刻溶液的液面相对并与蚀刻溶液接触，在蚀刻溶液的液面上输送半导体基板。

公开(公告)号：CN113122147B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201911409281.5

申请日：2019-12-31

申请人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司

发明人： 周靖宇 ,  马健 ,  荆建芬 ,  姚颖 ,  杨俊雅 ,  倪宇飞 ,  汪国豪 ,  黄悦锐 ,  王雨春

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/306

摘要： 本发明旨在提供一种用于含碳材料的抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，包含磨料、氧化剂和有机膦酸，该抛光液在维持较高的含碳材料去除速率的同时，避免抛光过程的副产物在抛光垫上沉积，延长了抛光垫的使用寿命，降低了抛光后晶圆表面的缺陷。

公开(公告)号：CN117672837A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211065405.4

申请日：2022-09-01

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 刘括 ,  阎大勇 ,  赵娅俊 ,  刘敏

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L23/544

摘要： 本申请提供一种晶圆键合方法、金属标记的形成方法、晶圆结构及晶圆修边刀具，所述晶圆键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括衬底和位于所述衬底上的键合层；对所述第一晶圆的键合层和修边区衬底进行修边处理，其中修边宽度自所述键合层的表面向所述修边区衬底的底面逐渐增大；将所述键合层和所述第二晶圆进行键合，并去除所述第一晶圆上的非修边区衬底以及减薄所述修边区衬底至目标厚度。本申请技术方案能够解决因籽晶层薄且不连续而导致形成金属标记时无法正常对晶圆进行加电的问题。

公开(公告)号：CN117655910A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211032455.2

申请日：2022-08-26

申请人： 英特尔NDTM美国有限公司

发明人： 梅晓熙 ,  刘志达

IPC分类号： B24B37/12 ,  B24B37/16 ,  B24B37/10 ,  H01L21/306

摘要： 提出用于化学机械研磨的研磨头以及使用研磨头的研磨方法。根据本发明实施例，一种用于化学机械研磨的研磨头包括：研磨部，所述研磨部包括第一研磨表面；研磨销，所述研磨销嵌在所述研磨部中，并且包括第二研磨表面；驱动装置，所述驱动装置连接至所述研磨销，并且能够驱动所述研磨销，使得在对晶圆进行研磨的过程中，所述研磨销的第二研磨表面对晶圆产生的压力比所述研磨部的第一研磨表面对晶圆产生的压力大。根据本发明实施例，一种使用研磨头的研磨方法包括使研磨表面平齐，使晶圆与其接触并开始研磨，在研磨过程中对研磨销进行驱动。根据本发明的实施例，能够缓解或消除化学机械研磨过程中出现的不均匀现象，并且改善针对晶圆的整体研磨质量。

公开(公告)号：CN117603624A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311312952.2

申请日：2023-10-11

申请人： 北京国瑞升科技股份有限公司

发明人： 吴月英 ,  苑亚斐

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及研磨抛光技术，具体涉及一种碳化硅抛光液及其制备方法。抛光液由包括以下原料制成：纳米球形混合磨料15‑25％，氧化剂0.2‑3％，分散剂0.2‑3％，悬浮剂0.2‑3％，纯水余量；还包括硅烷偶联剂，其为所述纳米球形混合磨料重量的1‑2％。本发明抛光液主要适用于单晶衬底片的抛光工序，特别是针对材料硬度大、抛光速率慢的单晶材料，尤其适用于碳化硅单晶衬底片的表面抛光处理。

公开(公告)号：CN117524872A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202211073704.2

申请日：2022-09-02

申请人： 鸿海精密工业股份有限公司 ,  鸿扬半导体股份有限公司

发明人： 萧逸楷 ,  蒋光浩 ,  郭浩中

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L29/06

摘要： 半导体装置的制造方法包括以下步骤：形成基体区域于基板中。形成保护层于基板上，并覆盖基体区域。形成第一牺牲层及第二牺牲层于基板上，并覆盖保护层。形成源极区域、井区域及接面场效晶体管区域于基板中。其中源极区域、井区域及接面场效晶体管区域依序形成，源极区域及井区域利用图案化后的第一牺牲层形成，且接面场效晶体管区域利用第二牺牲层形成，或者接面场效晶体管区、井区域及源极区域依序形成，接面场效晶体管区域利用图案化后的第一牺牲层形成，且井区域及源极区域利用第二牺牲层形成。本揭露的制造方法不仅可降低半导体装置的阻抗，还可节省光罩费用，进而降低成本。

公开(公告)号：CN117374168B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311669456.2

申请日：2023-12-07

申请人： 无锡华晟光伏科技有限公司 ,  安徽华晟新能源科技有限公司

发明人： 孙鹏 ,  张良 ,  张景 ,  杜文朝

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

摘要： 本发明提供异质结太阳能电池及其制备方法，包括：对半导体衬底进行制绒得到绒面结构，绒面结构具有待抛光区和位于待抛光区侧部的绒面区；对半导体衬底进行吸杂，形成位于绒面结构表面的磷硅玻璃层；对磷硅玻璃层进行图案化处理，形成贯穿磷硅玻璃层的孔型区域，待抛光区暴露在孔型区域中；对待抛光区进行抛光得到抛光区，绒面结构形成抛光绒面复合结构；去除位于绒面区的磷硅玻璃层；在抛光绒面复合结构的表面依次沉积去复合载流子传输层、透明导电层和栅线，栅线在半导体衬底表面的正投影与抛光区重合，提高了栅线与透明导电层的接触效果，降低了异质结太阳能电池的接触电阻，从而提高了异质结太阳能电池的光电转换效率。