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公开(公告)号:CN113777270A
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202110951663.1
申请日:2021-08-18
申请人: 中国航发北京航空材料研究院
IPC分类号: G01N33/2045 , G01N23/2251 , G01N23/2055 , G01N23/203 , G01N23/20058 , G01N23/2005 , G01N21/84 , G01N1/44 , G01N1/28
摘要: 本发明涉及高温合金粉末材料热裂敏感性和热裂敏感温度的表征方法。先采用激光熔覆筛选粉末材料的热裂敏感性,后选用易发生热裂的成分的粉末材料加热保温后淬火冷却以获得不同温度条件下粉末的晶粒度特征参量,采用该成分粉末树枝晶和等轴晶转变临界温度以下的温度热等静压并进行金相试样磨样,用激光热源以不同的工艺参数在金相试样表面扫描,通过图像识别寻找金相磨面激光扫描区附近发生热裂的区域并测量该区域的晶粒尺寸和微裂纹密度,评价材料的热裂敏感性,对比测得的保护气氛下不同温度粉末对应的晶粒度特征参量,寻找两种试样晶粒度相近的温度获得热裂敏感温度的区间。解决了现有技术难以确定高温合金粉末材料热裂敏感温度区间的局限性。
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公开(公告)号:CN112649453B
公开(公告)日:2021-11-12
申请号:CN202011448013.7
申请日:2020-12-09
申请人: 北京大学
IPC分类号: G01N23/20058
摘要: 本发明提供一种测量待测样品四维电子能量损失谱的方法,所述方法包括如下步骤:S1、将制备好的待测样品放入电镜,旋转待测样品至待测的带轴;S2、在电镜的电子束的汇聚半角为第一汇聚半角下校正像散,再切换电子束的汇聚半角为第二汇聚半角;S3、调整电镜相机上的衍射斑使待测动量区位于狭缝光阑的预留区域内;S4、插入所述狭缝光阑使得所述狭缝光阑位于所述预留区域内;S5、插入单色仪,限制通过电子束的能量,提高能量分辨率;S6、调整像散;S7、获得待测样品当前位置的能量‑动量图。该方法可以测量纳米结构的能量‑动量谱,不需要大块的单晶样品,是角分辨光电子能谱和高分辨电子能量损失谱仪的有效补充。
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公开(公告)号:CN110487825B
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN201910708144.5
申请日:2019-08-01
申请人: 中国科学院金属研究所
IPC分类号: G01N23/20058
摘要: 本发明的目的在于提供一种确定TEM观察锆合金中FCC‑Zr相最佳方向的复合衍射法。首先根据两相之间可能存在的位向关系,采用矩阵运算获得FCC‑Zr与基体之间晶面指数以及晶向指数之间的对应关系;然后利用晶体学软件Crystal Marker等模拟在任意方向入射电子束下的两相复合斑点衍射谱;最后通过对比不同入射方向下的两相复合衍射谱,相应低指数晶向和晶面指数对应的电子束入射方向,即是观察FCC‑Zr相的最佳方向。此发明方法可以准确找到观察锆合金中纳米尺寸FCC‑Zr相最佳电子束入射方向,对于FCC‑Zr晶体学研究具有重要的意义。
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公开(公告)号:CN110501364B
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN201910697220.7
申请日:2019-07-30
申请人: 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司 , 张家港宏昌钢板有限公司 , 江苏沙钢集团有限公司
IPC分类号: G01N23/203 , G01N23/20058
摘要: 本发明涉及一种定量评定双重晶粒度的方法,该方法选取有双重晶粒的试样进行分析,并按照电子背散射衍射的要求进行制样,随机选取多个区域进行扫描,得到所有晶粒的数据信息,对晶粒尺寸的数据进行统计分析并分类评定。对于双峰状态的双重晶粒评定,先确定细晶区与粗晶区的界限,再根据提出的公式定量评定出细晶区和粗晶区的晶粒度级别,并根据数据计算出各自所占的面积百分比。此种方法评定的晶粒度级别和面积百分比结果准确,完全符合晶粒度评定的要求。尤其可解决传统的金相法无法对有织构的试样进行腐蚀评级的问题。
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公开(公告)号:CN113466268A
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202110734404.3
申请日:2021-06-30
申请人: 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号: G01N23/20008 , G01N23/04 , G01N23/20025 , G01N23/20058 , G01N1/28
摘要: 本申请实施例公开了一种组合样品及其制备方法,其中,制备方法包括:将样品承载部放置于承载台上;所述样品承载部包括基底和至少一个格栅,所述栅格位于所述基底背离所述承载台的一侧;在所述格栅中形成凹槽;所述凹槽具有第一侧壁,所述第一侧壁与所述基底垂直;将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上,得到组合样品;所述待减薄样品的粘贴面与所述基底呈第一预设角度,所述第一预设角度为锐角;利用聚焦离子束,对所述待减薄样品进行减薄处理。
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公开(公告)号:CN112461866B
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN202011295785.1
申请日:2020-11-18
申请人: 浙江大学
IPC分类号: G01N23/04 , G01N23/20058 , G01N23/2055
摘要: 本发明公开了一种纳米粉晶主暴露面的电子衍射辅助测定方法。首先取不同分散区域的纳米粉晶样品进行电子衍射图的拍摄;利用图形处理软件得到电子衍射图中各衍射环的辉度值与晶面指数的关系图,将多张电子衍射照片中各衍射环的辉度值求平均;构建与衍射角2θ和辉度值相关的偏移矫正函数;根据偏移矫正函数求得的理论辉度值矫正各衍射环的实际辉度值得到偏移矫正辉度值;将两个最强的偏移矫正辉度值对应的晶面指数进行叉乘得到主暴露面的对应带轴,根据对应带轴和样品的晶相结构确定主暴露面的晶面指数,从而确定样品的主暴露面。本发明用于超细纯相纳米粉晶的主暴露面的测定。
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公开(公告)号:CN113406120A
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN202110567966.3
申请日:2021-05-24
申请人: 华南理工大学
IPC分类号: G01N23/04 , G01N23/20008 , G01N23/20058 , G01N23/2055 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/36
摘要: 本发明公开了一种金属摩擦层透射电子显微镜样品的制备方法。该方法包括:从样品中切取金属薄片,打磨,得到打磨后的金属薄片;将打磨后的金属薄片镶嵌在金属管中,镶嵌处使用树脂黏贴,得到薄片试样;将薄片试样的正反两面分别打磨,得到打磨后的薄片试样,进行离子减薄处理至薄片试样出孔为止,得到离子减薄后的试样;将离子减薄后的试样进行离子抛光处理,得到所述金属摩擦层透射电子显微镜样品。本发明的制备方法工艺简单,使用制样的设备和技术成熟,有利于防止砂纸打磨过程中的摩擦层脱落和采用凹坑仪减薄过程中容易出现的样品碎裂,适合于具有微米级表面氧化层和严重塑性变形层等多层结构的金属摩擦层截面透射电子显微镜样品的制备。
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公开(公告)号:CN113376192A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110650762.6
申请日:2021-06-11
申请人: 华东交通大学
IPC分类号: G01N23/203 , G01N23/20058
摘要: 本发明提供一种基于EBSD花样推测模糊菊池带宽度的方法,包括以下步骤:S1:在扫描电子显微镜SEM上采集晶体样品的电子背散射衍射EBSD花样,识别其中清晰菊池带,得出菊池带对应的晶体倒易矢量,同时确定模糊菊池带的迹线;S2:取三个同一带轴的倒易矢量,利用最小二乘法进行二维网格的拟合,判断各矢量终点与网格节点的偏差情况;S3:另取一条同一带轴的倒易矢量,其方向由迹线和信号源确定,根据菊池带灰度分布图和EBSD花样衍射衬度,确定其终点可能位置,考虑新确定矢量重新拟合二维网格;S4:重复上述步骤至各矢量终点与新得到的网络节点偏差小或者重合。本发明提供的基于EBSD花样推测模糊菊池带宽度的方法可以解决EBSD花样中模糊菊池带宽度难以确定的问题,推测结果误差小,推测过程速度快。
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公开(公告)号:CN109323896B
公开(公告)日:2021-09-03
申请号:CN201811059187.7
申请日:2018-09-12
申请人: 东莞理工学院
IPC分类号: G01N1/28 , G01N21/65 , G01N23/20058 , G01N23/2273
摘要: 本发明涉及石墨烯量子点领域,具体涉及基于石墨烯量子点的农药探测方法,包括以下步骤,a、制备石墨烯量子点;b、取步骤a中制备的石墨烯量子点探测农药浓度。其中石墨烯量子点的制备步骤为,①取石墨粉块与熔盐催化剂机械混合;②取步骤①中的混料经预热处理并保温;③取步骤②保温后的混料直接升温并保温;④将步骤③中的混料降温到室温后,水浸泡处理,获取悬浮液;⑤取步骤④中的悬浮液,经离心过滤获得石墨烯量子点产品。本发明的农药探测方法由于其中的石墨烯量子点制备方法造价低、石墨化程度高、成品质量好,因此能精确的探测农药浓度、可适用于大规模生产。
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公开(公告)号:CN113252718A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110535636.6
申请日:2021-05-17
申请人: 上海大学
IPC分类号: G01N23/2206 , G01N23/2251 , G01N23/2202 , G01N23/20 , G01N23/203 , G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N1/28 , G01N1/32
摘要: 本发明涉及等离子体刻蚀领域,具体是一种研磨工艺造成热障涂层表面残余应力的表征方法,包括:选取步骤,选取两个表面皆平整的热障涂层材料;表面预处理步骤,研磨和抛光处理所述热障涂层材料的其中一个表面;应力释放步骤,对抛光处理后的所述表面进行离子刻蚀;导电性提高处理步骤,对经过离子刻蚀的所述表面镀碳处理;表征准备步骤,将所述热障涂层材料放置在样品托上,并将镀碳处理后的表面导接至所述样品托的表面;表征步骤,表征所述热障涂层材料的表面信息。本发明利用离子刻蚀将热障涂层材料的表面的一层应力层去除,进而使得表面应力得以释放,从而使得SEM‑EBSD识别更加清晰。
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