公开(公告)号：CN102468299B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201110349969.6

申请日：2011-11-08

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 阿莫里·根德龙 ,  蔡·伊安·吉尔 ,  瓦迪姆·A·库什纳 ,  詹柔英

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8248

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/87

Abstract: 本发明公开了一种集成电路装置以及制造半导体装置的方法。提供了一种面积有效的高电压单极性ESD保护装置(300)，包括p型衬底(303)；第一p-阱(308-1)，在衬底中形成并且尺寸被确定为包含连接到阴极端子的n+接触区域和p+接触区域(310、312)；第二独立p-阱(308-2)，在衬底中形成并且尺寸被确定为仅包含连接到阳极端子的p+接触区域(311)；以及电浮置n型隔离结构(304、306、307-2)，在衬底中形成以围绕并且分离第一半导体区域和第二半导体区域。当向阴极端子和阳极端子施加超过触发电压水平的正电压时，ESD保护装置使固有闸流晶体管触发为骤回模式，以提供通过所述结构的低阻抗路径用于对ESD电流进行放电。

公开(公告)号：CN103378087B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210130387.3

申请日：2012-04-28

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 胡勇海 ,  代萌 ,  林忠瑀 ,  汪广羊

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/87

Abstract: 本发明涉及一种静电释放保护结构，包括：衬底，具有第一导电类型；阱区，具有第二导电类型；衬底接触区，设于衬底内，具有第一导电类型；阱区接触区，设于阱区内，具有第二导电类型；衬底反掺杂区，位于衬底接触区和阱区接触区之间，具有第二导电类型；阱区反掺杂区，位于衬底接触区和阱区接触区之间，具有第一导电类型；连通区，设于衬底和阱区的横向交界处；第一隔离区，处于衬底反掺杂区和连通区之间；第二隔离区，处于阱区反掺杂区和连通区之间；氧化层，一端设于第一隔离区上，另一端设于衬底上；场板结构，设于氧化层上。本发明还涉及一种静电释放保护结构制造方法。本发明可通过调节场板结构的宽度和位置来调整开启电压。

公开(公告)号：CN105226053A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510363846.6

申请日：2015-06-26

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： M·罗维瑞 ,  L·穆安德龙 ,  C·巴龙

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H02H3/20 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0761 ,  H01L28/20 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/87 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及过压保护部件。一种集成电路，包括垂直肖克利二极管和第一垂直晶体管。二极管从半导体衬底的顶部至底部由第一导电类型的第一区域、第二导电类型的衬底、以及具有形成在其中第二导电类型的第三区域的、第一导电类型的第二区域而形成。垂直晶体管也从顶部至底部由第二区域的一部分、以及第二导电类型的第四区域形成。第三和第四区域相互电连接。

公开(公告)号：CN102714205B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180005850.5

申请日：2011-01-03

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： J·萨尔塞多 ,  A·赖特

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/742 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/87 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 所提供的是过压钳位结构及其形成方法。在一些实施例中，过压钳位结构包括衬底（708）、设置与该衬底之上的接合焊盘（700）以及形成于该接合焊盘下面的该衬底中的高电压MOS器件（100c）。该高电压MOS器件（100c）能包括形成于该衬底中的阱（100、115）、形成于该阱中的掺杂浅区域（130、135、140、145）以及设置与该阱之上的栅极（160）。在一些实施例中，该钳位结构不表现出第一骤回之后的软故障泄漏，且大大扩展了ESD鲁棒性，同时显著减小了器件面积。

公开(公告)号：CN104979343A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510163237.6

申请日：2015-04-08

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 琼·斯特里耶克 ,  伊内兹·埃米里克-维兰德

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/866 ,  H01L29/87 ,  H02H9/046 ,  H05K1/0259

Abstract: 本发明涉及一种半导体隔离结构。更具体地，本发明涉及一种适于提供高电压隔离的半导体隔离结构。所公开的实施例包括一种半导体结构(10)，包括：第一半导体区域(R1)；第二半导体区域(R2)，在所述第一半导体区域(R1)内；以及电压隔离器(11)，分隔所述第一和第二半导体区域(R1，R2)，所述电压隔离器(11)包括：一系列嵌套的绝缘区域(Ti，T2)，在所述第二半导体区域(R2)周围；中间半导体区域(I1，I2)，在每对相邻的嵌套绝缘区域(T1，T2)之间；以及电压控制器件(12)，包括与所述至少一个绝缘区域(T1，T2)并联地连接到至少一个中间半导体区域(I1，I2)的导电元件(D1-D3)，以控制所述至少一个绝缘区域(T1，T2)两端的电压。

公开(公告)号：CN102315258B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201010221822.4

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 单毅

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/87

Abstract: 本发明提供了一种寄生晶闸管以及静电保护电路，所述寄生晶闸管包括：半导体衬底；位于半导体衬底内且相邻的N阱以及P阱；位于半导体衬底表面且横跨于N阱以及P阱的第一伪栅；位于P阱表面的第二伪栅；位于第一伪栅以及第二伪栅之间P阱内的P型触发电压调整区；位于第二伪栅相对于N型触发电压调整区另一侧P阱内的N型注入区；位于第一伪栅另一侧N阱内的P型注入区；还包括阳极，连接至P型注入区以及N阱；阴极，连接至N型注入区以及P阱。本发明所述寄生晶闸管，导通电路形成于半导体衬底的表面区域内，因此路径较短，开启速度较快，且通过N型触发电压调整区外接触发电压调整电路，而具有调整降低触发电压的功能。

公开(公告)号：CN102623452B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210102462.5

申请日：2012-04-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 姜一波 ,  杜寰

IPC: H01L27/02 ,  H02H9/04

CPC classification number: H01L29/87

Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，公开了一种静电防护器件，包括可控硅器件、MOS管器件；所述可控硅器件与所述MOS管器件串联。本申请还公开了一种静电防护器件的制造工艺，包括在半导体基底上制成可控硅器件；在所述可控硅器件附近制成MOS管；将可控硅器件与MOS管器件串联。所述静电防护器件兼有可控硅极小寄生电容和MOS器件高维持电压的特点可应用在高压射频电子电路或器件的静电保护等方面。

公开(公告)号：CN104167414A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410206744.9

申请日：2014-05-16

Applicant: 亚德诺半导体技术公司

Inventor： J·A·塞尔瑟多 ,  D·J·克拉克 ,  J·G·费法

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/87 ,  H01L21/8248

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L21/761 ,  H01L27/027 ,  H01L27/0817 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/87

Abstract: 本发明提供了双槽区结隔离型电压钳位器件及其形成方法。该电压钳位器件能够给连接于第一及第二高压接口引脚之间的低压电路提供结隔离型保护。在某些实现方式中，电压钳位器件包括布置于p型阱内的PNPN保护结构、布置于位于p型阱的相邻处的n型阱内的PN二极管保护结构、包围着p型阱和n型阱的p型槽区、以及包围着p型槽区的n型槽区。P型槽区和n型槽区提供结隔离，p型槽区能够是电浮置的，并且n型槽区能够与第二引脚电连接。第一及第二引脚能够在结隔离击穿以下的电压差下操作，并且第二引脚能够以比第一引脚高的电压来操作。

公开(公告)号：CN102544085B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201210060419.7

申请日：2012-03-09

Applicant: 浙江大学

Inventor： 郑剑锋 ,  韩雁 ,  马飞 ,  董树荣 ,  吴健 ,  苗萌 ,  曾杰

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L27/07

CPC classification number: H01L29/87

Abstract: 本发明公开了一种基于PMOS管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个PMOS管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区与第二PMOS管相连，第一PMOS管与第一金属电极相连；第二N+有源注入区与第三PMOS管相连，第四PMOS管与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用PMOS管作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。

公开(公告)号：CN103489927A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310410822.2

申请日：2013-09-10

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 高勇 ,  谢加强 ,  马丽 ,  王秀慜

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: Y02P70/605 ,  H01L29/87 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明公开了一种快速软恢复功率开关二极管，从下到上依次设置有阴极N+区、耐压层和阳极P+区，耐压层由复合结构成，复合结有L型N-柱和L型P-柱构成。其中，阳极P+区为重掺杂Si材料；耐压层复合结结构区采用新型复合结Si材料结构，掺杂浓度较常规PiN二极管高一个数量级；阴极区采用N+掺杂结构。本发明还公开了一种快速软恢复功率开关二极管的制备方法，与常规PiN二极管的不同之处在于，复合结结构中引入了横向和纵向交替内建电场。二极管的反向恢复峰值电流较常规的PiN二极管和超结二极管大大减小，反向恢复时间很大程度上缩短了，该新型复合结结构的快速软恢复功率开关二极管便能够更好的适用于高频电路应用中。