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公开(公告)号：CN107589775B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201711000493.9
申请日：2017-10-24
申请人： 南京微盟电子有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种正温度系数电流补偿的基准电压源，在基准电压源的输出端增设了正温度系数电流补偿电路，利用两个NPN管Q8和Q9以及相应的电阻R7和R8产生温度系数不同的两组正温度系数电流，将两组电流叠加，优化了电流的温度变化率。本发明解决了传统带隙基准的应用局限性，改变了传统一阶带隙基准高温区间只能产生负温度系数的局限性，依靠基准在全温度范围的正温度系数为大电流功率开关电源提供了一种结构简单、成本低廉、稳定可靠的输出电压补偿方案。
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公开(公告)号：CN104682683B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510104990.8
申请日：2015-03-10
申请人： 南京微盟电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种电压模PWM型同步升压DC‑DC转换器的限流电路，是在现有电压模PWM型同步升压DC‑DC转换器的基础上增设可调限流电路，包括限流电阻RS、限流比较器ILIMITCOMP、电流采样NMOS管VTS、电流采样电阻RH、恒流源IR、控制开关K和设置于PWM比较器与控制逻辑电路Control Logic之间的限流逻辑单元R。通过限流比较器ILIMITCOMP、限流逻辑单元R工作状态的变化，控制转换器中功率管栅极的关断，通过调节外置限流电阻RS的大小实现转换器中功率管限流值的设定。
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公开(公告)号：CN106531734A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510581910.8
申请日：2015-09-14
申请人： 上海岭芯微电子有限公司
发明人： 刘大雁
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供了一种新型低成本高防护效果的ESD结构，该ESD保护结构包括：基板，该基板具有第一导电类型；平行设置的多个注入区，该多个注入区具有第二导电类型，其中该多个注入区中的一部分构成漏极且该注入区中的另一部分构成源极；环绕该漏极形成的环形阱区，该环形阱区具有第二导电类型，且该环形阱区与该漏极串联。
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公开(公告)号：CN104079157B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410275522.2
申请日：2014-06-19
申请人： 南京微盟电子有限公司
IPC分类号： H02M1/36
摘要： 一种同步升压DC?DC转换器的超低压启动电路，包括低压启动比较器、低压启动振荡器、低压驱动电路、倍压电路和开关管VTS，低压启动比较器分别输入基准电压Vref2和输出电压VO，其输出分别连接低压启动振荡器的一个输入端和DC?DC转换器中控制逻辑电路，低压启动振荡器的另一个输入连接供电电源VIN，低压启动振荡器的输出端分别连接倍压电路和控制逻辑电路，倍压电路的两路输出分别连接低压驱动电路的供电电源端和输入信号端，低压驱动电路的输出连接开关管VTS的栅极，开关管VTS的漏极作为超低压启动电路的输出端连接DC?DC转换器中同步整流管SP和功率开关管VT的漏极。
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公开(公告)号：CN103681513A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310713868.1
申请日：2013-12-20
申请人： 上海岭芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/06
CPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/0623
摘要： 本发明提供了一种集成电路充电驱动器及其制造方法。该制造方法包括：提供基板，基板是p+/p-型外延基板并用作PNP管的集电极，基板包含PNP区和NMOSFET区；在基板的NMOSFET区中形成n型埋层；分别在PNP区的两侧和NMOSFET区的两侧形成p型下隔离；沉积n-外延，n-外延由p型下隔离隔断以形成n-外延岛；在p型下隔离上形成p型上隔离，且n型埋层位于NMOSFET的p阱下方；在n-外延岛上形成多个n+区，PNP区中的n+区用作基极且NMOSFET区中的n+区分别用作源极和漏极；在n-外延岛上形成多个p+区，PNP区中的p+区用作发射极，且NMOSFET区中的p+区用作p阱；以及在NMOSFET区上进一步形成栅极。
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公开(公告)号：CN116827330B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211589749.5
申请日：2022-12-12
申请人： 南京微盟电子有限公司
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K5/08
摘要： 本发明涉及一种通讯端口电路，具体说是强抗干扰通讯端口电路。它包括输入口和输出口。输入口与触发器件的输入端适配连接，触发器件的输出端适配连接有滤波整形器件，滤波整形器件的输出端与输出口适配连接。其特点是所述触发器件的输出端与倒相器I NV4相连，所述滤波整形器件包括门电路AND2、倒相器I NV5、电阻R2、电容C1、倒相器I NV6、门电路NOR2_1、门电路NOR2_2和门电路NOR2_3，门电路AND2、倒相器I NV5、电阻R2、电容C1、倒相器I NV6、门电路NOR2_1、门电路NOR2_2和门电路NOR2_3构成回路。采用该通讯端口电路不会将有效信号的脉宽收窄，确保信号的有效性较好。
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公开(公告)号：CN117351878A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311476816.7
申请日：2023-11-07
申请人： 南京微盟电子有限公司
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 本发明涉及LED驱动技术领域，具体说是一种高稳定性LED消隐电路。它的特点是包括第一电平位移电路和第二电平位移电路。第一电平位移电路的输入端接参考电压VREF，第二电平位移电路的输入端接参考电压VREF，第一电平位移电路用于在下消隐使能开关闭合时，钳位LED驱动电路接地端对应的LED一端的电压，从而确保LED两端的压降低于其导通压降，第二电平位移电路用于在上消隐使能开关闭合时，钳位LED驱动电路VDD端对应的LED一端的电压，从而确保LED两端的压降低于其导通压降。该消隐电路不会缩短LED的使用寿命，且消隐功能稳定。
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公开(公告)号：CN115987099A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211604443.2
申请日：2022-12-13
申请人： 南京微盟电子有限公司
摘要： 本发明提供一种多频率开关电源转换器，应用于开关电源技术领域，包括电压比较器、参考频率发生器、频率锁定电路、ON Time发生器和逻辑驱动电路，电压比较器接入参考电压、采样电压，向参考频率发生器、频率锁定电路、ON Time发生器和逻辑驱动电路传输ON信号；参考频率发生器接入Vconmin信号、Vconmax信号，与频率锁定电路连接并传输参考频率和电流控制信号；频率锁定电路与ON Time发生器连接并传输Vcon信号；ON Time发生器与逻辑驱动电路连接并传输OFF信号；逻辑驱动电路用于控制电源功率管的导通与关断。控制稳定可靠，无需补偿网络，瞬态响应速度快，电磁干扰噪声小。
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公开(公告)号：CN115913120A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211629253.6
申请日：2022-12-19
申请人： 南京微盟电子有限公司
摘要： 本申请涉及一种中心频率附近窄范围自动变频振荡器，包括：电流振荡器电路，所述电流振荡器电路电性连接有主电流源和控制充电电流源模块，所述主电流源包括主充电电流源及主放电电流源；所述主充电电流源和控制充电电流源模块均与电流振荡器电路电性连接；所述电流振荡器电路内电性连接有分频计数电路，所述分频计数电路对振荡输出信号进行分频计数；所述分频计数电路信号控制控制充电电流源模块导通，本发明引入了多个电流源自动进行加减调整，从而可以在较窄范围内自动变频，可以使得振荡器输出在精确的中心频率附近小范围摆动的振荡频率输出，从而使得对外的emi干扰信号不是集中在一个固定频率点。
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公开(公告)号：CN111142006B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201911364550.0
申请日：2019-12-26
申请人： 上海岭芯微电子有限公司
发明人： 张灵灵
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供了一种芯片的Trim测试方法，包括以下步骤：获得多个修调元件中每一修调元件的修调量；计算所述多个修调元件的各种组合下的各个组合修调量；获得所述芯片的预定节点的检测值和目标值；根据所述各个组合修调量与所述检测值计算各个修调结果；计算所述各个修调结果与所述目标值之差的绝对值；选择与所述目标值之差的绝对值最小的修调结果；以及根据所选择的修调结果确定所述多个修调元件的组合。
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