芯片的Trim测试方法和自动测试设备

    公开(公告)号:CN111142006B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN201911364550.0

    申请日:2019-12-26

    发明人: 张灵灵

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: 本发明提供了一种芯片的Trim测试方法,包括以下步骤:获得多个修调元件中每一修调元件的修调量;计算所述多个修调元件的各种组合下的各个组合修调量;获得所述芯片的预定节点的检测值和目标值;根据所述各个组合修调量与所述检测值计算各个修调结果;计算所述各个修调结果与所述目标值之差的绝对值;选择与所述目标值之差的绝对值最小的修调结果;以及根据所选择的修调结果确定所述多个修调元件的组合。

    芯片的Trim测试方法和自动测试设备

    公开(公告)号:CN111142006A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201911364550.0

    申请日:2019-12-26

    发明人: 张灵灵

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: 本发明提供了一种芯片的Trim测试方法,包括以下步骤:获得多个修调元件中每一修调元件的修调量;计算所述多个修调元件的各种组合下的各个组合修调量;获得所述芯片的预定节点的检测值和目标值;根据所述各个组合修调量与所述检测值计算各个修调结果;计算所述各个修调结果与所述目标值之差的绝对值;选择与所述目标值之差的绝对值最小的修调结果;以及根据所选择的修调结果确定所述多个修调元件的组合。

    一种具有高升压比的升压电路

    公开(公告)号:CN109951073A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201711393126.X

    申请日:2017-12-21

    发明人: 张宏林

    IPC分类号: H02M3/156

    摘要: 本发明涉及一种具有高升压比的升压电路,包括Boost电路,所述升压电路还包括升压级联支路、输出电压取样电路和反馈驱动控制芯片,所述的升压级联支路设置N条并依次级联于Boost电路输出端,最后一级升压级联支路输出端为所述升压电路的输出端,所述的输出电压取样电路并联于升压电路的输出端,所述的输出电压取样电路连接至反馈驱动控制芯片,所述的反馈驱动控制芯片连接Boost电路中的开关管;所述的升压电路最大输出电压为Boost电路输出电压最大输出电压的2N倍。与现有技术相比,本发明电路结构简单、可实现高升压比、且输出电压可精确控制。

    多段自适应的PFM控制器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105790550A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201410833807.3

    申请日:2014-12-23

    发明人: 金杰

    IPC分类号: H02M1/08

    摘要: 本发明提供一种多段自适应的PFM控制器,包括参考电压的产生电路,其包括:采样转换模块,对功率开关管的电流作采样,获得采样电流后转化成采样电压;上、下限比较器,下限比较器的正输入端接收进入PFM模式的最小开关电流值对应的第一预设电压值,上限比较器的负输入端接收工作在PFM模式的最大开关电流值对应的第二预设电压值;其它两端均接收采样转换模块输出的采样电压;计数器,当采样电压小于第一预设电压值且系统电路未工作在PFM模式下加1;当采样电压大于第二预设电压值且系统电路工作在PFM模式下减1;数模转换器,当计数器加1或减1时,将参考电压变为多个参考电压中的下一个或上一个。本发明可提高开关类电源转换电路进出PFM模式的负载精度。

    一种太阳能LED灯电路
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101026917B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN200610024123.4

    申请日:2006-02-24

    发明人: 江洪

    CPC分类号: Y02B20/341 Y02B20/42

    摘要: 一种太阳能LED灯电路,除包括太阳能电池、充电电路、充电电池和若干个LED外,它还包括高效的LED驱动电路和独特的阳光检测控制电路并电池过放保护电路。其中LED驱动电路是以先进的脉冲频率调制直流-直流升压稳压器为核心,并通过巧妙结合外围分立器件构成了具有恒流驱动LED的电路。阳光检测控制电路并电池过放保护电路是一个即可光控开关又可保护电池的电路。由于采用了上述的技术解决方案,所以本发明一方面满足了单节Ni-Cd或Ni-MH充电电池以至超级电容器的应用,另一方面也使驱动的LED亮度达到最佳,电池的工作时间达到最佳。因此,本发明具有电路紧凑、消耗极低、功能齐全、高效且廉价的特点。

    一种具有大电流开关式充电和电源管理功能的芯片及应用

    公开(公告)号:CN108258745B

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN201611240417.0

    申请日:2016-12-29

    IPC分类号: H02J7/00 H01M10/48

    摘要: 本发明涉及一种具有大电流开关式充电和电源管理功能的芯片及应用,该芯片设有输入电压端VIN、电感接入端SW、模式选择端VBAT、自举充电端BST、电压反馈端FB和充电电池接入端BAT,该芯片内设有模式判断单元、降压单元和充电单元。与现有技术相比,本发明模式判断单元通过外部引脚模式选择端VBAT连接方式的不同来自动识别工作模式,从而实现了芯片的多种功能的集成化,降低了芯片制造开发成本,具有很好的性价比。

    一种高耐压PNP型防反灌功率驱动器及其制造方法

    公开(公告)号:CN108122908A

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201611079421.3

    申请日:2016-11-30

    发明人: 汪义 曾蕴浩 王炜

    IPC分类号: H01L27/07 H01L21/82

    摘要: 本发明涉及一种高耐压PNP型防反灌功率驱动器及其制造方法,该功率驱动器包括PNP管和上拉电阻,所述的上拉电阻的一端连接至所述PNP管的发射极且另一端连接至所述PNP管的基极,用以实现所述基极的电位上拉,所述的PNP管发射极为功率驱动器的输入端,所述的功率驱动器还包括一个防反灌二极管,防反灌二极管阳极连接所述的PNP管的集电极,防反灌二极管阴极为功率驱动器的输出端。与现有技术相比,本发明具功率驱动器结构简单、制造工艺简便、性能好、成本低。

    熔丝结构
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106531717A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201510573555.X

    申请日:2015-09-10

    发明人: 汪义

    IPC分类号: H01L23/525

    摘要: 本发明提供了一种熔丝结构,包括:电介质层和熔丝,其中该熔丝采用折叠绕弯的布图方式设置于该电介质层上。本发明的熔丝结构的益处至少在于:可以增加熔丝结构所占据的空间位置,增加熔丝有效长度,增加熔丝的熔断可靠性。

    一种芯片参数修调电路
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116073817A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202111267487.6

    申请日:2021-10-29

    IPC分类号: H03K19/0185 H03K19/20

    摘要: 本发明涉及一种芯片参数修调电路,该电路包括:修调引脚:用于输入修调脉冲信号;逻辑控制单元:连接修调引脚,输出修调逻辑信号;修调控制单元:设置n组,根据修调逻辑信号分别输出n路修调控制信号;熔丝修调单元:设置n组,与n组修调控制单元一一对应连接,分别基于修调控制信号执行熔断或不熔断对应修调熔丝的操作;修调状态输出单元:设置n组,与n组熔丝修调单元一一对应连接,基于熔丝修调单元执行的熔断或不熔断对应修调熔丝的操作输出对应的修调状态。与现有技术相比,本发明修调精度高,可以实现多种方案的修调,并不增加芯片过多面积,解决了芯片面积和修调精度需要折衷考虑的问题。

    一种基于功率MOSFET的开关电路
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116015268A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202111232495.7

    申请日:2021-10-22

    发明人: 张宏林

    IPC分类号: H03K17/687

    摘要: 本发明涉及一种基于功率MOSFET的开关电路,包括输入电源、开关和功率MOSFET,所述的电源通过开关连接功率MOSFET的源极,功率MOSFET的漏极为输出端并连接电容,所述的开关前端设有外设供电引脚,所述的功率MOSFET为P型MOSFET,该电路还包括:第一调节子电路,所述的第一调节子电路控制功率MOSFET在开关闭合且输出端电压低于设定阈值时工作于饱和区,所述的电容小电流充电;第二调节子电路,所述的第二调节子电路控制功率MOSFET在开关闭合且输出端电压大于设定阈值时工作于线性区,所述的电容大电流充电。与现有技术相比,本发明避免了外设供电引脚电压的大幅跌落,保证了开关电路供电的可靠性。