公开(公告)号：CN103928506A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410166354.3

申请日：2014-04-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  元磊 ,  汤晓燕 ,  张艺蒙 ,  贾仁需 ,  王悦湖 ,  张玉明

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/47 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606

Abstract: 本发明公开了一种采用金属发射极的碳化硅双极型晶体管器件及其制作方法，用肖特基金属作为发射极，避免了传统结构中的发射区刻蚀工艺，降低了器件制作难度，同时大幅度提高了器件的特性，通过控制所述的肖特基金属层材料以及对基区表面进行处理来提高器件的电流增益。

公开(公告)号：CN103928345A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410166460.1

申请日：2014-04-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 汤晓燕 ,  蒋明伟 ,  宋庆文 ,  张艺蒙 ,  贾仁需 ,  王悦湖 ,  张玉明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及一种离子注入形成N型重掺杂漂移层台面的UMOSFET器件制备方法，外延生长N型漂移区；离子注入形成N+阱；N+阱刻蚀为台面；外延生长P-外延层；外延生长N+源区层；刻蚀成槽；刻蚀形成源区；氧化形成槽栅；淀积多晶硅；开接触孔：制备钝化层，开电极接触孔；制备电极：蒸发金属，制备电极。本发明通过离子注入和刻蚀工艺提高了带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件中的N型漂移区台面的掺杂浓度，降低了该器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN103515196A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310374360.3

申请日：2013-08-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  孙哲 ,  张玉明 ,  贾仁需 ,  张义门

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/2236

Abstract: 发明公开了一种材料外延掺杂的方法，主要包括如下步骤：在含有氢气的容器中加入碳化硅化合物并加热，当温度达到第一阈值后，在所述容器中加入预设流速的丙烷；当所述容器温度达到第二阈值后，利用所述丙烷和氢气的混合气体对所述碳化硅化合物进行刻蚀；将氮气和硅烷加入至所述容器中，并冷却至室温。本发明通过改变容器中氢气、甲烷、氮气及硅烷的量的不同，有效地解决现有技术难以控制碳化硅材料高质量掺杂的问题，而且操作简单方便，制备的碳化硅外延层掺杂均匀，表面平整。

公开(公告)号：CN103199008A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310077087.8

申请日：2013-03-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  孙哲 ,  张玉明 ,  张义门 ,  吕红亮

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种零偏4H-SiC衬底上的同质外延方法，主要解决现有技术对材料的浪费的问题并且提高了SiC外延层质量，其实现步骤是：先将碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入SH4；当温度达到1580℃-1620℃后，对衬底进行原位刻蚀20min；其后保持反应室温度和气压不变，向反应室通入流量为0.6mL/min～0.75mL/min的C3H8和流量为3mL/min～3.75mL/min的SH4，并保持30分钟；将SiH4逐渐增至15mL/min，将C3H8的流量逐渐增至3mL/min，生长外延层；生长结束后，在氢气流中冷却；最后向反应室充入氩气至常压，取出长有碳化硅外延层的衬底。本发明制备的碳化硅外延层继承了衬底的晶型，表面平整，结晶完整性好，消除了4H-SiC同质外延层中的基面位错，可用于SiC的器件制造。

公开(公告)号：CN101540343A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910022015.7

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张玉明 ,  陈丰平 ,  吕红亮 ,  王悦湖 ,  张林 ,  郑庆立 ,  宋庆文 ,  张义门

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种偏移场板结构的4H－SiC PiN/肖特基二极管。它包括N+4H－SiC衬底和同型N－外延层；衬底背面设有N型欧姆接触；N－外延层上设有多个同心环形P+区域，这些同心环形P+区域分为外部同心圆环和内部同心圆环；各内部同心圆环及环间隔区域的上方设有P型欧姆接触和肖特基接触；各外部同心圆环及其间隔区域的上方设有P型欧姆接触和SiO2钝化层；在该SiO2钝化层上方设有场板。其制作过程是：在4H－SiC衬底正面生长N－外延层；在N－型外延层制作同心环形P+区域、SiO2钝化层、肖特基接触、P型欧姆接触和场板；在4H－SiC衬底背面制作N型欧姆接触。本发明可用于大功率整流器及PFC电路。