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公开(公告)号：CN111509050A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010302170.0
申请日：2020-04-16
Applicant: 西北工业大学
Inventor： 赵清华 , 王涛 , 介万奇 , 安德烈斯·卡斯泰拉诺斯·戈麦斯 , 里卡多·夫里森达
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/24 , H01L29/47
Abstract: 本发明涉及一种金属-二维硒化铟-石墨肖特基二极管及制备方法，首先采用金属硬掩模在285nm SiO2/Si衬底表面沉积金属电极，以机械剥离法制备的二维硒化铟为基础，采用干法转移技术将其搭接在金属-石墨非对称电极之间，并置于干燥空气中保存24小时，构筑二维硒化铟肖特基二极管。在采用原有非对称金属电极制备二维半导体材料肖特基二极管思路的基础上，设计了金属-二维硒化铟-石墨结构。该方法可以稳定制备高质量金/铂-二维硒化铟-石墨肖特基二极管。避免了原有光刻过程中的化学污染和金属化过程引入的材料损伤，减弱了由界面缺陷导致的费米能级钉扎，形成高质量金属-二维半导体肖特基界面，实现了金/铂-二维硒化铟石墨肖特基二极管的构筑。
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公开(公告)号：CN109128078B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201811201795.7
申请日：2018-10-16
Applicant: 西北工业大学 , 西安金航新材料技术开发有限公司 , 宝鸡金航华颢新材料技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种铝合金压铸坯锭的等温半固态组织浆料制备方法，首先采用压铸方法进行合金坯锭的预成型，从而有效破碎枝晶组织，获得晶粒细小的初生相，同时使组织内部存留一定的畸变能。然后将铝合金压铸坯锭加热到固‑液两相区进行等温半固态热处理，通过调整等温热处理温度和保温时间，从而获得理想的半固态浆料。通过调整压铸工艺，改变合金坯锭后续等温半固态热处理过程中的组织演变参数，从而能够获得预期的半固态合金浆料制备所需的压铸坯锭原料。之后，将合金压铸坯锭加热到固‑液两相区进行等温半固态热处理，可以通过调整等温热处理温度和保温时间，最终获得理想的半固态浆料。
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公开(公告)号：CN108569679A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810487221.4
申请日：2018-05-21
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明涉及一种一次性大量合成高纯ZnTe粉末的方法，通过将高纯Zn和Te以摩尔比1:1的比例混合，装入石英坩埚中，在高真空下进行封管，制成石英安瓿。采用高频感应加热法来加热，加热时把制得的石英安瓿放入感应线圈中，使安瓿从一端到另一端在线圈中缓慢移动，循环往复数次，通过调节功率来使Zn和Te一部分一部分顺序发生缓慢反应，从而生成棕红色的ZnTe粉末，然后将坩埚放置于水平加热管式炉的中进行保温，一次性成功制备出1.3㎏高纯ZnTe粉末。本方法结合了高频感应加热和普通电阻炉加热的优点，大幅提高了碲化锌粉末的合成效率，易于实现批量化生产，而且所采用的设备简单，操作难度小，工艺过程简单，成本低。
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公开(公告)号：CN105586640B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610137496.6
申请日：2016-03-11
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碲镓银单晶体的制备方法，用于解决现有碲镓银晶体的方法实用性差的技术问题。技术方案是首先将高纯原料碲镓银加热到银的熔点，使碲镓银三种原料充分熔化反应，转动炉体使反应充分进行，之后以一定的速率降温到凝固点，断开炉体开关，以炉冷速率降温到室温。然后将合成的多晶料放入布里奇曼法生长炉中，以一定的加热，并过热保温一段时间后，在温场为10‑15℃/cm，结晶温度为712℃处开始生长，生长完成后在670‑680℃停留一段时间，进行原位退火，之后以5℃/h的冷却速率降到室温。由于采用加热到银的熔点温度来实现多晶料的合成，生长单晶时采用10‑15℃/cm的温场，成分过冷促进了碲镓银单晶的生长。
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公开(公告)号：CN106192014B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610817494.1
申请日：2016-09-12
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶体的移动循环退火改性方法，用于解决现有碲锌镉晶体的退火方法消除10μm以下的小夹杂相效果差的技术问题。技术方案是采用移动循环退火，即通过外界装置移动退火管使其交替处于退火炉高温和低温端的热处理工艺，使CZT晶片迅速处于所设定的温度范围，无需改动温度控制程序，就可使CZT晶片快速处于所需的温度，退火过程中大的温度梯度促进了扩散过程，加速消除晶体中的小夹杂相。本发明通过移动循环退火，使CZT晶片迅速处于所设定的温度范围，退火过程中大的温度梯度促进了扩散过程，加速消除晶体中的小夹杂相，退火时间一般在16小时内完成，小夹杂相的去除效率达到100％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108103581A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711186590.1
申请日：2017-11-24
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种用于核辐射探测的高迁移率共掺杂碲锌镉晶体及制备方法，使用两种元素掺杂补偿晶体生长中不可避免的本征缺陷以及减少残留杂质，以同时实现较好的半绝缘性能和优良的载流子输运性能。本发明生长出的共掺杂CZT晶体，其电学性能中的电子迁移率有了极大提升，可达1340cm2/Vs，比目前文献报道的单独In掺杂晶体提升了约20‑58％，极大的改善了载流子输运性能。生长出的共掺杂CZT，其特征是呈半绝缘特性(高阻)，电阻率可达1010的数量级，电子迁移率高，完全满足核辐射探测器的性能求。
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公开(公告)号：CN108067604A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711302733.0
申请日：2017-12-11
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种熔体搅拌式多功能反重力铸造装置及铸造方法，包括下压力罐、熔化炉、强磁体、变频电源、中隔板、上压力罐等。其方法为熔化炉将金属材料熔化并密封下压力罐，由变频电源通过强磁体对熔体施加交变磁场，实现熔体的真空搅拌除气处理，在反重力铸造准备工序及浇注过程中对熔体持续施加电磁搅拌，由控制系统完成不同反重力铸造方法的浇注。本发明不仅可以在金属材料熔炼时进行真空搅拌除气处理，也可以在浇注准备过程中和浇注期间对熔体施加交变电磁搅拌力，起到减少熔体内部的气体含量、稳定熔体成分均匀性和提高铸件质量和性能的效果。
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公开(公告)号：CN107855495A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711302710.X
申请日：2017-12-11
Applicant: 西北工业大学
IPC: B22D18/04
CPC classification number: B22D18/04
Abstract: 本发明涉及一种熔体电磁搅拌式低压铸造装置及铸造方法，包括强磁体、变频电源、熔化炉、坩埚、盖板和真空气源等。首先使用熔化炉将金属材料熔化，密封坩埚后抽取真空，同时对熔体施加交变磁场进行电磁搅拌，使熔体内气体在真空及搅拌下析出；然后在低压浇注准备工序及浇注过程中，持续施加交变电磁场，强化熔体内部对流运动，实现熔体成分均匀化控制。本发明不仅可以起到真空电磁搅拌除气处理作用，还可以对密闭空间内熔体进行持续搅拌，保证熔体成分的均匀性，从而获得成分均匀、组织细化、性能优异的优质铸件。
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公开(公告)号：CN105002561B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510468759.7
申请日：2015-08-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法，用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内，生长前采用高纯Ar反复清洗生长炉腔室以去除残余空气并充入Ar至目标压强，加热ZnTe生长源和(100)GaAs衬底，加热到一定温度后，生长源继续升温至目标温度，衬底停止加热，依靠生长源处热辐射维持厚膜生长所需温度。本发明通过控制ZnTe生长源温度、生长炉腔室压力以及生长源与衬底之间的距离，来控制生长ZnTe外延厚膜的速率，其生长速率由背景技术的10μm/h提高到20μm/h～100μm/h。
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公开(公告)号：CN105652040A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610011993.1
申请日：2016-01-08
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01Q30/20
CPC classification number: G01Q30/20
Abstract: 一种TEM样品的制备方法，采用石蜡包埋技术，有效避免了样品在机械研磨减薄过程中出现裂纹或碎裂，能够将样品直接且快速地研磨至20-30μm，从而避免了传统方法中样品与铜环粘接后需继续研磨至50μm以下这一极易导致样品出现裂纹或碎裂的过程，显著地提高了制样成功率和缩短了制样周期；采取溶释石蜡技术，降低石蜡对样品的粘附力，成功地将样品完整地转移。本发明将制样成功率由60％～70％提高到90％～100％，将制备周期降低至100～180min。
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