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公开(公告)号：CN106192014B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610817494.1
申请日：2016-09-12
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶体的移动循环退火改性方法，用于解决现有碲锌镉晶体的退火方法消除10μm以下的小夹杂相效果差的技术问题。技术方案是采用移动循环退火，即通过外界装置移动退火管使其交替处于退火炉高温和低温端的热处理工艺，使CZT晶片迅速处于所设定的温度范围，无需改动温度控制程序，就可使CZT晶片快速处于所需的温度，退火过程中大的温度梯度促进了扩散过程，加速消除晶体中的小夹杂相。本发明通过移动循环退火，使CZT晶片迅速处于所设定的温度范围，退火过程中大的温度梯度促进了扩散过程，加速消除晶体中的小夹杂相，退火时间一般在16小时内完成，小夹杂相的去除效率达到100％。
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公开(公告)号：CN106192014A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610817494.1
申请日：2016-09-12
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B33/02
CPC classification number: C30B33/02
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶体的移动循环退火改性方法，用于解决现有碲锌镉晶体的退火方法消除10μm以下的小夹杂相效果差的技术问题。技术方案是采用移动循环退火，即通过外界装置移动退火管使其交替处于退火炉高温和低温端的热处理工艺，使CZT晶片迅速处于所设定的温度范围，无需改动温度控制程序，就可使CZT晶片快速处于所需的温度，退火过程中大的温度梯度促进了扩散过程，加速消除晶体中的小夹杂相。本发明通过移动循环退火，使CZT晶片迅速处于所设定的温度范围，退火过程中大的温度梯度促进了扩散过程，加速消除晶体中的小夹杂相，退火时间一般在16小时内完成，小夹杂相的去除效率达到100％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103560166B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201310488594.0
申请日：2013-10-17
Applicant: 西北工业大学 , 陕西迪泰克新材料有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器模块的封装方法，用于解决现有碲锌镉像素探测器模块封装方法连接胶点相对位置精度差的技术问题。技术方案是采用银导电胶作为倒装连接介质，利用三维自动点胶机通过矩阵点胶模式，精确控制胶点的尺寸与相对位置，同时利用倒装焊接仪，通过双CCD取景对焦的工作模式，控制传动系统的精确走位，解决了碲锌镉像素电极探测器元件上像素电极与基板上金属电极的一一对应连接问题，并克服了像素电极的短路或断路现象。由于采用程序控制的矩阵点胶模式，有效地控制了胶点间的相对位置，精度达到了10μm，同时采用流量控制器，获得了的最小胶点尺寸为150μm，有效克服了像素电极的短路问题。
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公开(公告)号：CN103983579B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410181930.1
申请日：2014-05-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/23
Abstract: 本发明公开了一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置及方法，包括卤钨灯、980nm滤波片、透镜、碲化物半导体探测器、三维平移台、起偏器、检偏器、物镜和相机，所述碲化物半导体探测器横放在所述三维平移台上，所述碲化物半导体探测器上设有直流电压表，所述三维控制平台和相机均通过数据线连接有电脑，所述卤钨灯上设有开关。本发明可以根据相机上所接收到的光强与碲化物半导体探测器的内建电场强度的平方成正比，来研究碲化物半导体探测器的电场分布，进一步的得到空间电荷的分布，从而来研究碲化物半导体探测器内部的缺陷。
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公开(公告)号：CN103983579A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410181930.1
申请日：2014-05-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/23
Abstract: 本发明公开了一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置及方法，包括卤钨灯、980nm滤波片、透镜、碲化物半导体探测器、三维平移台、起偏器、检偏器、物镜和相机，所述碲化物半导体探测器横放在所述三维平移台上，所述碲化物半导体探测器上设有直流电压表，所述三维控制平台和相机均通过数据线连接有电脑，所述卤钨灯上设有开关。本发明可以根据相机上所接收到的光强与碲化物半导体探测器的内建电场强度的平方成正比，来研究碲化物半导体探测器的电场分布，进一步的得到空间电荷的分布，从而来研究碲化物半导体探测器内部的缺陷。
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公开(公告)号：CN103560166A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310488594.0
申请日：2013-10-17
Applicant: 西北工业大学 , 陕西迪泰克新材料有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器模块的封装方法，用于解决现有碲锌镉像素探测器模块封装方法连接胶点相对位置精度差的技术问题。技术方案是采用银导电胶作为倒装连接介质，利用三维自动点胶机通过矩阵点胶模式，精确控制胶点的尺寸与相对位置，同时利用倒装焊接仪，通过双CCD取景对焦的工作模式，控制传动系统的精确走位，解决了碲锌镉像素电极探测器元件上像素电极与基板上金属电极的一一对应连接问题，并克服了像素电极的短路或断路现象。由于采用程序控制的矩阵点胶模式，有效地控制了胶点间的相对位置，精度达到了10μm，同时采用流量控制器，获得了的最小胶点尺寸为150μm，有效克服了像素电极的短路问题。
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公开(公告)号：CN203824901U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420262603.4
申请日：2014-05-18
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/23
Abstract: 本实用新型公开了一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置，包括卤钨灯、980nm滤波片、透镜、碲化物半导体探测器、三维平移台、起偏器、检偏器、物镜和相机，所述碲化物半导体探测器横放在所述三维平移台上，所述碲化物半导体探测器上设有直流电压表，所述三维控制平台和相机均通过数据线连接有电脑，所述卤钨灯上设有开关。本实用新型可以根据相机上所接收到的光强与碲化物半导体探测器的内建电场强度的平方成正比，来研究碲化物半导体探测器的电场分布，进一步的得到空间电荷的分布，从而来研究碲化物半导体探测器内部的缺陷。
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