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公开(公告)号:CN103983579B
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201410181930.1
申请日:2014-05-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/23
Abstract: 本发明公开了一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置及方法,包括卤钨灯、980nm滤波片、透镜、碲化物半导体探测器、三维平移台、起偏器、检偏器、物镜和相机,所述碲化物半导体探测器横放在所述三维平移台上,所述碲化物半导体探测器上设有直流电压表,所述三维控制平台和相机均通过数据线连接有电脑,所述卤钨灯上设有开关。本发明可以根据相机上所接收到的光强与碲化物半导体探测器的内建电场强度的平方成正比,来研究碲化物半导体探测器的电场分布,进一步的得到空间电荷的分布,从而来研究碲化物半导体探测器内部的缺陷。
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公开(公告)号:CN103983579A
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201410181930.1
申请日:2014-05-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/23
Abstract: 本发明公开了一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置及方法,包括卤钨灯、980nm滤波片、透镜、碲化物半导体探测器、三维平移台、起偏器、检偏器、物镜和相机,所述碲化物半导体探测器横放在所述三维平移台上,所述碲化物半导体探测器上设有直流电压表,所述三维控制平台和相机均通过数据线连接有电脑,所述卤钨灯上设有开关。本发明可以根据相机上所接收到的光强与碲化物半导体探测器的内建电场强度的平方成正比,来研究碲化物半导体探测器的电场分布,进一步的得到空间电荷的分布,从而来研究碲化物半导体探测器内部的缺陷。
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公开(公告)号:CN203824901U
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201420262603.4
申请日:2014-05-18
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/23
Abstract: 本实用新型公开了一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置,包括卤钨灯、980nm滤波片、透镜、碲化物半导体探测器、三维平移台、起偏器、检偏器、物镜和相机,所述碲化物半导体探测器横放在所述三维平移台上,所述碲化物半导体探测器上设有直流电压表,所述三维控制平台和相机均通过数据线连接有电脑,所述卤钨灯上设有开关。本实用新型可以根据相机上所接收到的光强与碲化物半导体探测器的内建电场强度的平方成正比,来研究碲化物半导体探测器的电场分布,进一步的得到空间电荷的分布,从而来研究碲化物半导体探测器内部的缺陷。
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