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公开(公告)号：CN102863019A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210369204.3
申请日：2012-09-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 尖晶石结构薄膜型钛酸锂负极材料的制备方法，属于能源领域以及新材料领域，本发明包括以下步骤：（1）将乙醇溶剂和水解抑制剂超声混合均匀，按Li:Ti=4:5~4.5:5的原子比加入锂源和钛源，同时进行40-65℃加热、磁力搅拌至完全溶解混合均匀，得到混合溶液；加入体积为混合溶液体积1/4~1/2的甲醇，去除杂质水后加热，然后搅拌；最后加入1-5滴乙醇胺，形成无水前驱溶液；（2）将步骤（1）所得前驱溶液均匀涂覆于基片表面；（3）将表面附着液膜的基片置于管式炉中预烧得到预烧薄膜；（4）将预烧薄膜高温退火处理，气氛为干燥的氧气；退火结束后自然降温直至室温，即可得到尖晶石钛酸锂薄膜。本发明所需设备简单，制备方法简单易行，能够制备出高质量样品。
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公开(公告)号：CN102255040A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110091978.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 双面超导带材缓冲层的连续制备方法，属于超导材料技术领域。本发明包括下述步骤：1)将基带安装在两个转盘之间；2)将金属钇靶分别安置在对靶上，两个转盘之间的基带平面的法线与相对的对靶上的金属钇靶连线垂直；3)将生长室(9)抽背底真空至5.0×10-4Pa以下，对基带进行加热，使温度保持在600℃～660℃，向生长室内充入氩氢混合气体，并保持2～3Pa，再充入1.2×10-3到2.5×10-3Pa的水蒸气；4)步进电机通过第一转盘或者第二转盘带动基带匀速运动；5)开启辉光，溅射金属钇靶材，在基片上沉积Y2O3薄膜；6)关闭溅射。本发明采用离轴溅射，基带与靶材成90度夹角，提高了双面缓冲层面内外织构。
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公开(公告)号：CN118591267A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410698710.X
申请日：2024-05-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种YBCO纳米线的制备方法，属于单光子探测技术领域。该方法先基于氯气辅助等离子耦合反应离子刻蚀对YBCO薄膜进行刻蚀制备形成纳米线，刻蚀结束后立即将样品置于高真空环境中进行退火，从而实现百纳米级YBCO纳米线低损伤加工，并且加工得到的YB CO薄膜仍具有超导性能。
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公开(公告)号：CN117642056A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311666929.3
申请日：2023-12-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多功能电子器件及其制备方法，属于半导体器件制造技术领域，包括自下而上依次的衬底、磁性层、自旋轨道耦合层、保护层和霍尔电极层；衬底的材料为蓝宝石或SrTiO3；磁性层的材料为Cr2Te3；自旋轨道耦合层的材料为拓扑绝缘体(BixSb1‑x)2Te3，0
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公开(公告)号：CN117156875B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311422222.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非接触钝化的高性能太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、光活性层、p‑型半结晶聚合物层、笼状分子非接触钝化层、欧姆接触层和电极层。本发明通过制备CC系列材料，诱导p‑型半结晶聚合物堆叠排布，降低p‑型半结晶聚合物的带尾态面积，使光活性层与p‑型半结晶聚合物层之间的界面缺陷得以控制；欧姆接触层对笼状分子非接触钝化层进行路易斯酸分子掺杂，以提升载流子迁移率；路易斯酸分子的吸电子特性有助于p‑型半结晶聚合物层与电极层欧姆接触；致密的笼状分子非接触钝化层还能阻止路易斯酸分子渗透，保证器件稳定性，进一步提升器件光电转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117420104A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310871877.7
申请日：2023-07-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种高通量自动化荧光光谱的拟合分峰方法，属于计算机数据处理领域。本发明包括：接收高通量实验设备端产生的荧光光谱序列数据并整理成为数据集合，提取对应数据并进行分区处理，对每种初步分区数据进行初始化，重复多次，得到多组初始化参数集；以每一组初始化参数集作为初始化条件，调用被修正EM方法进行Gauss拟合，并获得相应的Gauss参数集，重复多次，得到多种Gauss参数集；度量每一种的拟合效果并从中选取最佳拟合拟合参数，并进行对应的可视化展示。本发明可以对半导体材料高通量实验和生产中所产生巨量荧光光谱数据实现高通量的精确拟合，提供拟合后可直接分析的荧光峰参数以及可视化数据图像。
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公开(公告)号：CN116469934A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310295569.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明的目的在于提供一种对二维铁电场效应晶体管电导更新的线性调制方法，属于二维场效应晶体管技术领域。该方法基于LiNbO3/HfO2/MoS2体系的二维铁电场效应晶体管，通过改变光脉冲以及电脉冲的周期性特征，即通过调整周期时间和周期内每次光脉冲能量大小和电脉冲能量大小，来改变晶体管不同电流值的积累状态，从而引起晶体管沟道电流线性增加或减小，突破电导更新状态快速饱和趋势的限制，实现电导更新具有较好的线性度，从而为图像处理应用奠定良好的基础。
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公开(公告)号：CN115787078A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211657123.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高质量的错配层化合物(SnS)1.17NbS2的制备方法，属于二维材料制备技术领域。该方法以碘作为输运剂，并对材料生长环境进行特殊性设计，创新设计了“套娃”生长空间形式，能够增大整个生长环境的比热容并有效减小生长过程中的温度波动，从而使错配层化合物(SnS)1.17NbS2的生长更稳定，制备得到的材料质量更高。本发明生长出的错配层化合物(SnS)1.17NbS2单晶外观上呈现层状结构，层堆积结构清晰，组分均匀，性能优异，可作为高质量的超导材料应用于电力输运、光学探测、精密仪表制备等领域。
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公开(公告)号：CN113817996B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202111010606.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种YBCO薄膜表面制备高质量银电极的方法，属于电极制备技术领域。该制备方法采用热蒸发法在YBCO薄膜表面制备银电极，并在蒸发过程中根据银电极的膜厚调控蒸发速率，得到高质量的银电极，且电极的附着性好、接触电阻小。
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公开(公告)号：CN111129314B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201911391921.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿电子传输层的制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明以四氯化钛的水溶液为源溶液，以五氯化铌的醇溶液为掺杂液，通过改变源溶液与掺杂液的溶质摩尔比来控制最终成膜材料的铌元素取代比，从而连续调节其能级能带位置；通过调整源溶液中溶剂水与掺杂液中醇的比例，控制最终成膜材料的形貌，以实现致密层与介孔层的一次性制备，实现了无迟滞钙钛矿电池的构建；并且整个制备过程均在一百摄氏度以下完成，对衬底要求不高，同时能源耗散低。
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