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公开(公告)号：CN116192585B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310201998.0
申请日：2023-03-03
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于离散分组导频结构的部分匹配滤波信号捕获方法，主要解决现有技术频域捕获精度低的问题。其实现方案是：1)将本地分组导频序列插入已编码的信息序列，对其调制后送入信道发射；2)接收端将接收信号存入延迟寄存器：3)对延迟寄存器中的信号分组并提取出接收分组导频序列，利用分段匹配滤波器对本地导频分组序列和接收导频分组序列进行相关操作，对相关输出值进行FFT变换并取模值，记录其中的最大值，并对接收信号延迟一个采样信号；4)循环3)将记录的最大值序列与设定的阈值比较判断捕获结果，捕获成功时计算定时偏差估计值和频偏估计值。本发明降低了取样率，提升了频域捕获精度，可用于高速传输突发数字通信系统。
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公开(公告)号：CN112431711B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011538928.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: F03B13/14
Abstract: 本发明公开了一种基于异质结结构的水波聚能装置，包括一对间隔设置的平行板，两平行板间的空腔分为通道1和通道2，通道1两侧的平行板上设有对称式周期性间隔排列的第一凸起结构，通道2两侧的平行板上设有对称式周期性间隔排列的第二凸起结构，相邻的第一凸起结构和第二凸起结构间隔一定距离形成异质结结构，当水波入射通道时，水波逐渐在两通道连接处的异质结结构处形成界面态，从而将整个通道中的水波能量汇聚在异质结处，且共振幅值达到最大值，从而实现水波能量汇聚。该装置结构简单，易实现；适应性强，聚波能力好；对水流传播干扰小；装置中两种通道内两侧侧壁凸起尺寸可根据海面波浪情况进行调节。
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公开(公告)号：CN118473394A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410548969.6
申请日：2024-05-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/0185 , H03K17/04
Abstract: 一种Levelshift电路及其应用，其中，电路包括Buffer模块，Levelshift模块，信号边沿对齐模块；Buffer模块将接收到的高速数据信号以及使能信号经过处理后，输入到Levelshift模块中，Levelshift模块将接收到的高速数据信号经电平移位后输入到信号边沿对齐模块，信号边沿对齐模块将接收到的经电平移位后的高速数据信号经过边沿对齐后直接输出，实现高速数据不失真的传输以及将低压数字单端信号转化为电压域较高的模拟差分输出信号，同时通过使能信号的控制实现在不传输有效信号的情况下控制第电路进入低功耗模式，从而减小电路的整体功耗；用于LVDS驱动器中具有使能控制的高速信号电平移位电路；本发明具有低功耗，对高速数据实现电平移位，防止电压过冲、提高信号传输时有效占空比的效果。
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公开(公告)号：CN117936272A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410264961.7
申请日：2024-03-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种降低矫顽电场的铁电电容器及制备方法，包括自上而下设置的衬底、底电极、插入层、铁电层以及顶电极；所述电容结构为金属‑铁电‑介电‑金属双层结构；所述底电极和铁电层中间插入一层插入层；所述插入层为TiO2；所述铁电层为HZO铁电薄膜；所述TiO2插入层为HZO铁电薄膜提供氧，从而调控HZO中的氧空位数量，通过减少HZO中的氧空位数量来降低矫顽电场。本发明通过引入TiO2插入层，调控HZO中氧空位数量，显著降低矫顽电场，显著改善HZO薄膜的铁电特性，并且提升可靠性。
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公开(公告)号：CN116842401A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310924358.2
申请日：2023-07-26
Abstract: 本发明公开关注模型全局相似性的模型版权验证方法，具体包括以下步骤：步骤1：准备源模型Mv，盗版模型Ms与同源模型Mh和需要的数据集Dv；步骤2：生成指纹，构建验证指纹集Xv和确定判断是否是盗版模型的决策阈值τ；步骤3：执行验证。该方法解决了现有基于指纹的版权保护方法大多只关注模型的局部相似性的问题及现有版权验证方法只能在单一任务应用场景的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116646806A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310835145.2
申请日：2023-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种带宽可调谐和模式可切换的多波长随机光纤激光器，其为一种基于掺铒光纤、受激拉曼散射和受激布里渊散射混合增益的带宽可调谐和模式可切换的多波长随机光纤激光器，其通过调节泵浦光源的输出功率使得受激拉曼散射放大瑞利散射，增强了多波长随机分布反馈，从而获得平坦的宽谱多波长随机激光输出；通过调节可调谐窄线宽激光源的输出波长和输出功率，对宽谱多波长随机激光实现动态滤波。本发明不仅具有结构简单、可靠性高、造价成本低、阈值功率低、输出稳定和全光纤化等特点，还同时具有增益类型多样性、光谱平坦、光谱带宽可调谐范围大、激光输出模式可切换等独特的特征，有望作为一种新型的光纤激光光源，在光通信、光传感以及光成像等领域发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN116130514A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211634685.6
申请日：2022-12-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/45 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种低电阻率欧姆接触的Gen型沟道场效应晶体管结构及其制备方法，其结构包括p型Ge衬底，p型Ge衬底两侧分别设有n型Ge源/漏区，n型Ge源/漏区上分别设有超薄氧化物层，n型Ge源/漏区之间且位于p型Ge衬底顶部中间自下而上依次设置有栅钝化层、栅介质层和栅金属层，其两侧分别设有绝缘侧墙；绝缘侧墙外侧且超薄氧化物层上分别依次设置有源电极粘附层、源电极以及漏电极粘附层、漏电极；绝缘侧墙之间且栅金属层上依次设置栅电极粘附层、栅电极，源/漏电极与n型Ge源/漏区之间分别通过贯穿超薄氧化物层的导电细丝通道导通连接；本发明通过将超薄氧化层嵌入金属和n‑Ge半导体之间，采用电铸工艺击穿氧化层，从而实现低电阻率欧姆接触。
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公开(公告)号：CN116033759A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211563296.9
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法，包括底栅电极、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅电极、源漏电极，其特征在于，所述神经形态器件的水平栅和有机半导体层位于电荷捕获层上方，二者隔开；源漏电极位于有机半导体层上方。本发明所提供的器件同时具有底栅和水平栅，双栅结构使本发明器件可以实现底栅写入、水平栅读取或者水平栅写入、底栅读取等操作，有效避免了器件在写入、读取操作时产生的串扰问题；器件同时还存在电双层效应和电荷捕获效应两种电荷效应；器件大部分采用溶液法制备，工艺简单便于操作，成本低易推广，且具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN111082810B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010012206.1
申请日：2020-01-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M13/09
Abstract: 本发明属于网络通信技术领域，公开了一种基于FPGA低开销并行循环冗余校验方法及应用，确定并行化参数，选择分组步进值s时，确定FPGA的型号，使分组步进值s等于FPGA的LUT的输入引脚数；计算大小为l×m的第一中间结果矩阵MD_1；计算QBn的计算结果，即大小为l×1的第二中间结果向量MD_2；计算大小为l×1的输出结果向量COUT。本发明选择分组步进值s时，首先确定FPGA的型号，然后使分组步进值s等于该款FPGA的LUT的输入引脚数，使LUT的利用率达到了100％，克服了现有技术中LUT资源利用率低的问题，使得本发明具有了LUT资源开销低的优点。
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公开(公告)号：CN115687344A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211261768.5
申请日：2022-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F16/22 , G06F16/2453 , G06F17/15
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的完美哈希构建的加速装置及其加速方法，涉及数据处理技术领域，包括：多个并列设置的处理单元，处理单元包括输入端和输出端，处理单元的输入端将多对元素的键作为输入；结果聚合单元，结果聚合单元包括输入端和输出端，结果聚合单元的输入端与多个处理单元的输出端连接，结果聚合单元的输出端输出结果。本申请通过设置多个并列运算的处理模块，且并行化处理，从而实现多个哈希函数的并行搜索，可以缩短完美哈希构建过程的时间，可以提高路由查找应用的更新实时性，缩短搜索引擎、数据库等应用的处理时间。
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