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公开(公告)号：CN116130514A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211634685.6
申请日：2022-12-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/45 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种低电阻率欧姆接触的Gen型沟道场效应晶体管结构及其制备方法，其结构包括p型Ge衬底，p型Ge衬底两侧分别设有n型Ge源/漏区，n型Ge源/漏区上分别设有超薄氧化物层，n型Ge源/漏区之间且位于p型Ge衬底顶部中间自下而上依次设置有栅钝化层、栅介质层和栅金属层，其两侧分别设有绝缘侧墙；绝缘侧墙外侧且超薄氧化物层上分别依次设置有源电极粘附层、源电极以及漏电极粘附层、漏电极；绝缘侧墙之间且栅金属层上依次设置栅电极粘附层、栅电极，源/漏电极与n型Ge源/漏区之间分别通过贯穿超薄氧化物层的导电细丝通道导通连接；本发明通过将超薄氧化层嵌入金属和n‑Ge半导体之间，采用电铸工艺击穿氧化层，从而实现低电阻率欧姆接触。
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