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公开(公告)号：CN109545697B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201811605514.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装方法及半导体封装结构，包括：将半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上；在引线框架的第一引脚上设置第一导电粘接层，在半导体芯片的源极上设置第二导电粘接层；将导电金属片的一端通过第一导电粘接层与第一引脚相连接，将导电金属片的另一端通过第二导电粘接层与半导体芯片的源极相连接；将半导体芯片的栅极与引线框架的第二引脚通过键合引线相连接；包封半导体芯片、导电金属片、键合引线和部分引线框架。由于采用导电金属片无需使用铝线或铝带键合工艺实现，降低了半导体封装工艺门槛与封装设备成本，并且导电金属片可根据半导体芯片封装性能要求定制各种规格，有利于提高半导体封装结构的电学性能与散热性能。
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公开(公告)号：CN109238118B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201811314241.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01B7/00
Abstract: 本发明属于汽车玻璃合格性检测领域，公开了一种检测玻璃可装配性的检测系统及方法，检测玻璃可装配性的检测系统包括：机械框架，用于安置被测玻璃与检测触头以及布置线路；硬件框架，用于进行采集检测位点信息，与上位机之间进行双向指令传递；上位机，用于收集来自硬件框架所检测到的数据；对数据进行收集与存储、发布指令以及对收集到的数据进行计算分析SPK值，由统计图表的方式显示给用户，并对被测装置的可装配性进行分析并得出是否具有可装配性。本发明的机械框架的线路框架部分利用金属框架可以有效避免外界电磁干扰，起到静电屏蔽的作用，数据稳定性强。
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公开(公告)号：CN114799616B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210463124.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B23K35/30 , B23K35/363
Abstract: 本发明公开了一种高熵金属间化合物材料及其制备方法与电子焊料，属于电子封装微互连技术领域。该材料的制备方法包括：将Cu粉末、Sn粉末以及Ni粉末混合后，进行烧结和熔炼；烧结和熔炼的最高温分别不超过260℃和920℃。该方法可在较低温度下直接将微连接结合处常见的金属间化合物Cu6Sn5、Cu3Sn和Ni3Sn4以高熵合金形式的多元合金组分制成致密均匀的高熵IMC整体样品。该材料可有效提高接头合金的强度、力学性能和抗蠕变性能，并可促进焊料与基体之间的扩散作用，提升连接处结合的紧密程度。含有上述材料的电子焊料，不仅能够提升焊点强度和力学性能，同时还能防止焊接后冷却凝固过程体积膨胀产生的一系列问题。
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公开(公告)号：CN108682583B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201810802231.2
申请日：2018-07-20
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林旭研机电科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种表面贴装应用按键，表面贴装应用按键包括：本体和焊脚；本体包括硅橡胶部和过渡部；焊脚与过渡部相连接，设置于本体的底壁上。通过将焊脚与本体所包括的过渡部相连接，以实现将焊脚设置于本体的底壁上；由于焊脚通过过渡部便固定在本体的底壁上，因此避免了焊脚支架框体内嵌，节约表面贴装应用按键制作耗材、降低工艺成本，使得表面贴装应用按键制造工艺更加简单，成本更加低廉；同时，由于避免了焊脚支架框体内嵌，因此焊脚的位置、数量、形状、尺寸等将不受焊脚支架框体的局限，从而提高了产品的灵活性及适用性，进而拓宽了产品的适用范围。
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公开(公告)号：CN113759227B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110975862.6
申请日：2021-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种功率器件的检测方法，包括：对待测功率器件进行扫频处理；获取待测功率器件各端子的等效阻抗参数；根据预设的判断规则，确定待测功率器件的损伤情况；其中，等效阻抗参数包括：等效电阻、等效电容、等效电感。本发明所提供的功率器件的检测方法，通过扫频处理获取待测功率各端子的等效阻抗参数后，可直接通过预设的判断规则对待测功率器件各方面的损伤情况进行有效准确的判定，无需对功率器件进行带电导通工作，无需设计专门的测试电路或测试系统，无需对功率器件进行开封，满足了可靠性检测、快速性检测、通用性检测、无损性检测的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110190240B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201910403614.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01G11/46 , H01G11/86 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种复合型锂氧化物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锂氧化物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锂氧化物薄膜。本发明复合型锂氧化物薄膜的制备方法将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锂氧化物薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锂氧化物薄膜化学性能稳定。
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公开(公告)号：CN109839406B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910237000.6
申请日：2019-03-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种界面接触热阻的高精度测试方法，属于测试技术领域，本发明所述的测试方法采用先进的非接触热成像技术进行多个数据点的平均处理，较现有界面温差的界面外推或随机取值选取方法，该测试方法能更为精准的计算得到界面温差，也更进一步提高了采用先进热成像技术进行界面接触热阻的测试精度，可实现高温、瞬态和微纳米尺度的界面接触热阻高精度测试，并且可实现从常温~2700℃温度区间的界面接触热阻测试。
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公开(公告)号：CN109813753B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201910243647.X
申请日：2019-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种双向热流法测定界面接触热阻的高精度方法，属于测试技术领域，本发明采用的双向加热热流方法，加热体布置在测试本体中心位置，通过在加热体周围布置多层真空隔热屏，相比较于端部更容易进行绝热处理，实现样品对的一维导热。本发明可以同时测量两组试样对材料的界面接触热阻；且采用了先进的非接触热成像技术进行多个数据点的平均处理，可更高精度地实现高温、瞬态和微纳米尺度的界面接触热阻高精度测试，并且可实现从常温~2700℃温度区间的界面接触热阻测试。
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公开(公告)号：CN114582656A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210269921.2
申请日：2022-03-18
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林旭研机电科技有限公司
IPC: H01H13/705 , H01H13/7057 , H01H13/81
Abstract: 本发明提供了一种按键和阵列式按键组件，按键包括底座、多个按压部和焊脚；多个按压部并列设置于底座的第一面；焊脚包括焊接部和连接部，焊接部沿底座的第二面布置，连接部的第一端与焊接部连接，且插设于底座内，以固定焊接部。本申请所提供的按键，在通过本发明所提供的按键拼接阵列式按键组件时，通过更少的按键即可完成拼接，进而降低拼接阵列式按键组件的成本。并且底座上设置的多个按压部，能够通过一组焊脚与线路板进行电连接，而无需每个按压部均对应一个焊脚，进一步降低按键的成本。
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公开(公告)号：CN110823960B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201911170688.7
申请日：2019-11-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种表面损伤检测装置，用于待测基体，包括：感应层，感应层设置在待测基体上；传感器组件，传感器组件与感应层相连，用于采集感应层的检测信号；处理器，处理器用于根据感应层的检测信号确定待测基体的损伤状态。表面损伤检测装置通过检测到的感应层的损伤状态可以确定待测基体的损伤状态，实现了对待测基体的实时检测，避免了每次对待测基体表面进行检测时都需要人工进行检测，节省了人力的同时还能保证检测的准确性。
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